常見(jiàn)硬件工程師筆試題(卷標(biāo)準(zhǔn)答案解析-wenkub.com
2025-06-24 15:24 本頁(yè)面
【正文】 閱讀和學(xué)習(xí)是一種非常好的習(xí)慣，堅(jiān)持下去，讓我們共同進(jìn)步。 計(jì)算公式：Vout=Vin(Rf/Rin)。普通晶體管是電流控制元件，通過(guò)控制基極電流達(dá)到控制集電極電流或發(fā)射極電流的目的，到信號(hào)源必須提供一定的電流才能工作。 放大區(qū)：Ie=Ic+Ib=(B+1)Ib 達(dá)林頓管：把兩個(gè)三極管連在一起，工作電流更大，放大倍數(shù)B更大（2B）等效晶體管電路。 放大區(qū)電流增益：Ic=B*Ib，B是電流增益，典型值10500，Ic最大為80600mA。磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率，等效于電阻和電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都隨頻率變化。當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，存儲(chǔ)在mos管的能量疊加到5V電源（達(dá)到升壓的效果）。1數(shù)字電路和模擬電路區(qū)別 數(shù)字電路只關(guān)心高低電平，模擬電路是連續(xù)變化的模擬量，表現(xiàn)形式為電壓和電流的連續(xù)波動(dòng)二、常用的元器件：電阻resistance：固定電阻（色環(huán)電阻/貼片電阻）、熱敏電阻、光敏電阻、數(shù)字可調(diào)電阻 基本作用：限制電流和調(diào)節(jié)電壓；電容capacitance：陶瓷電容、鋁電解電容、薄膜電容、紙介電容、云母電容 基本作用：存儲(chǔ)能量（以電場(chǎng)方式）和隔直通交（濾波/旁路）； 容抗和電容成反比，和頻率也成反比。包括boost（升壓）、buck（降壓）、Boost/buck（升/降壓）和反相結(jié)構(gòu)，具有高效率、高輸出電流、低靜態(tài)電流等特點(diǎn)，隨著集成度的提高，許多新型DCDC轉(zhuǎn)換器的外圍電路僅需電感和濾波電容；但該類電源控制器的輸出紋波和開(kāi)關(guān)噪聲較大、成本相對(duì)較高。輸出紋波小，外圍元器件少。開(kāi)漏輸出可以將多個(gè)輸出短接，共用一個(gè)上拉，此時(shí)這些開(kāi)漏輸出的驅(qū)動(dòng)PIN_A、PIN_B、PIN_C“與”的關(guān)系。 所有的信號(hào)在總線上都是以串行異步傳輸（廣播）的形式進(jìn)行傳播，也就是說(shuō)在任何時(shí)候，所有的總線設(shè)備總是同時(shí)接收到總線上的信息，只要總線上不再傳輸信息時(shí)，總線設(shè)備即可獨(dú)立決定將報(bào)文發(fā)送到總線上。 總線框架：A、 總線—區(qū)域總線(15條)—主干道(15條)—總線設(shè)備(64個(gè)) B、 15*15*64=14400個(gè)設(shè)備C、 三種結(jié)構(gòu)：線形、樹(shù)形、和星形D、 KNX總線協(xié)議遵循OSI模型協(xié)議規(guī)范，并進(jìn)行了合理的簡(jiǎn)化。（顯性電平比隱性電平更強(qiáng)）隱性（邏輯‘1’）： H=，L=，HL=0V顯示（邏輯‘0’）： H=，L=，HL=2V共同點(diǎn)：CAN_BUS空閑狀態(tài)為隱性狀態(tài)，相當(dāng)于串口通信（232/485）的停止位‘1’；當(dāng)準(zhǔn)備發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)，CAN_BUS的狀態(tài)由隱性變成顯性，相當(dāng)于串口通信（232/485）的起始位
規(guī)章制度相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1