集成電路分析與設(shè)計課程設(shè)計-wenkub.com
2025-06-22 03:11 本頁面
【正文】 在設(shè)計的過程中遇到了很多困難，都通過自己的細(xì)心和耐心最終解決了困難。后期的LVS檢測是一個最重要的，也是最為辛苦的部分。如下面列出了（.log）的內(nèi)容：GDSII Export...TDB File: F:\bantu\total2\GDSII File: F:\bantu\total2\Option Settings:Do not export hidden objects: ONOverwrite data type on export: ONCalculate MOSIS checksum: OFFCheck for selfintersecting polygons and wires: OFFWrite XRefCells as links: OFFPreserve case of cell names: ONRestrict cell names to 32 characters.All cells are being exportedUse custom GDSII units: 1 database unit = microns, 1 database unit = user units.Fracture polygons: OFFManufacturing grid for circle and curve approximation: LambdaAll ports with port boxes will be converted to point portsChecking XRef Cell links ...Checking GDSII Numbers ...Checking for Hidden Layers and Objects ...Warning 14: Found Port(s) in cell Cell0 on layer ntran with no GDSII Number. (Action: Ignored these objects) Warning 14: Found Port(s) in cell Cell0 on layer ptran with no GDSII Number. (Action: Ignored these objects) Writing actual GDSII data ...Completed writing actual GDSII data ...Summary:Export pleted 0 error(s), 2 warning(s)Elapsed Time: seconds八、心得體會 這次課程設(shè)計比較復(fù)雜，既需要理論分析計算，又需要原理圖和版圖設(shè)計，是一個比較綜合性的集成電路課程設(shè)計。設(shè)置完后按下進(jìn)行匹配。如果匹配，表明版圖的連接及版圖中各管子的生成是正確的。 瞬態(tài)分析從瞬態(tài)分析波形圖中可以看出TpLH= tpHL= tr= tf=所以 tpd,total=25ns所以器件延遲時間和延遲估計相近，且滿足設(shè)計要求。為了計算出功耗，在兩個電源支路分別加入一個零值電壓源VI1和VI2，電壓值為零（如圖12所示），在模擬時進(jìn)行直流掃描分析，然后就可得出功耗。按下列公式計算瞬態(tài)功耗。在X點之前的電路，由于A0，A1，Cs均為輸入級，雖然A0、A1比Cs少一個反相器，作為工程估算，可以認(rèn)為三個輸入級是相同的，于是，估算功耗時對X點這前的部分只要計算Cs這一個支路，最后將結(jié)果乘以3倍就可以了。 各級N管和P管的尺寸匯總輸出級 N管輸出級 P管=48內(nèi)部基本反相器內(nèi)部基本反相器內(nèi)部邏輯門MOS輸入級提拉管P2（W/L）P2 ==1輸入級P1管輸入級N1管=31輸入緩沖級輸出緩沖級五、功耗與延遲估算在估算延時、功耗時，從輸入到輸出選出一條級數(shù)最多的去路進(jìn)行估算。二極管的有效面積可取500μm2，或用Shockley方程計算。該電場強(qiáng)度如果超過柵氧化層的擊穿極限，則將發(fā)生柵擊
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