【摘要】課題二直流調(diào)速裝置直流調(diào)速裝置是電力電子技術(shù)應用中較為典型的一種裝置,本課題通過對與直流調(diào)速裝置相關(guān)的知識:單相橋式全控整流電路、單相橋式半控整流電路、有源逆變電路以及可關(guān)斷晶閘管等內(nèi)容介紹和分析。使學生能夠理解這些電路的工作原理,掌握分析電路的方法。一、本課題學習目標與要求1.會分析單相橋式可控整流電路(電阻性、電感性負載)輸出電壓ud、電流id和晶閘管兩端電壓uT的波形。
2025-07-17 02:40
【摘要】Home內(nèi)容簡介Home教學重點內(nèi)容:1.本征半導體、N型半導體、P型半導體以及兩種載流子;2.PN結(jié)的形成、PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?.二極管的伏安特性、等效電路;4.穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理。5.晶體三極管的電流放大作用。Home1.半導體材料根據(jù)物體導電能力(電阻率)的不同,來劃分導
2024-12-11 04:50
【摘要】電力電子技術(shù)復習資料一、簡答題1、晶閘管導通的條件是什么?(1)晶閘管陽極和陰極之間施加正向陽極電壓(2)晶閘管門極和陰極之間必須施加適當?shù)恼蛎}沖電壓和電流2、有源逆變實現(xiàn)的條件是什么?(1)晶閘管的控制角大于90度,使整流器輸出電壓Ud為負(2)整流器直流側(cè)有直流電動勢,其極性必須和晶閘管導通方向一致,其幅值應大于變流器直流側(cè)的平均電壓
2024-08-22 03:32
【摘要】常用電子英文字典(點擊下載全部電子英文詞典)8-levelVestigialSideBand(8-VSB)八級殘余邊帶A-lawA-律AAL1circuitemulationmodeAAL1電路仿真模式
2024-08-10 06:07
【摘要】思考題與習題1.獨立思考以下各小題,分別從“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中選擇合適的詞填寫在各小題的括號里。(1)()是半控器件,()和()是全控器件。(2)()和()所需驅(qū)動電路的靜態(tài)功耗接近于0。(3)如果希望導通電流為15A時,器件主回路的導通壓降小于220mV,則應選用()作為主開關(guān)器件
2025-06-24 15:13
【摘要】現(xiàn)代電力電子及電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)代電源技術(shù)是應用電力電子半導體器件,綜合自動控制、計算機(微處理器)技術(shù)和電磁技術(shù)的多學科邊緣交又技術(shù)。在各種高質(zhì)量、高效、高可靠性的電源中起關(guān)鍵作用,是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的具體應用。當前,電力電子作為節(jié)能、節(jié)才、自動化、智能化、機電一體化的基礎(chǔ),正朝著應用技術(shù)高頻化、硬件結(jié)構(gòu)模塊化、產(chǎn)品性能綠色化的
2025-06-03 07:17
【摘要】班號學號姓名電力電子技術(shù)試題(A)題號一二三四五六平時成績總分分數(shù)評卷人注:卷面85分,平時成績15分本題得分一、回答下列問題1、下列器件的分類表中,將符合每一類別的全部選項添入表中。(8分)
2025-03-28 06:07
【摘要】1一、填空題(共20小題,每題1分,共20分)1、在PWM整流電路的控制方法中,如果引入了交流電流反饋稱為________。2、對用晶閘管組成的整流電路常用的控制方式是________。3、電阻性負載三相半波可控整流電路中,晶閘管所承受的最大正向電壓UFm等于__
2025-01-09 17:18
【摘要】《電力電子技術(shù)》教案授課人:郝培華授課班級:電氣0601-02課程類型:專業(yè)基礎(chǔ)課學時數(shù):48(講課42,實驗6)學分:3教材:1)雙語講義2)王兆安主編,電力電子技術(shù),機械工業(yè)出版社2003南京工業(yè)大學自動化學院電氣工程系2008年9月22日~12月12日《電力電子技術(shù)》教案
2025-04-20 07:30
【摘要】裝訂線專業(yè)班級:
2025-07-17 01:09
【摘要】第10章電力電子技術(shù)的應用晶閘管直流電動機系統(tǒng)變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)不間斷電源開關(guān)電源功率因數(shù)校正技術(shù)電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中的應用電力電子技術(shù)的其他應用
2025-05-03 02:29
【摘要】....電力電子技術(shù)答案2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可
2025-06-26 20:09
2025-01-10 22:08
【摘要】本文由zuklwz貢獻doc文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機查看。第一章電力電子器件的原理與特性1、本章學習要求、電力電子器件概述,要求達到“熟悉”層次。1)電力電子器件的發(fā)展概況及其發(fā)展趨勢。2)電力電子器件的分類及其各自的特點。功率二極管,要求達到“熟悉”層次。1)功率二極管的工作原理、基本
2025-07-17 02:56
【摘要】......《電力電子技術(shù)》課程綜合復習題一、填空題1、普通晶閘管的圖形符號是,三個電極分別是,和。2、逆變是指將變?yōu)?/span>
2025-04-20 06:46