畢業(yè)設(shè)計(jì)顏小兵ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-01 23:55本頁(yè)面
【正文】 分； 2. 按比例分別稱取一定量的 ODA、 PMDA及AlN顆粒（納米顆粒百分含量 =納米顆粒質(zhì)量 /（納米顆粒質(zhì)量 +PMDA+ODA）），將稱量好的 ODA放入到三口燒瓶中，稱取 DMAc溶劑放入到盛有 ODA粉末的三口燒瓶中，封口后電動(dòng)攪拌 20min； 3. 將稱量好的 AlN顆粒加入 ODA溶液中，超聲震蕩 6h，打散團(tuán)聚的 AlN顆粒，并使其在溶劑中分散的充分均勻； 4. 將三口燒瓶取出使用電動(dòng)攪拌機(jī)攪拌混合溶液 30min， AlN顆粒在混合溶劑中進(jìn)一步分散，并降低混合溶劑的溫度； 5. 在攪拌的過(guò)程中將烘干并稱量好的PMDA粉末分多次加入到混合溶液中，每次加入時(shí)間間隔以上次 PMDA粉末完全溶解時(shí)間為準(zhǔn)；當(dāng) ODA與 PMDA比例為 1:時(shí)， PMDA粉末加入完畢，溶液粘度增加出現(xiàn)爬桿現(xiàn)象，得到 PAA混合溶液，之后繼續(xù)攪拌 2h，確?；旌先芤撼浞址磻?yīng)； 6. 用膠塞將三口燒瓶封口靜止 2h，之后抽真空去除氣泡； 7. 將制得的 PAA混合溶液取出少量，在干凈的玻璃板上采用涂膜機(jī)鋪成厚度均勻的薄膜；然后將涂有 PAA混合溶液的玻璃板放入真空箱中靜置 20min； 8. 將靜置后的薄膜放入烘箱中，進(jìn)行聚酰胺酸熱亞胺化反應(yīng)，升溫過(guò)程為：80℃ 12h ， 120℃ 1h ， 150℃ 1h ， 200℃ 40min， 230℃ 30min ， 260℃ 30min ，300℃ 30min ， 330℃ 30min ， 360℃ 2h； 9. 亞胺化完成后，關(guān)閉烘箱，待烘箱溫度降至 50℃ 以下，將玻璃板取出，在去離子水中脫膜，將得到的薄膜在烘箱中120℃ 8h ，去除表面殘留電荷和水分。 通過(guò)以上工藝過(guò)程，制備不同厚度的普通 PI薄膜，厚度分別為 20181。m、 30181。m、40181。m、 50181。m、 60181。m、 70181。m；并制備薄膜厚度為 30181。m的 PI/%、 PI/AlN%、 PI/AlN1%、 PI/AlN3%、 PI/AlN5%、 PI/AlN10%、 PI/AlN20%納米復(fù)合薄膜。 后期工作計(jì)劃 一、體積電阻率測(cè)試 二、交流擊穿場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試 三、介電譜測(cè)試 四、等溫衰減電流測(cè)試 五、前期實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)整理 六、正式論文的書(shū)寫(xiě)整理
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