【摘要】專用集成電路設(shè)計方法俞軍Tel:53085050Email:復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)實(shí)驗室課程安排?專用集成電路概述1周?ASIC的設(shè)計流程和設(shè)計方法(重點(diǎn))–設(shè)計描述,設(shè)計流程1周–設(shè)計策略,綜合方法1周–設(shè)計驗證,ASIC設(shè)計中的考慮因素1周–
2025-05-02 04:55
【摘要】第二章電力電子變頻器及PWM控制原理山東大學(xué)三相SPWM專用集成電路?SPWM專用集成電路芯片用一片集成電路加上少量的外圍器件生成SPWM波形,大大簡化了電路和設(shè)計成本。?SA4828?SM2021一、SA4828及其應(yīng)用SA4828是一種新型三相SPWM芯片。SA
2025-05-14 21:39
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-05-03 13:59
【摘要】第八章專用集成電路和可編程集成電路???????、標(biāo)準(zhǔn)單元與可編程集成電路的比較?專用集成電路(ASIC)被認(rèn)為是用戶專用電路(customspecificIC),即它是根據(jù)用戶的特定要求.能以低研制成本、短交貨周期供貨的集成電路。它最主要的優(yōu)點(diǎn)在于:?(1)
2025-01-20 09:42
【摘要】第二章電力電子變頻器及PWM控制原理山東大學(xué)三相SPWM專用集成電路?SPWM專用集成電路芯片用一片集成電路加上少量的外圍器件生成SPWM波形,大大簡化了電路和設(shè)計成本。?SA4828?SM2021一、SA4828及其應(yīng)用SA4828是一種新型三相SPWM芯片。
2025-05-14 21:38
【摘要】大連東軟信息學(xué)院1專用集成電路設(shè)計——項目實(shí)訓(xùn)2022年8月22日嵌入式系統(tǒng)工程系張永鋒大連東軟信息學(xué)院2內(nèi)容提綱?項目概況?項目設(shè)計?項目成果?項目考核?小結(jié)大連東軟信息學(xué)院3
2025-01-07 19:25
【摘要】實(shí)驗3/4反相器的特性姓名:學(xué)號:班級:指導(dǎo)老師:1、實(shí)驗?zāi)康?。。?!?、實(shí)驗內(nèi)容1.畫出一個雙阱工藝反相器的版圖示意圖(不嚴(yán)格
2024-07-30 22:46
【摘要】第一章專用集成電路概念及設(shè)計流程專用集成電路概念?通用集成電路:–CPU,DSP,DRAM,TTL系列(數(shù)字電路)–運(yùn)放OA,基準(zhǔn)源,ADC/DAC,DC/DC(模擬電路)市場上能買到的電路?專用集成電路–玩具電路,燈具電路,工業(yè)控制電路,等等,市場上買不到的電路(數(shù)字的、模擬的、混合的)2
2025-03-01 02:23
【摘要】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長第三章實(shí)驗室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-10 11:13
【摘要】?復(fù)旦大學(xué)微電子研究院?包宗明?半導(dǎo)體物理、器件和工藝導(dǎo)論(第一部分)半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理本課程的目的?為后繼課程的學(xué)習(xí)打基礎(chǔ);?提高工作中分析問題和解決問題的能力;?提高今后工作中繼續(xù)學(xué)習(xí)和研究的能力。主要參考書:《雙極型與MOS半導(dǎo)體器件原理》黃均鼐湯庭鰲編著其他參考書:
2025-05-02 05:36
【摘要】微電子學(xué)概論第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)(FundamentalsofLargeScaleIntergratedCircuit)?導(dǎo)論?半導(dǎo)體集成電路概述?CMOS集成電路基礎(chǔ)?半導(dǎo)體存儲器集成電路參考書第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)
2024-07-31 05:00
【摘要】第四章集成電路設(shè)計集成電路中的無源元件與互連線雙極和MOS集成電路比較集成電路中的無源元件與互連線集成電路中的電阻模型集成電路互連線l集成電路的無源元件主要包括電阻、電容和電感(一般很少用)。無源元件在集成電路中所占面積一般都比有源元件(如雙極晶體管、MOSFET等)要大。因此
2024-12-29 20:50
【摘要】下一頁上一頁集成電路制造工藝——雙極集成電路制造工藝下一頁上一頁上一次課的主要內(nèi)容?CMOS集成電路工藝流程N(yùn)型(100)襯底的原始硅片NMOS結(jié)構(gòu)PMOS結(jié)構(gòu)P阱(well)隔離閾值調(diào)整注入柵氧化層和多晶硅柵NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入接觸和互
2025-05-17 02:13
【摘要】第七章雙極型晶體管?基本結(jié)構(gòu)?載流子流動情況及工作原理?理想晶體管的直流輸入輸出特性?二級效應(yīng)?擊穿特性?高頻特性?開關(guān)特性?晶體管模型雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)n+pnEBC發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)p+npEBC發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)
2025-05-02 05:33
【摘要】第五章結(jié)?平衡態(tài)PN結(jié);?PN結(jié)的伏安特性;?PN結(jié)的電容;?PN結(jié)的擊穿特性;?PN結(jié)二極管的開關(guān)特性;?金-半肖特基接觸和歐姆接觸;?異質(zhì)結(jié):半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)-PN結(jié)、金半結(jié)和異質(zhì)結(jié)PN結(jié)空間電荷區(qū)?由于PN結(jié)兩邊載流子濃度不同造成載流子擴(kuò)散運(yùn)動,載
2025-05-02 05:53