國(guó)家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域指引(參考版)
2024-08-14 01:54本頁面
【正文】 。你必須努力，當(dāng)有一天驀然回首時(shí)，你的回憶里才會(huì)多一些色彩斑斕，少一些蒼白無力。4. 歲月是無情的，假如你丟給它的是一片空白，它還給你的也是一片空白。既糾結(jié)了自己，又打擾了別人。用一些事情，總會(huì)看清一些人。2. 若不是心寬似海，哪有人生風(fēng)平浪靜。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)800萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1400萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)600萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)2200萬元。課題支持強(qiáng)度上限為100萬，支持年限原則上不超過3年。通過“十一五”計(jì)劃的組織實(shí)施，發(fā)展低成本、高性能的先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料，促進(jìn)我國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力，帶動(dòng)傳統(tǒng)材料產(chǎn)業(yè)的升級(jí)改造。重點(diǎn)支持國(guó)家重大工程建設(shè)用結(jié)構(gòu)材料研發(fā)和基礎(chǔ)原材料的高性能化，強(qiáng)調(diào)技術(shù)創(chuàng)新，重點(diǎn)突破。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1000萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1000萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1000萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1000萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1000萬元。主要支持新型光電子材料與器件，光通信、光網(wǎng)絡(luò)用光電子材料與器件，無源電子元器件及集成技術(shù)，生物醫(yī)用和仿生材料，環(huán)境友好材料等五個(gè)研究方向，每個(gè)課題支持強(qiáng)度上限為100萬元，課題支持年限為23年。通過“十一五”的組織實(shí)施，突破關(guān)鍵材料與器件的制備技術(shù)，研制和發(fā)展一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光電信息和特種功能材料與器件。三、注意事項(xiàng)課題的篩選將遵循納米結(jié)構(gòu)與納米效應(yīng)并重的原則，有關(guān)納米效應(yīng)需在申請(qǐng)書中單列說明。芯片中器件單元高阻與低阻的阻值相差5倍以上，數(shù)據(jù)保存時(shí)間10年以上（不超過85℃）；讀、寫、擦次數(shù)大于106；讀取時(shí)間小于50納秒。主要研究?jī)?nèi)容：納米相變材料的填充關(guān)鍵技術(shù)；相變存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)；相變存儲(chǔ)芯片封裝關(guān)鍵技術(shù)；相變存儲(chǔ)芯片測(cè)試關(guān)鍵技術(shù)；前道與后道納米加工技術(shù)。本方向2006年度課題支持強(qiáng)度上限為500萬元。主要研究?jī)?nèi)容：高靈敏度和準(zhǔn)確率的檢測(cè)技術(shù)和小型化定量熒光光電檢測(cè)儀器；高效標(biāo)記抗原/抗體的選擇技術(shù)；快速免疫層析檢測(cè)技術(shù)。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)800萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)800萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)800萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)1000萬元。本方向2006年擬安排經(jīng)費(fèi)800萬元。擬支持的課題分兩類，一類是探索導(dǎo)向類課題，重點(diǎn)對(duì)納米電子、光子材料及器件，重大疾病早期診斷與治療用納米材料與器件，環(huán)保與資源節(jié)約型納米材料與技術(shù)，節(jié)能、儲(chǔ)能及新型能源用納米材料與器件，納米材料與器件的制備、加工、評(píng)價(jià)技術(shù)與裝備研制等方向進(jìn)行支持，課題支持強(qiáng)度上限為100萬，課題支持年限為23年；一類是目標(biāo)導(dǎo)向類課題，擬對(duì)用于艾滋病診斷的新型納米快速檢測(cè)技術(shù)、硫?qū)傧嘧兇鎯?chǔ)（C－RAM）芯片關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)行支持，支持強(qiáng)度上限為500萬，課題支持年限為3年。重點(diǎn)突破納米信息材料、納米醫(yī)用材料、納米能源材料和納米環(huán)境材料等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)，積極開展納米安全性的評(píng)價(jià)和研究，實(shí)現(xiàn)納米科技的自主創(chuàng)新和可持續(xù)發(fā)展。結(jié)合我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展以及人們健康水平提高的需求，瞄準(zhǔn)世界納米材料與器件發(fā)展的前沿，鼓勵(lì)原始創(chuàng)新。三、注意事項(xiàng)在申請(qǐng)本專題高溫超導(dǎo)部分的課題中，如需使用高溫超導(dǎo)線材，須優(yōu)先采用國(guó)產(chǎn)線材。示范生產(chǎn)線規(guī)模，電池成本。主要研究?jī)?nèi)容：研究低成本柔性薄膜太陽電池關(guān)鍵材料和非真空制備技術(shù)；開展連續(xù)化的柔性薄膜太陽電池的生產(chǎn)、組件連接和封裝等設(shè)備的自主設(shè)計(jì)開發(fā)。本方向2006年度課題支持強(qiáng)度上限為500萬元，課題支持年限為3年。主要研究?jī)?nèi)容：開展降低原材料成本、開發(fā)專用生產(chǎn)裝置、提高線材臨界電流密度等方面的研究。本方向2006年度課題支持強(qiáng)度上限為300萬元，課題支持年限為3年。主要指標(biāo)：帶內(nèi)紋波177。2．第三代移動(dòng)通信用高溫超導(dǎo)濾波器系統(tǒng)的研究開發(fā)研究目標(biāo)：攻克第三代移動(dòng)通信用高溫超導(dǎo)濾波器系統(tǒng)生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，形成規(guī)?；纳a(chǎn)能力。主要指標(biāo)：額定電壓220kV, 額定電流800A, 短路電流50kA, 限流 20kA 以下。（二）目標(biāo)導(dǎo)向類課題1．輸電網(wǎng)用高溫超導(dǎo)限流器的研究與開發(fā)研
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