輸入輸出系統(tǒng)設備課件-資料下載頁
2025-02-27 06:54本頁面
【正文】 對于這些調(diào)度算法的優(yōu)劣比較： 1。先來先服務（ FIFS）：算法簡單，但效率差。 2。最短尋找時間優(yōu)先調(diào)度算法：效率比較高，但會出現(xiàn)有的 請求很長時間得不到響應。 3。單向掃描調(diào)度算法：效率比較高，但有一個空行程。 4。電梯調(diào)度算法：是一個比較合理、優(yōu)化的算法。 5. NStepSCAN和 FSCAN：防止磁臂粘著。 在多道程序設計系統(tǒng)中，在等待訪問磁盤的若干請求訪問者中， 有些請求訪問者可能要求訪問的柱面號相同，但各自要求訪問 同一柱面上的不同磁道，或訪問同一柱面同一磁道上的不同扇區(qū)。 所以，在進行移臂調(diào)度時，按照某種算法把移動臂定位到某個 柱面后， 應讓等待訪問這個柱面的各個訪問者的輸入輸出操作 都完成后再改變移動臂的位置。 （二）旋轉調(diào)度 ? 當移動臂定位后，有多個訪問者等待訪問該柱面時，應怎樣決定這些等待訪問者的執(zhí)行次序？從減少輸入輸出操作總時間為目標考慮，顯然應該優(yōu)先選擇延遲時間最短的訪問者去執(zhí)行。 ? 根據(jù)延遲時間來決定執(zhí)行次序的調(diào)度稱為 “ 旋轉調(diào)度 ” 。 ? 進行旋轉調(diào)度時應分析下列情況： ? （ 1）若干等待訪問者請求訪問同一磁道上的不同扇區(qū)。 ? （ 2）若干等待訪問者請求訪問不同磁道上的不同編號的扇區(qū)。 ? （ 3）若干等待訪問者請求訪問不同磁道上具有相同編號的扇區(qū)。 三、磁盤高速緩存 ? 利用內(nèi)存中的存儲空間來暫存從磁盤中讀出的盤塊中的信息。 四、提高磁盤 I/O速度的方法 ? 提前讀 ? 延遲寫 ? 優(yōu)化物理塊的分布 ? 虛擬盤 五、廉價磁盤冗余陣列 ? RAID分級 ? 并行交叉存取 ? 磁盤鏡像 ? 3級，并行傳輸?shù)拇疟P陣列， 1個奇偶校驗盤 ? RAID優(yōu)點 六 傳統(tǒng)機械硬盤和 SSD IBM305 RAMAC機械硬盤 SSD硬盤 SSD硬盤對比機械硬盤 SSD硬盤結構 ? 固態(tài)硬盤內(nèi)主體其實就是一塊 PCB板，而這塊 PCB板上最基本的配件就是控制芯片，緩存芯片（部分低端硬盤無緩存芯片）和用于存儲數(shù)據(jù)的閃存芯片。 ? 主控芯片 主控芯片是固態(tài)硬盤的大腦，其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個閃存芯片上的負荷，二則是承擔了整個數(shù)據(jù)中轉，連接閃存芯片和外部 SATA接口。 ? 緩存芯片 固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤一樣需要高速的緩存芯片輔助主控芯片進行數(shù)據(jù)處理 ? 閃存芯片 大部分位置都是 NAND Flash閃存芯片了。NAND Flash閃存芯片又分為 SLC（單層單元） MLC（多層單元）以及 TLC（三層單元 )NAND閃存。 ? 根據(jù) NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、 MLC（雙層存儲單元）以及 TLC(三層存儲單元 ) ? SLC（單層式存儲）， 單層電子結構，寫入數(shù)據(jù)時電壓變化區(qū)間小，壽命長，讀寫次數(shù)在 10萬次以上，造價高，多用于企業(yè)級高端產(chǎn)品。 ? MLC（多層式存儲）， 使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，多用民用高端產(chǎn)品，讀寫次數(shù)在5000左右。 ? TLC（三層式存儲）， 是 MLC閃存延伸， TLC達到 3bit/cell。存儲密度最高，容量是 MLC的 。 造價成本最低， 使命壽命低，讀寫次數(shù)在 1000~2023左右，是當下主流廠商首選閃存顆粒。 SSD硬盤優(yōu)勢 ? 讀寫速度快： 尋道時間幾乎為 0，持續(xù)讀寫速度，隨機讀寫速度。 ? 防震抗摔性好。 ? 低功耗 ? 無噪音 ? 工作溫度范圍大： 10~70 ? 輕便 SSD硬盤缺點 ? 容量 ? 壽命限制：閃存完全擦寫一次 1P/壽命約為 3000~5000次 P/E。 ? 售價高 ? 可恢復性差 ? 使用注意：不要用碎片整理；小分區(qū)，少分區(qū)；保留足夠剩余空間；及時刷新固件；學會使用恢復指令。 SSD硬盤對比機械硬盤 固態(tài)硬盤與普通硬盤的區(qū)別表 小結 演講完畢，謝謝觀看！
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