esd的產(chǎn)生原理及防護(參考版)
2025-05-14 13:31本頁面
【正文】 電流在體表及體內(nèi)物理感知的不同取決于人體大小、重量、水份、皮膚條件等。 、問： 1M 電阻在半導體裝配過程中的作用是什么？ 答：假設(shè) 1：我們正談?wù)?ESD 控制問題；假設(shè) 2：人體與半導體及帶有半導體的器件接觸，在防靜電腕、防靜電鞋、拉鏈、地線等地方均可發(fā)現(xiàn) 1M 串聯(lián)電阻，其作用是限制可通過人體的電流量，保護人體安全。 – 確保針對以下內(nèi)容進行培訓并給出警示標志： %電源開 /關(guān)順序 %不可“熱插拔” %正確的插入方向 – 定期檢查以確保遵守相關(guān)規(guī)定 隨著半導體行業(yè)的發(fā)展，微電路制造工藝不斷提高（國外普遍采用 ，國內(nèi)也達到 23um的水平），以硅半導體為基礎(chǔ)的微細工藝技術(shù)更加突顯 ESD對電子工業(yè)的危害，主要表現(xiàn)在：大規(guī)模集成電路 IC的 pin腳和 I/O接口越來越多， pin間距越來越小，受到 ESD時，其放電回路的阻抗非常小，無法限制放電電流的突變，使得 IC的相關(guān) pin腳瞬間達到幾十安培的大電流，過流和過熱會導致 IC嚴重損壞。 *工作流程不甚合理 *接地反彈（由于接地點不夠，快速電流切換導致電壓升高） EOS的避免 *電源 – 確保交流電源配備了瞬態(tài)電流抑制器（濾波器） – 電源過壓保護 – 交流電源穩(wěn)壓器（可選）。 *測試設(shè)計欠佳，例如，在器件尚未加電或已超過其操作上限的情況下給器件發(fā)送測試信號。通常導致晶體管級別的損壞。其持續(xù)過程為幾 PS到 NS。 ? 區(qū)別： EOS通常產(chǎn)生于 電源 測試裝置 其過程持續(xù)時間可能是幾微妙到幾秒，很短的 E
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