控制變形原理與應(yīng)用基礎(chǔ)(1)(編輯修改稿)
2024-11-15 19:21 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 物理機(jī)制概述 ? 如果兩分子層在時(shí)間 dt 內(nèi)滑動(dòng)的距離為 dx； ? 相應(yīng)的剪切變形為 d? ； ? 可以得到粘度的其它形式的表達(dá)式。 熱激活體系 歷史 ????????f1dxddtdxf???????????1第八章、塑性變形物理機(jī)制概述 ? 一個(gè)分子在力的方向上每秒鐘移動(dòng)的次數(shù)可表示反應(yīng)速度（頻率）； ? k1是沒有外力時(shí)移動(dòng)的絕對(duì)速度（頻率）； ? Kf 與 Kb 分別表示在力的作用方向和反方向上的移動(dòng)次數(shù) （頻率） ； 熱激活體系 歷史 作用在分子上的力 一次移動(dòng)作功最小的距離 ??????????????2k Tfe x pkk2k Tfe x pkk32bf??????－1211 ????????2k Tfe x pktf?????? 32132??f2?第八章、塑性變形物理機(jī)制概述 ? Kf － Kb層中每個(gè)分子的速度差即層速度差；由粘度定義式求出變形速度。 ? sinh項(xiàng)表明，當(dāng)剪切應(yīng)力增加時(shí)，粘滯性減?。粚?duì)于牛頓粘滯性流變， sinh項(xiàng)約為 1。 熱激活體系 歷史 ????????? 2k Tfs inhkkk 1bf ????? 322－?? ?????? f ???????2k TEe x pkk 0101－??????????????2 k Ts in hkTEe x pk2 31???????? 2001－第八章、塑性變形物理機(jī)制概述 ? 變形是由位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)引起的，因此受控制位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的過程控制。而這些過程總是可以用位錯(cuò)在外應(yīng)力、熱起伏或者二者同時(shí)作用下越過障礙來分析。 ? 如果變形只由一種過程控制，即只存在一種障礙，則變形速度可表示成 熱激活體系 —— 基本變形的頻率 —— 變形過程 中 的 一個(gè) 基本變形 位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的熱力學(xué)假設(shè) ??? Abm ??? ?? bVANm???bVA??第八章、塑性變形物理機(jī)制概述 ? 根據(jù)應(yīng)力的大小，存在兩種情況： ?小應(yīng)力情況下，相應(yīng)于位錯(cuò)可以回跳。位錯(cuò)越過障礙后停留在距離為 b的鄰近能谷里，直至獲得足夠的能量越過下一個(gè)障礙，由此△ A≈ lb, l越過障礙的自由位錯(cuò)的長(zhǎng)度。 ?外應(yīng)力很大，位錯(cuò)越過障礙后便遠(yuǎn)離之，因此位錯(cuò)不能回跳。位錯(cuò)越過障礙后位于不穩(wěn)定位置，在應(yīng)力作用下迅速移動(dòng)，直至抵達(dá)另一個(gè)相距為 L的障礙前面。由此△ A≈Ll ，與絕對(duì)反應(yīng)速度理論相一致。 熱激活體系 位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的熱力學(xué)假設(shè) 第八章、塑性變形物理機(jī)制概述 熱激活體系 位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的熱力學(xué)假設(shè) －小應(yīng)力情況 — 越過障礙的試探頻率 ? 小應(yīng)力情況下，相應(yīng)于位錯(cuò)可以回跳，如擴(kuò)散控制的位錯(cuò)攀移引起的變形或者由割階攀移控制的螺形位錯(cuò)開動(dòng)。 ? 當(dāng)應(yīng)力足夠小時(shí)， sinh項(xiàng)可以線性化。 ?????? ???????? kTAbs inhkT Qe x p ??? 00 －d y lT T1kkTQe x p ????????????? 00－??0?第八章、塑性變形物理機(jī)制概述 ? 外應(yīng)力很大，位錯(cuò)越過障礙后便遠(yuǎn)離之，因此位錯(cuò)不能回跳。相應(yīng)于熱激活越過林位錯(cuò)或局部障礙。 ? 位錯(cuò)
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