【正文】 Flash 存儲器編程和程序校驗(yàn)時(shí)序圖 7（高電壓編程 )和圖 8(低電壓編程 )。校驗(yàn)時(shí)， P0口須接上 10k左右的上拉電阻。 Ready/Busy：字節(jié)編程的進(jìn)度可通過“ RDY/BSY 輸出信號監(jiān)測，編程期間，ALE變?yōu)楦唠娖健?H”后 (RDY/BSY)端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài) (忙狀態(tài) )。寫周期完成后，有效的 數(shù)據(jù)就會出現(xiàn)在所有輸出端上，此時(shí)，可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢。 改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，重復(fù) 15 步驟，直到全部文件編程結(jié)束。 ，將 EA/Vpp 端加上 +12V 編程電壓。 。 AT89C51 單片機(jī)中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電壓編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的簽名字節(jié)獲得該信息，見下表。編程接口可接收高電壓 (+12V)或 低電壓 (Vcc)的允許編程信號。 為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的 EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。 掉電模式： 在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。為了避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。 其二是通過硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止。 終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，IDL ()被硬件清除，即刻終止空閑工作模式。此時(shí)，片內(nèi) RAM 和所有特殊功能寄存器的內(nèi)容保持不變。如需同時(shí)進(jìn)入兩種工作模式，即 PD和 IDL同時(shí)為 1，則先激活掉電模式。 PD 是掉電模式，當(dāng) PD=1 時(shí)，激 活掉電工作模式，單片機(jī)進(jìn)入掉電工作狀態(tài)?？臻e節(jié)電模式： AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式，它們是空閑模式和掉電工作模式。 由于外部時(shí)鐘信號是通過一個(gè) 2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號的，所以對外部時(shí)鐘信號的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。采用外部時(shí)鐘的電路如圖 5右圖所示。對外接電容 C C2 雖然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30pF 土 10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF 士 1OF。這個(gè)放大器與作為反饋元件的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構(gòu)成自激振蕩器，振蕩電路參見圖 5。 如 EA端為高電平 (接 Vcc端 )， CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。欲使 CPU 僅訪問外部 程序存儲器 (地址為 0000H 一FFFFH)， EA 端必須保持低電平 (接地 )。 PSEN：程序儲存允許 (PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng) AT89C51由外部程序存儲器取指令 (或數(shù)據(jù) )時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE 無效。 如有必要，可通過對特殊功能寄存器 (SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 DO位置位，可禁止 ALE 操作。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)將跳過一個(gè) ALE脈沖。 ALE/PROG：當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時(shí)， ALE(地址鎖存允許 )輸出脈沖用于鎖存地址的低 8 位字節(jié)。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 作輸入端時(shí)，被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流 (I)。 P3 口輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流 )4 個(gè) TTL 邏輯門電路。 在訪問 8 位地址 的外部數(shù)據(jù)存儲器 (如執(zhí)行MOVXRI 指令 )時(shí)， P2口線上的內(nèi)容 (也即特殊功能寄存器 (SFR)區(qū)中 R2 寄存器的內(nèi)容 )，在整個(gè)訪問期間不改變。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流（ I）。 作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部 存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流（ I)。 P1口： P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O口， P1的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4 個(gè) TTL 邏輯門電路。 在 Flash 編程時(shí)， P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。作為輸 出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動(dòng) 8個(gè) TTL邏輯門電路，對端口寫“ 1”可作為高阻抗輸入端用。 GND：地 引腳功能說明： 空閑方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時(shí) /計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。 功能特性概述 : AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 4k 字節(jié) Flash 閃速存儲器， 128 字節(jié)內(nèi)部 RAM，32個(gè) I/O口線，兩個(gè) 16 位定時(shí)針數(shù)器，一個(gè) 5向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。 簽名： 2020 年 4 月 8 日 注： 請將該封面與附件裝訂成冊。 淮 陰 工 學(xué) 院 畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 )外文資料翻譯 系 （院）： 電子 與電氣 工程學(xué)院 專 業(yè)： 電氣工程及其自動(dòng)化 姓 名： 陳龍 學(xué) 號： 1061202019 外文出處： ( 用 外 文 寫 ) 附 件： ； 。 指導(dǎo)教師評語： 譯文較好的反映了原文的意思，用詞妥當(dāng)、句子表達(dá)清楚、條理清晰、語法運(yùn)用適當(dāng)，具有一定的專業(yè)英語翻譯水平。附件 1：外文資料翻譯譯文 AT89C51(節(jié)選 ) 主要性能參數(shù) : ◆ 與 MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼容 ◆ 4k 字節(jié)可重擦寫 Flash 閃速存儲器 ◆ 1000 次擦寫周期 ◆ 全靜態(tài)操作 :0Hz24MHz ◆ 三級加密程序存儲器 ◆ 128 8字節(jié)內(nèi)部 RAM ◆ 32 個(gè)可編程 I/O 口線 ◆ 2個(gè) 16位定時(shí) /計(jì)數(shù)器 ◆ 6個(gè)中斷源 ◆ 可編程串行 UART 通道 ◆ 低功耗空閑和掉電模式 AT89C51 是美國 ATMEL 公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 4k bytees 的可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲 (PEROM)和 128bytes 的隨機(jī)存取數(shù)據(jù)存儲器(RAM)，器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存儲技術(shù)生產(chǎn)，兼容標(biāo)準(zhǔn) MCS51指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用 8 位中央處理器 (CPU)和 Flash 存儲單元，功能強(qiáng)大 AT89C51單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場合，可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。同時(shí)， AT89C51 可降至 OHz 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作膜式。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。 Vcc：電源電壓 P0口 :P0口是一組 8位漏極開路型雙向 I/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址 (低 8位 )和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。 對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。 Flash 編程和程序校驗(yàn)期間， P1接收低 8位地址。 P2口： P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O 口， P2的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4 個(gè) TTL 邏輯門電路。 在訪問外部程序存儲器或 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（例如執(zhí)行 MOVXDPTR指令 )時(shí)， P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。 Flash 編程或校驗(yàn)時(shí)， P2亦接收高位地址和其它控制信號。 P3 口： P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向