快速熱處理ppt課件-資料下載頁
2025-05-04 22:38本頁面
【正文】 B，尾部的增強擴散明顯。 B和 BF2注入后經過 1000℃ 、 30秒退火后的化學雜質剖面分布和具有電活性的雜質剖面分布之間的差別 GaAs 的 RTP GaAs材料的 RTP過程中，會發(fā)生材料的熱分解 As的外擴散。材料表面通常用 PECVD方法沉積 SiOXN1X 對它包封。可以使它承受 800900176。 C的高溫。缺點是，退火后，覆蓋層可能較難去除，也會由于熱膨脹系數的差別而使覆蓋層在 GaAs內形成滑移。 用石墨完全封閉的退火，可以防止 GaAs在 RTP退火中的分解。而且，可以提高表面質量，防止顆粒沾污。 通常，還用在待退火的圓片表面壓放另一片 GaAs片的方法來阻止 As的外擴散，而不用另外加覆蓋層。 石墨退火盒 介質的快速熱加工 速熱氧化 通常利用 RTP可以實現僅百埃的超薄氧化物的生長，在反應腔內通入不同氣體，還可完成氮化等加強工藝。 快速熱氧化工藝中一個典型的氧化層厚度與時間的關系圖 3. 熱圓片 /冷壁工藝 當反應腔外壁充分冷卻，可形成熱圓片 /冷壁狀態(tài)，不會造成工藝沾污，可以連續(xù)從事氧化、退火、沉積等多種工藝，也可生長多層膜 4. 硅化物及其熱接觸的形成 在硅上完成金屬沉積后，用 RTP工藝可快速形成金屬硅化物，實現其良好的接觸。(如 ,TiSi2,CoSi2) 5. 完成硅化物做擴散源（ SADS）淺結工藝 雜質先注入硅化物，再用 RTA工藝達到雜質擴散，形成淺結。 例如用先沉積 Ti，再在 N2中形成 TiN或先沉積TiN，在 N2中 RTA，使 N填充晶粒界面，阻止沿晶界的擴散。 其他快速熱處理系統 ? RTP主要問題之一是 熱均勻性 問題。 ?新開發(fā)的 RTP系統采用了 非傳統的反應腔 或 加熱裝置 ，以提高 RTP的熱均勻性，拓展 RTP工藝在小批量系統中的優(yōu)勢。 Page 36 包含熱壁的新型 RTP設備 ?腔壁用碳化硅制作； ?腔壁溫度比圓片溫度高出幾百度； ?反應腔下半部一直保持冷卻狀態(tài)； ?圓片在反應腔中被快速加熱（加熱速度由圓片升降裝置的運動速度來控制）； ?可以加工尺寸非常大的圓片，且不會造成圓片的翹曲或滑移。 微區(qū)加熱 RTP設備 蜂窩狀光源 把圓片放在爐管中石英架上，用一組高強度的白熾燈來加熱圓片。 小結 ? RTP工藝的開發(fā)實現了短時高溫的注入后退火； ? RTP存在的問題包括溫度測量和圓片的熱均勻性； ?圓片中過大的溫度梯度產生了熱塑應力，可能造成圓片翹曲和 / 或滑移； ? RTP工藝已經擴展到硅化物和阻擋層金屬的形成、熱氧化、化學氣相沉積和外延生長等工藝。 Page 39
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