【正文】
en von Raumfahrtkomponenten. Elektronenstrahl Anlagentechnik 第三節(jié) 電子束加工的應(yīng)用 。rker Verst228。e Schmelzfl228。rmeeintrag). Der Laserstrahl verursacht bei gleicher Schwei223。] 01234562 5 C r M o 4 X 6 C r N i T i 1 8 1 0 S t 5 2 3Laserstrahl Elektronenstrahl V = 20 mm/s S = 3 mm Laserstrahl Elektronenstrahl St 373 V = 20 mm/s S = 6 mm Vergleich Schmelzfl228。en Schmelzfl228。 30 Min Zusatzwerkstoff pro Meter entf228。 entf228。tzt) 30 Min. Gro223。 20 Min. Nebenzeit f252。kammeranlage, 630 m179。 800, € Kammeranlage, 20 m179。zeit pro Meter: 8,3 Min. 314 Min. Maschinenstundensatz 100, € Gro223。ber dem Unterpulver Engspaltschwei223。ungen wird der Vorteil des Elektronenstrahlschwei223。lagen Wirtschaftlicher Vergleich EB/UP bei 150 mm Tiefschwei223。lage 120 mm Schwei223。 (from down) 第三節(jié) 電子束加工的應(yīng)用 145 mm EB Schwei223。en am Ende der Fertigungskette Beispiel: Schwei223。rmeeintrag ?Geringer Verzug ?Schwei223。ens: ?Tiefschwei223。fuge Schmelzen Dampfkanal Dampfkanal und Schwei223。 第三節(jié) 電子束加工的應(yīng)用 ⒈ 高速打孔 ⒉加工型孔及特殊表面 第三節(jié) 電子束加工的應(yīng)用 第三節(jié) 電子束加工的應(yīng)用 Elektronenst