電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)范例-wenkub.com
2024-08-07 00:34 本頁面
【正文】 設(shè)計(jì)雖然是辛苦的，但是獲得的比我付出的更多。同時(shí)讓我培養(yǎng)了一種透過部分聯(lián)系全篇的思路，鍛煉了我辦事的能力，做事效率提高了很多。 EXB841驅(qū)動(dòng)電路圖參考文獻(xiàn)1.《電力電子技術(shù)》第4版 機(jī)械工業(yè)出版社 王兆安 黃俊 主編；2.《電力電子技術(shù)題例與電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)》機(jī)械工業(yè)出版社 1998 石玉 栗書賢 ；3.《電力電子技術(shù)》 高等數(shù)學(xué)出版社 2000 浣喜明 姚為正；4.《電力電子技術(shù)應(yīng)用》第三版 機(jī)械工業(yè)出版社 2000 莫正康；5.《電力電子電路精選》機(jī)械工業(yè)出版社1996 鄭瓊林 耿學(xué)文；6.《畢業(yè)設(shè)計(jì)指導(dǎo)》機(jī)械工業(yè)出版社 1995 劉祖潤 胡俊達(dá)；7.《電力電子技術(shù)及電力拖動(dòng)自動(dòng)控制系統(tǒng)》 校內(nèi) 1999 劉星平；致謝 做過很多次各科的課程設(shè)計(jì)了，但是這次的課程設(shè)計(jì)給我的印象最深。當(dāng)IGBT開通時(shí)，若發(fā)生負(fù)載短路等發(fā)生大電流的故障，Uce會(huì)上升很多，使得Vd7截止，EXB841的6腳“懸空”，B點(diǎn)和C點(diǎn)電位開始由約6V上升，當(dāng)上升至13V時(shí)，Vz1被擊穿，V3導(dǎo)通，C4通過R7和V3放電，E點(diǎn)的電壓逐漸下降，V6導(dǎo)通，從而使IGBT的GE間電壓Uce下降，實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷，完成EXB841對(duì)IGBT的保護(hù)。 SG3525構(gòu)成的控制電路圖四 驅(qū)動(dòng)電路模塊 驅(qū)動(dòng)芯片EXB841的控制原理 圖1為EXB841的驅(qū)動(dòng)原理。11端（或14端）的拉電流和灌電流，達(dá)100mA。(8)輸出級(jí)由兩個(gè)中功率NPN管構(gòu)成，每管有抗飽和電路和過流保護(hù)電路，每組可輸出100mA。這樣，當(dāng)關(guān)閉電路動(dòng)作，即使過流信號(hào)立即消失，鎖存器也可維持一個(gè)周期的關(guān)閉控制，直到下一周期時(shí)鐘信號(hào)使倘存器復(fù)位為止。該電容由內(nèi)部Vref的50μA恒流源充電。這樣避免了彼此相互影響。(3)誤差放大器誤差放大器是差動(dòng)輸入的放大器。RT阻值決定了內(nèi)部恒流值對(duì)CT充電，CT的放電則由7端之間外接的電阻值RD決定。分立的振蕩器同步腳．SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作特性（1）基準(zhǔn)電壓調(diào)整器，50mA，有短路電流保護(hù)的電壓調(diào)整器。當(dāng)VCC低于標(biāo)稱值時(shí)欠電壓鎖定禁止輸出和改變軟起動(dòng)電容器。在CT和放電腳之間用單個(gè)電阻器連接即可對(duì)死區(qū)時(shí)間進(jìn)行大范圍的編程。177。通過調(diào)節(jié)占空比α使輸出到負(fù)載的電壓平均值U。近似為零，負(fù)載電流指數(shù)曲線下降。用控制電路和驅(qū)動(dòng)電路來控制IGBT的開斷，當(dāng)t=0時(shí)，驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通，電源E向負(fù)載供電，負(fù)載電壓u。的大小。[致 謝由于本人的經(jīng)驗(yàn)不足，在此次課程設(shè)計(jì)過程中出現(xiàn)了很多問題，是在同學(xué)的幫助下完成的，在此，感謝老師和各位幫助我的同學(xué)。北京:電子工業(yè)出版社通過這次課程設(shè)計(jì)，看到了自己的不足之處，同時(shí)也鍛煉了自己將理論知識(shí)運(yùn)用到實(shí)際中的能力，加強(qiáng)了自己的實(shí)際運(yùn)用能力，也學(xué)會(huì)了怎么樣去分析問題和解決問題。所以在設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮多方面的因素來選取合適的電感電容值！元器件列表器件名稱規(guī)格型號(hào)數(shù)量（單位）變壓器300KV/A1個(gè)整流二極管IN40046個(gè)大電感700mH2個(gè)MOSFET200V/1A1個(gè)電阻500Ω，各1個(gè)電阻10KΩ，10Ω各2個(gè)芯片TL4941塊二極管IN41483個(gè)電容，100μF各2個(gè)設(shè)計(jì)心得此次課程設(shè)計(jì)，從理論到實(shí)踐，在短短一星期的時(shí)間里，我遇到了很多問題，也學(xué)到了很多東西。經(jīng)大量仿真結(jié)果比較分析可得，當(dāng)L =10e3H、C=10e3F是波形的快速性和直流穩(wěn)定性比較理想。即 （V） 負(fù)載不變?yōu)?00，頻率1KHz，占空比從5%到45%以等百分比遞增時(shí)，輸出電壓，與輸入電壓和電路參數(shù)之間的關(guān)系。從改善動(dòng)態(tài)特性看，可考慮小電感量、大電容值。另外，等效串聯(lián)電阻上的壓降會(huì)產(chǎn)生輸出紋波電壓，要減小這些紋波電壓只能靠減少等效串聯(lián)電阻的值和動(dòng)態(tài)電流的值。TL494停止工作，即可起到過壓保護(hù)作用。過電流保護(hù)電路如圖213所示，其中交流側(cè)接快速熔斷器能對(duì)晶閘管元件短路及直流側(cè)短路起保護(hù)作用。圖212 RC阻容過電壓保護(hù)電路圖（2）過電流保護(hù) 當(dāng)電力電子電路運(yùn)行不正常或者發(fā)生故障時(shí)，可能會(huì)發(fā)生過電流?？傠娐吩O(shè)計(jì)圖圖（211）（1）過電壓保護(hù)過壓保護(hù)要根據(jù)電路中過壓產(chǎn)生的不同部位，加入不同的保護(hù)電路，當(dāng)達(dá)到—定電壓值時(shí)，自動(dòng)開通保護(hù)電路，使過壓通過保護(hù)電路形成通路，消耗過壓儲(chǔ)存的電磁能量，從而使過壓的能量不會(huì)加到主開關(guān)器件上，保護(hù)了電力電子器件。圖（29） 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 圖（210）電氣圖形符號(hào)MOSFET開關(guān)時(shí)間在10～100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，是電力電子器件中最高的。電力MOSFET的種類按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，圖16所示為N溝道結(jié)構(gòu)?？刂菩盘?hào)由集成電路外部輸入，一路送至死區(qū)時(shí)間比較器，一路送往誤差放大器的輸入端。功率輸出管Q1 和Q2 受控于或非門,當(dāng)13腳控制信號(hào)為高電平時(shí),調(diào)制脈沖交替輸出至兩個(gè)輸出晶體管Q1 和Q2 ,輸出頻率等于脈沖振蕩器的一半。其中2腳是誤差放大器I的同相和反相輸入端；3腳是相位校正和增益控制；4腳為死區(qū)時(shí)間比較器，具有120mV的輸入補(bǔ)償電壓，它限制了最小輸出死區(qū)時(shí)間約等于鋸齒波周期的4%，當(dāng)輸出端接地，最大輸出占空比為96%，而輸出端接參考電平時(shí)，占空比為48%。其主要特性如下：。另外，當(dāng)=時(shí)，=0，可求得持續(xù)的時(shí)間，即
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