封裝體疊層poppackageonpackage資料技術(shù)-資料下載頁
2025-07-13 22:31本頁面
【正文】 節(jié)距所需的更小封裝間距， mm， mm。對于這么薄的裸片倒裝芯片器件，如何操作和測試都將是棘手的問題。然而，裸片倒裝芯片PoP對應(yīng)著最低的組裝成本。 mm PoP接口節(jié)距的關(guān)注熱點在于選擇激光通孔的類型。一般認為，通過開發(fā)和使用倒裝芯片模塑底部填充（MUF）以及其他低成本倒裝芯片方法，可以降低這種封裝的總體成本。_% w1 u8 ]+ RC, Q1 W未來的PoP2 W, s: r( t( v對于小而薄PoP解決方案的需求將會繼續(xù)，預(yù)計PoP將會在目前市場份額的基礎(chǔ)上在其他低成本手機和其他消費設(shè)備中得以應(yīng)用。為滿足這些需求，正在開發(fā)使用更小PoP互連節(jié)距的更薄PoP解決方案（圖4）。使用與硅器件本身性質(zhì)更加匹配的材料以降低翹曲變形，這種更薄的高密度襯底技術(shù)也在評估過程中。甚至使用包含穿透硅通孔（TSV）的硅基襯底方案以實現(xiàn)超薄PoP疊層也在考慮范圍內(nèi)。TSV可以實現(xiàn)高密度薄型存儲器疊層，在不遠的將會有可能會在頂層PoP存儲器疊層中得以使用。目前已經(jīng)開發(fā)出扇入型PoP技術(shù)，實現(xiàn)高密度小節(jié)距封裝間互連（ mm的頂層封裝節(jié)距）。, p* {. A6 C3 O6 V4 B圖4. 未來的PoP解決方案將會實現(xiàn)更高互連密度、更薄體積的疊層。下一代三維扇出型圓片級封裝（FOWLP）技術(shù)，也就是被廣泛稱作嵌入性圓片級BGA（eELB）的封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)超薄PoP模塊，正受到越來越多的關(guān)注。這種eWLB封裝，在封裝的雙面使用再布線層，并使用通孔穿透封裝邊緣處塑料扇出區(qū)域， mm的封裝體厚度，在封裝體內(nèi)可以并排放置多個芯片， mm的高密度封裝接口， mm的封裝間隙。使用這種技術(shù)， mm、尺寸小于12 12 mm的封裝體積。
法律信息相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1