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3-4-帶電粒子在磁場-資料下載頁

2025-08-04 08:32本頁面
  

【正文】 bdqnv SI ??1MNBIV V v B bnq d? ? ? nqR H 1?? 測量 載流子 的類型和數密度; ? 測量磁場 。 ? 霍耳元件: 利用 半導體 霍耳效應 制成的器件。 霍耳系數 RH 與材料性質 (n, q)有關。 n半導體 n金屬 且容易受溫度、雜質的影響, 霍耳效應 是研究 半導體電性質 的 重要方法 之一。 dBIRVVHNM ??NM VV ?I 量子 霍耳效應 1980年 德國 物理學家 克立欽 在 低溫 ()和 強磁場 (19T)條件下,發(fā)現 霍耳電勢差 與電流的關系是臺階式的非線性關系 。 ? 1986年 克立欽 因 量子霍耳效應 的發(fā)現獲 諾貝爾獎金
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