igbt模塊驅(qū)動及保護(hù)技術(shù)-資料下載頁
2025-01-15 16:58本頁面
【正文】 圖 7是三種放電阻止型吸收電路。放電阻止型緩沖電路中吸收電容 Cs的放電電壓為電源電壓， 每次關(guān)斷前， Cs僅將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在 IGBT關(guān)斷時從電源電壓開始上升，它的過電壓吸收能力不如 RCD型充放電型。 (a)LC型 (b)RLCD型 (c)RLCD型 圖 7三 種 放 電 阻 止 型 吸 收 電 路 從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型吸收效果稍差，但能量損耗較小。 對緩沖吸收電路的要求是： 1） 盡量減小主電路的布線電感 La； 2） 吸收電容應(yīng)采用低感吸收電容，它的引線應(yīng)盡量短，最好直接接在 IGBT的端子上； 3） 吸收二極管應(yīng)選用快開通和快軟恢復(fù)二極管，以免產(chǎn)生開通過電壓和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過電壓。 結(jié)語 本文對 IGBT的驅(qū)動和保護(hù)技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析，得出了設(shè)計(jì)時應(yīng)注意幾點(diǎn)事項(xiàng)： —— IGBT由于有集電極－柵極寄生電容的密勒效應(yīng)影響，能引起意外的 電壓尖峰損害，所以設(shè)計(jì)時應(yīng)讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負(fù)面影響。 —— 柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對 IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很大影響。所以設(shè)計(jì)時應(yīng)綜合考慮。 —— 應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的 dv/dt和uce的峰值，達(dá)到短路保護(hù)的目的。 —— 在工作電流較大的情況下，為了減小關(guān)斷過電壓，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容器應(yīng)采用低感型。 參考文獻(xiàn) [1] Trivedi M.,John V.,Lipo .,Shenai K..Internal dynamics of IGBT under fault current limiting gate control[C].Industry Applications Conference 2022. Conference Record of the 2022 IEEE, 2022,5:2903－ 2908. [2] Du H.,Enslin, resonant turnoff snubber for high power IGBT converters[C]. Industrial Electronics, 1998,Proceedings ISIE′ International Symposium on,1998,2:519－ 523. [3] 王志良 .電力電子新器件及其應(yīng)用技術(shù) [M].北京 :國防工業(yè)出版社 ,1995. [4] 李愛文 ,張承慧 .現(xiàn)代逆變技術(shù)及其應(yīng)用 [M].北京 :科學(xué)出版社 ,2022. [5] 丁浩華 .帶電流和短路保護(hù)的 IGBT驅(qū)動電路研究 [J].電力電子技術(shù)[J],1997,31(1). 作者簡介 蔣懷剛 (1975－ )，男，碩士研究生，主 要研究方向?yàn)槟孀冸娫醇半娏﹄娮蛹夹g(shù)。 李喬 (1977－ )，女，碩士研究生，主要研究方向?yàn)殡娫醇半娏﹄娮蛹夹g(shù) 何志偉 (1954－ )，男，教授，主要研究方向?yàn)楦哳l開關(guān)電源及電力電子技術(shù)。
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