半導體制程簡介(ppt61)-經(jīng)營管理(參考版)
2024-08-19 14:07本頁面
【正文】 半導體製程簡介 部 門 ASI / EOL 報告人 Saint Huang 半導體製造流程 晶圓製造 封裝 晶圓針測 測試 FrontEnd BackEnd 晶粒 (Die) 成品 半導體製程分類 ◆ I. 晶圓製造 ◆ ◆ ◆ ◆ 晶圓製造流程 單晶 生長 多晶矽 原料製造 晶圓 成形 晶圓材料 晶圓材料 ◆ 分類 : ?元素半導體 : 矽 ,鍺 ?化合物半導體 : 碳化矽 (SiC),砷化鎵 (GaAs) ◆ 矽的優(yōu)缺點 : ?優(yōu)點 :存量豐富 ,無毒 ,穩(wěn)定之氧化鈍態(tài)層 ,製造成本低 ?缺點 :電子流動率低 ,間接能階之結構 多晶矽原料製造 (西門子法 ) 矽砂 +碳 (SiO2) 低純度矽 (冶金級矽 , 98%) 氯矽化合物 (SiHCl3… .) SiHCl3 多晶矽棒 37cm塊狀矽塊 (… 9%) 高溫電弧爐還原 無水 氯化氫 蒸餾純化 氫氣還原 及 CVD法 敲碎 單晶生長技術 ◆ 柴氏長晶法 : % ◆ 磊晶法 : % ◆ 浮融帶長晶法 : % ◆ 其它 : % (1993年市場佔有率 ) 長晶程序 (柴式長晶法 ) ?矽金屬及摻雜質(zhì)的融化(Meltdown) ?頸部成長 (Neck Growth) ?晶冠成長 (Crown Growth) ?晶體成長 (Body Growth) ?尾部成長 (Tail Growth) 晶體 晶冠 頸部 尾部 柴氏長晶法示意圖 充入鈍氣 上拉 旋轉(zhuǎn) 加熱線圈 坩堝 晶種 頸部 晶冠 晶體 熔融矽 單晶成長流程圖 抽真空測漏氣率 (1 hr) 坩堝加熱融化多晶矽塊 (7hrs) 等待穩(wěn)定帄衡 (2 hrs) 頸部成長 (1 hr) 晶冠成長 (2 hrs) 晶體成長(30 hrs) 尾部成長 (5 hrs) 冷卻 (4 hrs) 晶柱後處理流程 晶邊研磨 長晶 外徑研磨與帄邊 切片 晶圓研磨 化學蝕刻 拋光 清洗 檢驗 晶圓切片 (Slicing) Single crystal rod Wafer 晶圓切片流程 ◆ 晶棒黏著 ◆ 切片 ◆ 晶圓清洗
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