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正文內(nèi)容

計算機內(nèi)部存儲器ppt課件-wenkub.com

2025-04-30 07:08 本頁面
   

【正文】 首先使用殺病毒軟件清除內(nèi)存中的病毒程序 , 同時也可以運行 “ 系統(tǒng)配置實用程序 ” ( ) 將不必要啟動的程序刪除掉 。 2. 確實是內(nèi)存容量不足引起的 , 現(xiàn)在的計算機最好安裝 128M以上的內(nèi)存 。 4. 內(nèi)存條安裝與配置 在安裝內(nèi)存或添加內(nèi)存條時 , 要注意內(nèi)存條類型的匹配 , 如不一致會引起死機等故障 。 經(jīng)過精心選擇必備的自動駐留內(nèi)存的程序 , 可以節(jié)約很多內(nèi)存空間 , 同時也可以提高系統(tǒng)的啟動速度 。 另外從 “ 軟件環(huán)境 ” 列表項中可以看到多項和內(nèi)存使用有關的項目 , 如系統(tǒng)開機啟動的程序 、 加載的 32位模塊 , 即設備驅(qū)動程序等 。 將桌面上不需要的快捷方式可以刪除 , 更不要將文件直接放到桌面上 。 打開“ 文件夾選項 ” 窗口 , 在 “ 常規(guī) ” 標簽中選擇 “ 傳統(tǒng)風格 ” , 這樣系統(tǒng)的文件窗口樣式就統(tǒng)一變成了簡單Windows95窗口樣式了 。 ( 3) 減少內(nèi)存碎片 Windows系統(tǒng)在使用虛擬內(nèi)存過程中會不斷在物理內(nèi)存和虛擬內(nèi)存之間交換內(nèi)存頁 , 系統(tǒng)運行時間一長 , 內(nèi)存中的頁面碎片 , 即內(nèi)存碎片將會越來越多 , 這些內(nèi)存碎片如不能得到及時釋放的話 , 必然會造成系統(tǒng)運行速度的下降 。 第 4章 計算機內(nèi)部存儲器 23 如果你想將 Windows XP虛擬內(nèi)存的位置轉(zhuǎn)移到其它分區(qū)的話 , 可以進入 “ 控制面板 ” → “ 性能和維護 ” → “ 系統(tǒng) ” → “ 高級 ” → “ 性能選項 ” → “ 虛擬內(nèi)存 ” → “ 更改 ” , 即可對虛擬內(nèi)存進行設置 。 我們可以將虛擬內(nèi)存設置在一個專門用來存放臨時文件的相對空間較小的分區(qū) , 這樣一方面可以提高讀取數(shù)據(jù)的速度和效率 , 另一方面可以減少主分區(qū)上的文件碎片 , 當硬盤碎片整理時只需要對該分區(qū)單獨進行就可以了 , 節(jié)省硬盤碎片整理時間 。 當物理內(nèi)存不夠用時 , 為了能夠提供更多的內(nèi)存 ,Windows就將最近較少使用的內(nèi)存數(shù)據(jù)保存到硬盤一個虛擬內(nèi)存文件中 , 這個虛擬內(nèi)存文件就是我們平時所說的交換文件 , 即用硬盤空間來模擬物理內(nèi)存使用稱為虛擬內(nèi)存 。在開機啟動過程中 , 支持 SPD的 BIOS會自動讀取內(nèi)存SPD芯片中的信息 , 并按照 SPD內(nèi)的預設值來設置內(nèi)存的存取時間等參數(shù) 。 一般來說 , 使用 Windows98 操作系統(tǒng)時 , 可安裝 64M內(nèi)存 , 使用 Win2022 操作系統(tǒng)時 , 可安裝 128M內(nèi)存 , 使用 WinXP 操作系統(tǒng)時 , 可安裝 256M內(nèi)存 。 5.內(nèi)存容量。 1.內(nèi)存的品牌。 RDRAM內(nèi)存的缺點主要是生產(chǎn)成本較高,影響了RDRAM內(nèi)存的使用和普及。只是在以往沒有使用的中間部分增加了針腳。內(nèi)存續(xù)連器又稱 Rambus連接卡或 Rambus終結器。 Rambus內(nèi)存使用了銅線連接內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊, 并且通過減少銅線數(shù)量和長度 , 降低電磁干擾 , 大幅度提高內(nèi)存的工作頻率 。這樣,一個傳輸周期的實際數(shù)據(jù)傳輸量只有32位或 64位。如 DDR400、DDR53 DDR800等。 第 4章 計算機內(nèi)部存儲器 12 DDR SDRAM內(nèi)存條有 184針( pin),工作電壓也由原來的 SDRAM的 。 第 4章 計算機內(nèi)部存儲器 11 目前 DDR內(nèi)存規(guī)格主要有: DDR200( PC1600)、和 DDR266( PC2100)、 DDR333( PC2700)、 DDR400( PC3200)等。 DDR的意思就是雙倍數(shù)據(jù)傳輸率 ( Double Data Rate) , DDR SDRAM就是雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的 SDRAM, 或者說 DDR內(nèi)存是更先進的 SDRAM內(nèi)存 。 曾經(jīng)是計算機系統(tǒng)中普遍使用的內(nèi)存條 , 見圖 43所示 。 這種類型接口的內(nèi)存條兩邊都有引腳 。 第 4章 計算機內(nèi)部存儲器 8 內(nèi)存引腳與接口 內(nèi)存條下面的引腳是內(nèi)存和外部進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌?。 內(nèi)存顆粒 內(nèi)存顆粒是內(nèi)存條的核心 。 列地址控制器的延遲時間 CAS Latency參數(shù) , 簡稱 CL參數(shù)是當一個讀命令發(fā)出后至數(shù)據(jù)發(fā)送至
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