降壓斬波電路的設(shè)計(jì)(編輯修改稿)
2025-07-27 08:54 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】
柵極驅(qū)動(dòng)電壓脈沖的上升率和下降率要充分大。在IGBT導(dǎo)通后，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要具有足夠的幅度。柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗應(yīng)盡可能地低。柵極驅(qū)動(dòng)條件與IGBT的特性密切相關(guān)。設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，應(yīng)特別注意開通特性、 負(fù)載短路能力和引起的誤觸發(fā)等問題。 2） IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路主要有3種典型的電路（a） 阻尼濾波門極驅(qū)動(dòng)電路為了消除可能的振蕩現(xiàn)象，IGBT的柵射極間接上RC網(wǎng)絡(luò)組成阻尼濾波器且連線采用雙絞線。（b） 光耦合器門極驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路的輸出級(jí)采用互補(bǔ)電路的型式以降低驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻，同時(shí)加速IGBT的關(guān)斷過程。（c）脈沖變壓器直接驅(qū)動(dòng)IGBT的電路由于是電磁隔離方式，驅(qū)動(dòng)級(jí)不需要專門直流電源，簡(jiǎn)化了電源結(jié)構(gòu)。 在這里采用光耦合門極驅(qū)動(dòng)電路，如圖4 所示圖4 光耦合門極驅(qū)動(dòng)電路5 主電路的保護(hù)電路設(shè)計(jì)1） 過電壓保護(hù)所謂過電壓保護(hù)，即指流過IGBT兩端的電壓值超過IGBT在正常工作時(shí)所能承受的最大峰值電壓Um都稱為過電壓。產(chǎn)生過電壓的原因一般由靜電感應(yīng)、雷擊或突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起。其中，對(duì)雷擊產(chǎn)生的過電壓，需在變壓器的初級(jí)側(cè)接上避雷器，以保護(hù)變壓器本身的安全；而對(duì)突然切斷電感回路電流時(shí)電磁感應(yīng)所引起的過電壓，一般發(fā)生在交流側(cè)、直流側(cè)和器件上，因而，下面介紹直流斬波電路主電路的過電壓保護(hù)方法。其電路如圖5所示 圖 5 過電壓保護(hù)電路2） 過電流保護(hù) 所謂過電流保護(hù)，即指流過IGBT的電壓值超過IGBT在正常工作時(shí)所能承受的最大峰值Im都稱為過電流。這里采用圖6所示的電路 圖 6 過電流保護(hù)電路3） IGBT的保護(hù) (a) 靜電保護(hù)
IGBT的輸入級(jí)為MOSFET，所以IGBT也存在靜電擊穿的問題。防靜電保護(hù)極為必要。在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合，MOSFET容易靜電擊穿，造成柵源短路。采用以下方法進(jìn)行保護(hù)：應(yīng)存放在防靜電包裝袋、導(dǎo)電材料包裝袋或金屬容器中。取用器件時(shí)，應(yīng)拿器件管殼，而不要拿引線。工作臺(tái)和烙鐵都必須良好接地，焊接時(shí)電烙鐵功率應(yīng)不超過25W，最好使用12V～24V的低電壓烙鐵，且前端作為接地點(diǎn)，先焊柵極，后焊漏極與源極。在測(cè)試MOSFET時(shí)，測(cè)量?jī)x器和工作臺(tái)都必須良好接地，MOSFET的三個(gè)電極未全部接入測(cè)試
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