【正文】 Mg(NO3)2 作為基體改進劑。 鋇（Ba）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）4進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：由于在Ba的測試過程中石墨管升溫過程中所發(fā)出的光會產(chǎn)生強烈的光譜干擾，因而會出現(xiàn)“負峰”現(xiàn)象。這時應采用較窄的狹縫和盡可能低的原子化溫度可降低負峰。鈹（Be）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）4進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3% Mg(NO3)2：升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：采用硝酸鎂也可采用Al、Fe作為基體改進劑，可明顯增加其靈敏度，增強其穩(wěn)定程度。Be彎曲點較低（）鎘（Cd）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：測樣時應背景校正；加入硝酸美和磷酸氫二銨基體改進劑，可提高灰化溫度。鈷（Co）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：分析樣品時可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進劑鉻（Cr）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：分析樣品時可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進劑銅（Cu）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序： ：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：分析樣品時可加入15ugpd+10ug Mg(NO3)2作為基體改進劑鐵（Fe）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：鈷、鎳、鋁、硅、鈦對測定鐵的影響較大，必須使用較窄的光譜帶寬；分析血清時蛋白質也會造成注意。硅的注意可用氟化銨或氫氟酸處理出去，或用硫酸冒煙使硅脫水除去，也可采用加氯化鈣來抑制。加EDTA可掩蔽鈷對鐵的注意。鎢高時，可在酸性介質中加入酒石酸絡合鎢以消除注意。必須注意分析試劑、器皿及室內(nèi)環(huán)境造成的污染。溶液應保持一定酸度。銦（In）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：分析樣品時可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進劑錳（Mn）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：分析樣品時可加入50ug Mg(NO3)2作為基體改進劑鉬（Mo）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% NO3：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：在石墨爐分析中，由于Mo與C形成難解離的碳化鉬而產(chǎn)生嚴重的“記憶效應”，應隨時采用“空燒”以減少記憶效應。鎳（Ni）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：鉛（Pb）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：基體對于灰化溫度和原子化溫度會有較大影響。在選擇灰化溫度的時候應反復實驗以選擇最適合灰化溫度。加入硝酸美和磷酸氫二銨等基體改進劑，可提高灰化溫度，測樣時應加入氘燈背景校正。 鈀（Pd）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3標準曲線： 升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：鉑（Pt）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：銠（Rh）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：鍶（Sr）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）4進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序 ：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：Sr有記憶效應，適當采用空燒對可提高測試相對標準偏差。鈦（Ti）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）6進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：在分析樣品前，石墨管應反復空燒凈化。升溫程序中的凈化步驟對于去除記憶效應也很有重要。測試過程中在對樣品濃度較高的樣品分析時，盡量增加空燒次數(shù)，以降低記憶效應影響。鉈（Tl）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）3進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：分析樣品時可加入15ugPd+10ug Mg(NO3)2作為基體改進劑釩（V）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）6進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：在分析樣品前，石墨管應反復空燒凈化。升溫程序中的凈化步驟對于去除記憶效應也很有重要。鐿（Yb）：波長（nm）光譜帶寬（nm）燈電流（mA）濾波系數(shù)積分時間（秒）4進樣體積（μL）溶液酸度（V/V）基體改進劑石墨管（涂層）10% HNO3：升溫程序：：線性相關系數(shù)特征量（pg）檢出限（pg）相對標準偏差 （%）：地址：北京市海淀區(qū)中關村南大街甲8號 威地科技大廈郵編：100081電話：01062133636傳真：62121167網(wǎng)址：Email：servic