12納米硅薄膜的特殊性能及應(yīng)用(南京會議20xx1119--何宇亮)(編輯修改稿)
2025-08-18 20:57 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 對太陽能光譜的吸收能力遠(yuǎn)大于 CSi和 αSi:H，是研制電池的好材料 P n 摻硼 本征 摻磷 二、納米硅薄膜的特殊性能 光能隙可控性 納米硅薄膜隨著結(jié)構(gòu)的變化（ Xc,d）它的光能隙 Eopt在 動?？梢愿鶕?jù)器件設(shè)計(jì)的需要，通過人為選擇工藝參數(shù)調(diào)整 Eopt的大小。幾年前我們提出的可變能隙太陽能電池就是利用了上述原理。 二、納米硅薄膜的特殊性能 量子輸運(yùn)特性 大量實(shí)驗(yàn)及理論研究證實(shí)：納米硅薄膜材料中大量細(xì)小晶粒是量子點(diǎn)（ ）功能。納米硅薄膜是由大量無序排列著的量子點(diǎn)構(gòu)成的 納米硅薄膜的一系列重要的物理和輸運(yùn)特性必須用量子力學(xué)觀點(diǎn)認(rèn)識 （ a）薄膜光熱穩(wěn)定性好，電導(dǎo)率隨溫度變化很微弱 （ b）具有高遷移率，電子輸運(yùn)過程快 （ c） PN結(jié)漏電流小，噪聲系數(shù)小 （ d） PN結(jié)界面處存在二維電子氣現(xiàn)象 二、納米硅薄膜的特殊性能 二、納米硅薄膜的特殊性能 薄膜存在多重激子激發(fā)過程 光吸收譜說明，不論非晶硅或者納米硅薄膜對太陽光譜中的高能端具有很強(qiáng)的吸收。高能量光子激發(fā)出一對對應(yīng)于其 Eopt電子空穴對，多余能量將以熱形式釋放掉。設(shè)想將多余能量進(jìn)一步激發(fā)出第二對，第三對電子空穴對把多
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