【正文】 參考文獻[1] [M]．原子能出版社，1993[2] ，宋小平,李家寶，理化檢驗物理分冊[M]，1998[3] 盧柯,梁志德．X射線線形的解卷分析與Bragg角的精確計算[J]．物理學(xué)報，2000，[4] 何忠智．電工鋼[M]．冶金工業(yè)出版社，1996．[5] 李長一，周順兵，冷軋低碳鋼帶中各晶體學(xué)位向的點陣畸變儲能[J].　理化檢驗　2006[6] 藤鳳恩,王煜明,X射線結(jié)構(gòu)分析與材料性能表征 [M].科學(xué)出版社,1997[7] Langford J I． A rapid method for analysing thebreadths of difraction and spectral lines using the Voigt function[J]．J Appl Cryst，1978，11[8] 程萬軍，高占民，[J],吉林大學(xué)學(xué)報,2004 [9] 陳明偉，單愛黨，[J］. 金屬熱處理學(xué)報，1995 [10] 張靜江，王濱，[J].[11] 謝書銀，袁鵬，萬關(guān)良，[J].稀有金屬，1998,02[12] 李航月,胡奈賽,[J].金屬學(xué)報,[13] [J].材料科學(xué)與工藝，[14] . CoSi2薄膜二維X射線衍射線形分析與表征[J]. 金屬學(xué)報2005,5[15] —Mo合金氫化物結(jié)構(gòu)及缺陷的衍射分析[D].北京中國科學(xué)院研究生2006[16] ／[17] [J].原子與分子物理學(xué)報 2004[18] 賀笑春,熊華波,徐建輝,[J] .[19] 徐建輝. Voigt函數(shù)法線形分析技術(shù)的改進及其在噴丸組織強化研究中的應(yīng)用[J]. [20] [J].中國有色金屬學(xué)報2002。在此，我要向老師致以崇高的敬意，并表示衷心地感謝！還有我的同學(xué)在寫作論文中給我的幫助和支持。必將激勵我在今后的學(xué)習和工作中奮發(fā)向上、努力進取。 在論文期間，老師對我的學(xué)習上嚴格要求，生活上關(guān)懷備至。使我很是感激。本文是在老師的精心指導(dǎo)下完成的，從論文的選題、設(shè)計方案直至完成論文的整個過程中，都得到了老師耐心細致的指導(dǎo)。 衍射線形存在明顯差異，這主要與材料晶粒尺寸及顯微畸變的空間分布有關(guān)，其中薄膜法線方向上的晶粒尺寸最大，同時該方向的顯微畸變最?。怯嬎銠C使用讓各種測量儀器的功能變得強大，測試過程變得簡單快捷，雙晶衍射、多重衍射也越來越完善。另外晶粒越細，衍射強度的變化規(guī)律與半高寬的規(guī)律呈反轉(zhuǎn)對應(yīng)關(guān)系。半高寬是表征粒度效應(yīng)的重要參數(shù)，而對于微米級粒度的變化則能通過譜線背底寬度來表示。在晶粒度研究發(fā)展方面，隨粒度變小，衍射線線形從有尖峰到分布散漫。統(tǒng)計檢驗研究表明，可把修正模擬衍射線和實測衍射線當做同源的整體。若我們對試驗樣品的衍射數(shù)據(jù)進行Rietveld分析研究后，本底的線形形狀通過修飾也就可以定下來．去除試驗本底的計數(shù)，然后對衍射線形單獨進行擬合，我們就可以得到實際的衍射線形積分寬度．在圖5中我們比較了由Rietveld分析得到的衍射線形積分寬度和實際的衍射線形積分寬度，我們可以很清晰看出各向異性[16]。 ，從而得到晶粒尺寸分布的對數(shù)正態(tài)方差，它的值為0．58．相較于Dｖ和Dｓ，由于受衍射線形的影響很大，使并不準確。通過晶粒尺寸衍射線形的積分寬度及其洛侖茲分量，可求得體積加權(quán)平均表觀尺寸。PANalytical粉末衍射儀測定納米Pt／C催化劑[15]為例，說明衍射線形分析的Voigt函數(shù)應(yīng)用 。在金屬材料中，常采用的是Voigt函數(shù)的近似形式。從圖中可以看出，隨壓下量的增大，位錯密度也增大，當變形量大于40%時位錯密度基本恒定在10121013／cm2。加工應(yīng)變分別為5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%。這一新的線形分析理論可以方便準確地測出常見的fcc 、bcc 和hcp 三種結(jié)構(gòu)的位錯密度及分布狀態(tài)情況。理論研究分析表明，物理線形由粒子大小寬化線形和應(yīng)變寬化線形卷積疊加而成，因此： （64）式中：a為Hook 效應(yīng)常數(shù)參數(shù)，一般線形均可認為是由Cauchy 成分和Guassian 成分混合的疊加線形。幾何線形能夠用Fourier級數(shù)表示。用衍射儀測得的試樣衍射線形h（x ）稱為實際線形，可表示為： （62）式中：g（y ）為幾何寬化線形，它是由衍射幾何等儀器原因而引起的衍射線寬化。例如采用X 射線衍射法和新的線形分析理論[9][13]，測定了經(jīng)球化退火處理的20CrMnTi鋼的圓柱試樣，計算得出在不同變形條件下的位錯密度。（二）位錯密度晶體位錯理論是研究金屬材料很多應(yīng)力的重要理論依據(jù)。但它隨加工工藝或組成成分而變，壓下率小時彈性模量大的方向儲能較小，彈性模量小的方向儲能較大；當壓下率大并使點陣畸變達到一定程度時，儲能大小排列順序有逆轉(zhuǎn)傾向。 實驗選用IF鋼作標樣，用日本理學(xué)X射線衍射儀上采集實驗原始試樣和標準試樣，其衍射峰用理學(xué)發(fā)明的軟件對數(shù)據(jù)進行各種矯正，然后用Voigt近似函數(shù)法求出試樣與標樣的形狀因子，代入式(61)計算平均點陣畸變，計算平均畸變儲能： （61）式中，和分別是(hkl)的物理分量積分寬度的高斯分量、Bragg角和彈性模量。其中位錯能占80％～90％[4]。三、X射線衍射線線形分析方法的應(yīng)用（一）晶體結(jié)構(gòu)點陣畸變及其儲能的測定在金屬進行冷加工過程中將有1％～15％的能量儲存在加工件中。表2Ｍ(x)，Ｎ (x)搭配關(guān)系表Table 2M (x), N (x) collocation relation tableNoＭ(x)Ｎ (x)、ｍ、ｎ的關(guān)系12= ｍ+ｎ345 （58） （59） （60） 根據(jù)所選兩級衍射線的衍射角θθ2算出r、s，根據(jù)衍射線線形分析算出K=β2/β1，再從公式（59）、（60）求出MN2，由此得到m1和n2值?！〕Ｓ玫慕坪瘮?shù)有高斯函數(shù)及柯西函數(shù)。設(shè)微晶寬化的線性函數(shù)為M(x)、微觀應(yīng)力寬化的線性函數(shù)為N(x)。如果βcosθ為常數(shù)，說明寬化是由微晶引起的；如果Eβctgθ為常數(shù)，說明寬化是由微觀應(yīng)力引起。反之，則由微觀應(yīng)力引起。衍射線的半高寬β為：β= 2(θ+Δθ1/2) 2(θ+Δθ1/2)=4Δθ ( 56)微晶寬化與secθ和波長λ成正比，而微觀應(yīng)力寬化與tgθ成正比。Δd，相應(yīng)地引起衍射角變化2(θ177。因此它們使面間距產(chǎn)生一定的變化范圍， 從而衍射角有個變比范圍，即使衍射線寬化。這種應(yīng)力也會由多相物質(zhì)中不同取向晶粒的各向異性收縮或合金中相鄰相的收縮不一致或共格畸變所引起。 尺寸為107~105cm(1~100nm，~)的微晶能引起可觀察的衍射線的寬化。當D105cm(100nm)時，干涉函數(shù)的主峰近于一個點D105cm(100nm)時，相當于三維尺度上的晶胞數(shù)都N1，N2，N3都很小。選擇反射區(qū)的大小和形狀是由晶塊的尺寸D決定的。主峰的最大值可由羅必塔法則求出： |G1|2max=N12 主峰的有值區(qū)間ξ =(H177。副峰強度比主峰弱得多，離主峰越遠的副峰強度越弱。晶胞間的相干散射位相差可表示為： （48） 一個晶胞內(nèi)所有原子散射的相干散射振幅等于一個電子散射的相干散射振幅Ae與晶胞結(jié)構(gòu)FHKL的乘積。假定小晶體在晶軸a，b，c方向上的晶胞數(shù)分別