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正文內(nèi)容

戴蓓倩電子線路-9(編輯修改稿)

2025-01-20 11:27 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 參數(shù)計算 幾種常見的硅整流橋外形:+ A C ~+~ ~+ ~ 三 、 倍壓整流電路1 二倍壓整流電路 u2的正半周時: D1導(dǎo)通, D2截止,理想情況下,電容 C1的電壓充到:u2的負(fù)半周時: D2導(dǎo)通, D1截止,理想情況下,電容 C2的電壓充到:負(fù)載上的電壓:+–u1 u2+–D1C2C1D2uoRL + –2 多倍壓整流電路+ –u2的第一個正半周: u C D1構(gòu)成回路, C1充電到:u2的第一個負(fù)半周: u C D2 、 C1構(gòu)成回路,C2充電到:C1u1 u2D1 D2D3D4D5D6C3 C5C2 C4 C6 + – + – + –+ – + – + –C1u1 u2D1 D2D3D4D5D6C3 C5C2 C4 C6u2的第二個正半周: u C C3 、 D3 、 C2構(gòu)成回路, C1補(bǔ)充電荷, C3充電到:u2的第二個負(fù)半周: u C C D
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