半導體納米材料ppt(參考版)
2025-02-24 15:11本頁面
【正文】 在這些表面與界面分析方法中， XPS的應用范圍最廣，可以適合各種材料的分析，尤其適合材料化學狀態(tài)的分析，更適合于涉及到化學信息領域的研究。目前，常用的表面和界面分析方法有： X射線光電子能譜（ XPS）、 俄歇電子能譜（ AES）、 靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（ SIMS）、 離子散射譜（ ISS）。主要儀器： X射線熒光光譜分析 (XFS) 、 高分辨透射電鏡（ HRTEM）、 掃描探針顯微鏡（ SPM）、 場離子顯微鏡（ FIM）、 X射線衍射儀（ XRD）、 擴展 X射線吸收精細結構測定儀（ EXAFS）、 穆斯堡爾譜儀（ MS）、 拉曼散射儀（ RS）等等。微觀結構的晶粒晶面等也影響物質(zhì)的宏觀性質(zhì)。通常我們把單個的細小晶粒的粒徑叫作一次粒徑，也叫原始粒徑 .在某些情況下，即使是非晶體顆粒，有相似的原始顆粒和團聚顆粒時，也會引入 一次粒徑和二次粒徑概念。 制備方法 模板電化學法 ? 離子注入法制備 Ⅲ Ⅴ 族半導體納米復合薄膜 ? 共濺射法制備 Ⅲ Ⅴ /SiO2納米復合薄膜 ? 固態(tài)置換反應 ? 金屬有機化學氣相沉積法 ? 分子束外延技術 ? 熱解法 ? 有機溶劑熱法 ? 水熱法 ? 凝膠法制備 鑲嵌在 Si O2 玻璃中的 Ⅲ Ⅴ 族半導體納米晶的溶膠 制備方法 其他方法 表征手段 粒度分析 形貌分析 表征 成分分析 表面界面 結構分析 其他 表征手段 粒度分析和 形貌 分析 一次粒度的分析主要采用電鏡的直觀觀測，根據(jù)需要和樣品的粒度范圍，可依次采用掃描電鏡 (SEM)、透射電鏡 (TEM)、掃描隧道電鏡 (STM)、原子力顯微鏡(AFM)觀測，直觀得到單個顆粒的原始粒徑及形貌。再者，該方法應用范圍廣，原則上能在電極上沉積的物種都可以用該方法制備出納米粒子，另外還可以和其他方法結合使用。與 VLS機制的區(qū)別僅在于，按 VLS機制生長過程中，所須的原材料由氣相提供，而按 SLS機制生長過程中所需的原材料是從溶液中提供的。m。 這種方法生長的納米線為多晶或近單晶結構，納米線的尺寸分布范圍較寬。 在成分接近平衡的基體相 a中脫溶粒子的競爭性長大。 能制備多種氧化物 (二元或多元氧化物 )納米線 . 生長機制： Ostwald 成熟機制 Ostwald熟化 Wilhelm Ostwald在 1896年發(fā)現(xiàn)的的一種描述固
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