離子注入技術(shù)(implant)-wenkub.com
2025-07-11 01:32 本頁(yè)面
【正文】 壓力不是有人比你努力，而是那些比你牛幾倍的人依然比你努力。不要做金錢、權(quán)利的奴隸；應(yīng)學(xué)會(huì)做“金錢、權(quán)利”的主人。我們知道，太陽(yáng)能電池領(lǐng)域是21世紀(jì)能源競(jìng)爭(zhēng)的主戰(zhàn)場(chǎng)，因此發(fā)展離子注入技術(shù)、培養(yǎng)這方面的人才刻不容緩。半導(dǎo)體摻雜仍是未來電子技術(shù)發(fā)展水平的瓶頸，因?yàn)橐胪黄片F(xiàn)有的集成規(guī)模，必須能夠制造出更加精細(xì)化的元器件，這就需要摻雜工藝更加精細(xì)，更具有可控性。中束流（μA量級(jí)）的機(jī)型有350D、NV6200A、NV1080，而大束流（mA量級(jí)）的機(jī)型有NV10160、NV10160SD、NV10180。在前者中，由于該技術(shù)的應(yīng)用，產(chǎn)生了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。由此可解得不被偏轉(zhuǎn)的離子的荷質(zhì)比為 對(duì)于某種荷質(zhì)比為的所需離子，可通過調(diào)節(jié)偏轉(zhuǎn)電壓或偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng) B ，使之滿足下式，就可使這種離子不被偏轉(zhuǎn)而通過光闌: 當(dāng)荷質(zhì)比為的離子不被偏轉(zhuǎn)時(shí)，具有荷質(zhì)比為的其它離子的偏轉(zhuǎn)量為:將前面的B的表達(dá)式:代入，得:討論(1) 為屏蔽荷質(zhì)比為的離子，光闌半徑D必須滿足:(2) 若 D 固定，則具有下列荷質(zhì)比的離子可被屏蔽:而滿足下列荷質(zhì)比的離子均可通過光闌:以上各式可用于評(píng)價(jià)質(zhì)量分析器的分辨本領(lǐng)。本文進(jìn)分析質(zhì)量分析器。當(dāng)E2 增大到使電場(chǎng)超過液態(tài)金屬的場(chǎng)蒸發(fā)值（ Ga 的場(chǎng)蒸發(fā)值為 ）時(shí)，液態(tài)金屬在圓錐頂處產(chǎn)生場(chǎng)蒸發(fā)與場(chǎng)電離，發(fā)射金屬離子與電子。 液態(tài)金屬離子源是近幾年發(fā)展起來的一種高亮度小束斑的離子源，其離子束經(jīng)離子光學(xué)系統(tǒng)聚焦后，可形成 納米量級(jí)的小束斑離子束，從而使得聚焦離子束技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)。 離子源根據(jù)離子源的類型分類，可以將其分為兩類：等離子體型離子源、液態(tài)金屬離子源（LMIS）。④中性束偏移器： 利用偏移電極和偏移角度分離中性原子。常用的雜質(zhì)源氣體有 BF As
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