三相交流調(diào)壓電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)報(bào)告電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)(參考版)
2024-11-09 04:30本頁面
【正文】 這次課程設(shè)計(jì)涉及到了電力電子技術(shù)、電路、數(shù)學(xué)，控制等眾多知識(shí)面，因而我們需要把把各個(gè)學(xué)科之間的知識(shí)融合起來，形成一個(gè)整體，提升了自己的綜合知識(shí)素養(yǎng)。這次課設(shè)增強(qiáng)了自己的設(shè)計(jì)和理論聯(lián)系實(shí)際的能力，加深對(duì) MATLAB 軟件功能的理解，學(xué)會(huì)了如何 用 MATLAB 設(shè)計(jì)三相交流調(diào)壓器，學(xué)會(huì)分析理論與實(shí)際之間的誤差，為以后理論在實(shí)踐中的應(yīng)用打下一個(gè)很好的基礎(chǔ) 。 在電路進(jìn)行仿真的過程中，經(jīng)常遇到這樣那樣的問題。適應(yīng)面廣、結(jié)構(gòu)和流程清晰、仿真精細(xì)、貼近實(shí)際、效率高、靈活等優(yōu)點(diǎn)。SIMULINK 提供一個(gè)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)建模、仿真和綜合分析的集成環(huán)境。首先對(duì)電力電子器件的工作原理有了更深的體會(huì)，對(duì)晶閘管的導(dǎo)通特性和三相交流調(diào)壓電路中各晶閘管的導(dǎo)通順序有了很好的了解。電力電子技術(shù)橫跨電力、電子和控制三個(gè)領(lǐng)域，是現(xiàn)代電子技術(shù)的基 礎(chǔ)之一，是弱電子對(duì)強(qiáng)電力實(shí)現(xiàn)控制的橋梁和紐帶，已被廣泛應(yīng)用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防、交通、能源和人民生活的各個(gè)領(lǐng)域，有著極其廣闊的應(yīng)用前景，成為電氣工程中的基礎(chǔ)電子技術(shù)。 控制角為 30176。 控制角 30176。 （ 3）負(fù)載的參數(shù)設(shè)置 R=450Ω， L=OH， C=inf。 （ 3）三相交流調(diào)壓電路帶電阻電感性負(fù)載 啟動(dòng) MATLAB軟件進(jìn)入 SIMULINK后新建文檔，繪制三相交流調(diào)壓系統(tǒng)模型如圖： （ 1）交流電壓源的參數(shù)設(shè)置 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 14 設(shè)置交流 峰值電壓為 100V 頻率為 50Hz。 （ 1）三相交流調(diào)壓器觸發(fā)電路的調(diào)試。時(shí)，負(fù)載電流斷續(xù)，晶閘管導(dǎo)通角減小，此時(shí)有 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 13 負(fù)載電流平均值為 晶閘管承受的最大反向電壓為： 由于晶閘管陰極與零線間的電壓 即為整流輸出電壓 U。最大， U。 實(shí)驗(yàn)裝置中使用后沿固定，前沿可變的寬脈沖鏈實(shí)驗(yàn)電路 如下圖 所示： 圖 整流電壓平均值分兩種情況如下： （ 1） α≤ 30176。同一相的兩個(gè)反并聯(lián)的晶閘管觸發(fā)脈沖應(yīng)相差 180176。 ： 本實(shí)驗(yàn)的三相交流調(diào)壓器為三相三線制，由于沒有中線，每相電流必須從另一相構(gòu)成回路 ，因此電流流通路徑中有兩個(gè)晶閘管，所以 交流調(diào)壓應(yīng)采用寬脈沖或雙窄脈沖進(jìn)行觸發(fā)。 （ 3） 了解三相交流調(diào)壓電路帶不同負(fù)載時(shí)的工作特性。 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 12 3 三相交流調(diào)壓電路 目的 : （ 1） 了解三相交流調(diào)壓觸發(fā)電路的工作原理?？傮w來說，經(jīng)過這次實(shí)驗(yàn)課程，我還從中學(xué)到了很多課本上所沒有提及的知識(shí)。這次的實(shí)驗(yàn)課程為我們提供了一個(gè)很好的鍛煉機(jī)會(huì)，使我們及早了解一些相關(guān)知識(shí)以便以后運(yùn)用到實(shí)際中去。對(duì)操作過程中的 錯(cuò)誤以及故障難以發(fā)現(xiàn)排除。這是由于對(duì)實(shí)驗(yàn)的過程及原理理解的不深刻，對(duì)相關(guān)的知識(shí)掌握的不夠透徹，不能熟練應(yīng)用到實(shí)際操作以及應(yīng)用當(dāng)中。 （ 1）可關(guān)斷晶閘管（ GTO）特性實(shí)驗(yàn) （ 2）功率場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET）特性實(shí)驗(yàn) （ 3）絕緣雙極性晶體管（ IGBT）特性實(shí)驗(yàn) 計(jì)算機(jī)仿真實(shí)驗(yàn) 啟動(dòng) MATLAB 軟件進(jìn)入 SIMULINK 后新建文檔， 繪制 GTO MOSFET IGBT 電路特性測(cè)試系統(tǒng)模型如下圖所示， 電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 6 雙擊各模塊并設(shè)置相應(yīng)參數(shù)，設(shè)置好各模塊參數(shù)后，單擊工具欄的 ?按鈕，得到
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