【正文】 m2/Vs；綠光波段量子阱發(fā)光內(nèi)量子效率50%；藍(lán)光波段內(nèi)量子效率90%；非/半極性面量子阱發(fā)光內(nèi)量子效率50%；核殼結(jié)構(gòu)量子阱Droop效應(yīng)2300 cm2/Vs；InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣室溫遷移率2200 cm2/Vs；掌握強(qiáng)電場下載流子輸運(yùn)和熱電子/熱聲子馳豫規(guī)律，掌握有效控制GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)表面/界面局域態(tài)的方法，明確影響和提升電子器件可靠性的物理機(jī)制。預(yù)期成果：打造全產(chǎn)業(yè)鏈SiC技術(shù)研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化基地，培養(yǎng)一批領(lǐng)軍型創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才，申請發(fā)明專利50項(xiàng)，發(fā)表論文25篇，帶動(dòng)行業(yè)新增產(chǎn)值150億元。實(shí)施年限：不超過4年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)有關(guān)說明：其他經(jīng)費(fèi)與中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)比例不低于2：1。開發(fā)顯示視覺健康測量儀器設(shè)備，建立顯示視覺健康的評(píng)價(jià)方法和測量規(guī)范。 量子點(diǎn)發(fā)光顯示關(guān)鍵材料與器件研究研究內(nèi)容：研究高光效低成本紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)材料及新一代無鎘量子點(diǎn)材料制備技術(shù)，研究高性能載流子注入傳輸材料制備技術(shù)，研究適合印刷工藝的量子點(diǎn)分散核心工藝和量子點(diǎn)INK體系，突破量子點(diǎn)INK的調(diào)控技術(shù)。實(shí)施年限：不超過5年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)有關(guān)說明：其他經(jīng)費(fèi)與中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)比例不低于2：1。 低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料及光探測器件研究研究內(nèi)容：開展Ⅲ—V化合物半導(dǎo)體多波段光電探測器材料與器件研究，包括高性能短波面陣探測器、雙色量子阱焦平面探測器、— 19 —銻化物中長波窄帶雙色紅外探測器、長波及甚長波銻化物探測器、APD焦平面成像探測器、碲鋅鎘探測器材料與面陣、多波長高速光探測器等核心器件的外延材料生長、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件工藝?？己酥笜?biāo)：超純銅銀合金Rm≥380 MPa、A≥6%、κ≥98% IACS，軟化溫度Tc≥300 ℃，氧含量≤5 ppm，絲箔材直徑/厚度≤90（177。本重點(diǎn)專項(xiàng)按照網(wǎng)絡(luò)與系統(tǒng)安全防護(hù)技術(shù)研究、開放融合環(huán)境下的數(shù)據(jù)安全保護(hù)理論與關(guān)鍵技術(shù)研究、網(wǎng)絡(luò)空間虛擬資產(chǎn)保護(hù)創(chuàng)新方法與關(guān)鍵技術(shù)研究等3個(gè)創(chuàng)新鏈(技術(shù)方向)，共部署7個(gè)重點(diǎn)研究任務(wù)?？己酥笜?biāo)： ，適應(yīng)衛(wèi)星及互聯(lián)網(wǎng)環(huán)境的數(shù)字電視條件接收系統(tǒng)研制，具備可證明的防盜播、防插播技術(shù)特性，單套系統(tǒng)支持4億以上用戶，終端開機(jī)密鑰初始化時(shí)間不大于30秒；，終端安全芯片和終端系統(tǒng)研制，相關(guān)系統(tǒng)及芯片獲得主管部門的產(chǎn)品證書；、密鑰傳輸和芯片序列化等； ；，完成至少8項(xiàng)軟件著作權(quán)，提交至少兩項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)草案。實(shí)施年限：不超過5年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)、快速篩選新方法與關(guān)鍵技術(shù)研究內(nèi)容：開展面向?qū)嶋H應(yīng)用的大尺寸、高密度材料陣列高通量制備新方法、關(guān)鍵技術(shù)和新裝備研究，闡明化學(xué)組分與結(jié)構(gòu)連續(xù)或準(zhǔn)連續(xù)分布薄膜或分立陣列高通量制備的科學(xué)原理，建立面向復(fù)雜體系材料高通量制備的成分與組織結(jié)構(gòu)控制方法，研發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大尺寸薄膜或分立陣列高通量制備新技術(shù)與新裝備，實(shí)現(xiàn)材料高通量可控制備和優(yōu)化篩選，在典型材料中開展驗(yàn)證性應(yīng)用。實(shí)施年限：不超過4年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng) 研究內(nèi)容：研究適用于可誘導(dǎo)組織再生的骨和軟骨修復(fù)材料及其服役環(huán)境的理論模型、計(jì)算方法和設(shè)計(jì)軟件，發(fā)展高通量制備、表征和評(píng)價(jià)技術(shù)；利用高通量計(jì)算和實(shí)驗(yàn)方法，研究材料誘導(dǎo)組織再生的分子機(jī)制和材料的成分—結(jié)構(gòu)—功能之間的構(gòu)效關(guān)系，建立生物材料計(jì)算設(shè)計(jì)可靠性的驗(yàn)證評(píng)價(jià)體系和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；構(gòu)建較為完備的骨和軟骨修復(fù)材料的結(jié)構(gòu)、性能和服役參數(shù)數(shù)據(jù)庫，研發(fā)高性能新型骨和軟骨誘導(dǎo)性材料及產(chǎn)品，應(yīng)用于臨床。每個(gè)項(xiàng)目設(shè)1名項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，項(xiàng)目下設(shè)課題數(shù)原則上不超過5個(gè)，每個(gè)課題設(shè)1名課題負(fù)責(zé)人，課題承擔(dān)單位原則上不超過5個(gè)。移動(dòng)設(shè)備管控的應(yīng)用部署不小于2家應(yīng)用單位，支持30款以上主流移動(dòng)終端；，終端加解密時(shí)延不大于8ms，示范終端數(shù)量不少800；。實(shí)施年限：不超過4年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)有關(guān)說明：其他經(jīng)費(fèi)與中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)比例不低于2：1。 高性能無源光電子材料與器件研究研究內(nèi)容：研究可調(diào)濾波器材料、高速調(diào)制器材料與器件的設(shè)計(jì)制作技術(shù)；研究與CMOS兼容的無源光電子材料和結(jié)構(gòu)，分析無源光電子材料生長與器件制作對(duì)集成電路芯片的影響，研制CMOS兼容的大耦合容差光柵耦合器、光交叉連接器。 低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料及其關(guān)鍵技術(shù) 低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料及光發(fā)射器件研究研究內(nèi)容：研究低維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的外延生長技術(shù)，研究高速直調(diào)可調(diào)諧激光器、無制冷高速直調(diào)激光器、中遠(yuǎn)紅外及THz半導(dǎo)體激光器、量子點(diǎn)激光器、微腔激光器的材料生長、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、能帶調(diào)控以及腔?？刂坪瓦x模機(jī)制；研究激光材料與器件失效機(jī)理，提高器件工作穩(wěn)定性及服役壽命。實(shí)施年限：不超過5年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng) 激光顯示整機(jī)研發(fā)及表征評(píng)估研究內(nèi)容：雙高清/大色域的整機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；高效能光源模組、驅(qū)動(dòng)及熱管理技術(shù)；實(shí)時(shí)白平衡控制及色溫調(diào)控技術(shù)；實(shí)用化消散斑及勻場照明技術(shù)與器件；高性能超短焦距鏡頭設(shè)計(jì)及相關(guān)材料與加工等關(guān)鍵技術(shù)；高性能光學(xué)微結(jié)構(gòu)投影屏幕材料設(shè)計(jì)與屏幕制備技術(shù)；激光顯示高畫質(zhì)圖像的顏色管理、帶寬壓縮及虛擬色彩等技術(shù)及軟硬件平臺(tái)；低壓驅(qū)動(dòng)快響應(yīng)液晶分子材料設(shè)計(jì)與制備技術(shù)研究；研制綜合性能表征測試平臺(tái)，在開展整機(jī)研制優(yōu)化的基礎(chǔ)上對(duì)激光顯示關(guān)鍵材料與器件進(jìn)行定量表征與評(píng)估，建立光電性能退化機(jī)理模型，解決激光顯示壽命問題；開展激光顯示標(biāo)準(zhǔn)化研究。研究高反射率三基色電子紙顯示的關(guān)鍵材料、顯示油墨、雙穩(wěn)態(tài)顯示穩(wěn)定性，開發(fā)電極材料及印刷型顯示功能層的制作技術(shù)，有源彩色電子紙顯示器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制備工藝、驅(qū)動(dòng)電路、封裝材料及柔性電子紙顯示面板制作等關(guān)鍵技術(shù)。實(shí)施年限：不超過4年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng) 印刷TFT材料與器件研究內(nèi)容：研究印刷TFT的半導(dǎo)體、絕緣層和電極材料，研究載流子輸運(yùn)和調(diào)控機(jī)制。實(shí)施年限：不超過4年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)有關(guān)說明：企業(yè)牽頭申報(bào)，其他經(jīng)費(fèi)與中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)比例不低于2：1。實(shí)施年限：不超過5年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)有關(guān)說明：企業(yè)牽頭申報(bào)，其他經(jīng)費(fèi)與中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)比例不低于3：1。針對(duì)任務(wù)中的研究內(nèi)容，以項(xiàng)目為單位進(jìn)行申報(bào)。1）稀疏低運(yùn)能路網(wǎng)列車運(yùn)行控制系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究內(nèi)容：研究多冗余高可靠安全計(jì)算技術(shù)；研究列控系統(tǒng)可測性設(shè)計(jì)技術(shù)、智能故障分析與診斷算法及運(yùn)維決策支持系統(tǒng)； — 8 —研制多核低功耗通用高性能安全計(jì)算平臺(tái)；研究控制設(shè)備一體化和小型化技術(shù)；研究支持多模式的高可靠無線數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)及低傳輸質(zhì)量下數(shù)據(jù)恢復(fù)技術(shù)；研究列控地面設(shè)備虛擬化及快速動(dòng)態(tài)重構(gòu)與配臵技術(shù)及車載設(shè)備適配技術(shù)；研究列控系統(tǒng)動(dòng)態(tài)閉塞配臵技術(shù)及運(yùn)能動(dòng)態(tài)配臵的智能綜合調(diào)度技術(shù)。滿足承擔(dān)國防安全功能的西部和邊遠(yuǎn)地區(qū)低密度運(yùn)輸路網(wǎng)的安全、高效運(yùn)營和持續(xù)能力保障的需求。，可度量包含3級(jí)結(jié)構(gòu)、10000個(gè)節(jié)點(diǎn)的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)空間安全性。，覆蓋空間信息網(wǎng)絡(luò)傳輸鏈路和地面系統(tǒng)的全部設(shè)備和安全組件，覆蓋導(dǎo)航、遙感等不同衛(wèi)星，支持1萬以上衛(wèi)星終端、10萬以上通信鏈路的實(shí)時(shí)通信仿真，支持1000條以上安全事件的并發(fā)仿真，支持10萬用戶實(shí)時(shí)在線、百萬并發(fā)數(shù)據(jù)的大規(guī)模仿真測試。樣機(jī)應(yīng)在允許攻擊方基于白盒構(gòu)造測試樣例的前提下，設(shè)定防御方不掌握測試漏洞/后門具體特征且不得進(jìn)行增量開發(fā)的測試環(huán)境中，能在不降低主要性能指標(biāo)的同時(shí)，抵御90%以上測試漏洞和后門帶來的安全威脅。按照分步實(shí)施、重點(diǎn)突出原則，首批在5個(gè)技術(shù)方向啟動(dòng)8個(gè)項(xiàng)目。，其中SCI/EI 不少于 20篇，申請國家發(fā)明專利30項(xiàng)以上，提交國家或國際標(biāo)準(zhǔn)不少于3項(xiàng)。，10萬級(jí)并發(fā)條件下的響應(yīng)時(shí)間不大于3秒，、二代身份證、eID等不同的電子身份證件。、防御方案、系統(tǒng)脆弱性、攻擊現(xiàn)狀、安全事件影響。到2020年，我國要具備交付運(yùn)營時(shí)速400公里及以上高速列車及相關(guān)系統(tǒng)，時(shí)速120公里以上聯(lián)合運(yùn)輸、時(shí)速160公里以上快捷貨運(yùn)和時(shí)速250公里以上高速貨運(yùn)成套裝備，滿足泛歐亞鐵路互聯(lián)互通要求、軌道交通系統(tǒng)全生命周期運(yùn)營成本降低20%以上、因技術(shù)原因?qū)е碌倪\(yùn)營安全事故率降低50%以上、單位周轉(zhuǎn)量能耗水平國際領(lǐng)先、磁浮交通系統(tǒng)技術(shù)完全自主化的技術(shù)能力。考核指標(biāo)：車載及地面監(jiān)測節(jié)點(diǎn)通信帶寬≥100Mbps，空天監(jiān)測節(jié)點(diǎn)能夠有效覆蓋列車及周邊基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵運(yùn)行狀態(tài)，監(jiān)測半徑≥300km，地面移動(dòng)體位臵檢測精度≤1m；能夠結(jié)合相關(guān)區(qū)域的氣象信息、大尺度地質(zhì)變化等信息，實(shí)現(xiàn)立體多維的軌道交通系統(tǒng)狀態(tài)信息獲取與檢測，實(shí)現(xiàn)軌道異物入侵等關(guān)鍵預(yù)警服務(wù)，其定點(diǎn)監(jiān)測分辨率精度≤10cm；巡航監(jiān)測特定區(qū)域與突發(fā)事件現(xiàn)場監(jiān)測預(yù)警分辨率可達(dá)20cm。4）各項(xiàng)目申請的國家財(cái)政資金原則上按照不低于12%用于基礎(chǔ)研究、58%用于技術(shù)攻關(guān)與裝備研制、不超過30%用于支持典型應(yīng)用示范；鼓勵(lì)各申報(bào)單位自籌資金配套。預(yù)期成果：申請發(fā)明專利50項(xiàng)，發(fā)表論文30篇，帶動(dòng)行業(yè)新增產(chǎn)值20億元。5nm）LED功率效率≥55%，— 7 —綠光（520177。實(shí)施年限：不超過5年擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng)有關(guān)說明：其他經(jīng)費(fèi)與中央財(cái)政經(jīng)費(fèi)比例不低于2：1。預(yù)期成果：申請發(fā)明專利15項(xiàng)，形成創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)2個(gè)。預(yù)期成果：申請發(fā)明專利75項(xiàng)，發(fā)表論文20篇。二極管直接泵浦鈦寶石超快激光器輸出功率≥5 W。Hzl/2開發(fā)各類生物、化學(xué)、環(huán)境敏感的高靈敏度聲表面波傳感器，研究提高傳感器靈敏度，穩(wěn)定性的方法，以及應(yīng)用于復(fù)雜環(huán)境和極端環(huán)境的多類型傳感器集成應(yīng)用技術(shù)?？己酥笜?biāo)： 、冶金、石化等重點(diǎn)行業(yè)關(guān)鍵場景，考慮高可用性、強(qiáng)實(shí)時(shí)性、大規(guī)?；?、廣域全局協(xié)同等工業(yè)控制系統(tǒng)的典型工程特征，完成3類關(guān)鍵行業(yè)領(lǐng)域的3~5套控制系統(tǒng)安全脆弱性測試；(控制器、變送器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)、工作站、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)以及關(guān)鍵控制數(shù)據(jù)交互的安全需求，構(gòu)建覆蓋控制系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)備安全、實(shí)時(shí)控制行為安全、業(yè)務(wù)流程作業(yè)安全的主動(dòng)防護(hù)安全技術(shù)示范體系，覆蓋控制系統(tǒng)管理層、監(jiān)控層、控制層與部件層的各層次，實(shí)現(xiàn)總體功能覆蓋率不少于90%，形成示范驗(yàn)證報(bào)告；，以及工業(yè)控制系統(tǒng)脆弱性與威脅事件間的關(guān)聯(lián)關(guān)系；實(shí)現(xiàn)工業(yè)控制系統(tǒng)深度安全對(duì)系統(tǒng)功能業(yè)務(wù)流程無影響，深度安全主動(dòng)防護(hù)功能對(duì)運(yùn)行態(tài)實(shí)時(shí)性能影響，包括電力、冶金、石化等，其中至少1個(gè)高可用性與強(qiáng)實(shí)時(shí)性的局域萬點(diǎn)級(jí)示范場景，該場景的工業(yè)數(shù)據(jù)不少于10000點(diǎn)，工業(yè)控制節(jié)點(diǎn)不少于30個(gè)，各類控制終端不少于100個(gè)，典型控制周期50100ms，快速控制周期520ms；至少1個(gè)大規(guī)?；c廣域全局協(xié)同的萬點(diǎn)級(jí)示范場景，該場景工業(yè)數(shù) 據(jù)不少于30000點(diǎn)，信息域不少于5個(gè)，控制節(jié)點(diǎn)不少于100個(gè)，各類控制終端不少于300個(gè)，典型控制周期50500ms。本專項(xiàng)的主要研究內(nèi)容是，構(gòu)建高通量計(jì)算、高通量制備與表征和專用數(shù)據(jù)庫等三大示范平臺(tái)；研發(fā)多尺度集成化高通量計(jì)算方法與計(jì)算軟件、高通量材料制備技術(shù)、高通量表征與服役行為評(píng)價(jià)技術(shù)，以及面向材料基因工程的材料大數(shù)據(jù)技術(shù)等四大關(guān)鍵技術(shù)；在能源材料、生物醫(yī)用材料、稀土功能材料、催化材料和特種合金等支撐高端制造業(yè)和高新技術(shù)發(fā)展的典型材料上開展應(yīng)用示范?？己酥笜?biāo)：高通量表征尺度從微觀的nm到宏觀的cm級(jí)；每批次表征樣品數(shù)/數(shù)據(jù)點(diǎn)大于100；建立成分—組織結(jié)構(gòu)—性能映射相關(guān)性模型，模型維度不少于3維，可表征成分及相不少于10種；結(jié)合同步輻射的高通量表征技術(shù)的表征時(shí)間＜5s/樣品；開發(fā)2種以上具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的材料高通量表征新裝置，申請核心發(fā)明專利10項(xiàng)以上?？己酥笜?biāo)：建成材料計(jì)算、實(shí)驗(yàn)與表征等復(fù)雜異構(gòu)數(shù)據(jù)有機(jī)融合的材料基因工程專用數(shù)據(jù)庫，可存儲(chǔ)專題數(shù)據(jù)100萬條以上，主要操作平均響應(yīng)時(shí)間3秒以內(nèi)，整合材料基因工程相關(guān)數(shù)據(jù)10萬條以上，實(shí)現(xiàn)開放共享；形成6項(xiàng)以上材料數(shù)據(jù)管理與服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范；突破4項(xiàng)以上材料高通量計(jì)算、實(shí)驗(yàn)與表征數(shù)據(jù)的高效處理與加工技術(shù)，3項(xiàng)以上材料數(shù)據(jù)分析與挖掘技術(shù)，并獲得應(yīng)用；申請核心發(fā)明專利或著作權(quán)登記10項(xiàng)以上。按照分步實(shí)施、重點(diǎn)突破的原則，2016在材料基因工程關(guān)鍵技術(shù)和驗(yàn)證性示范應(yīng)用中啟動(dòng)13個(gè)研究任務(wù)?？己酥笜?biāo)：，能抵抗現(xiàn)有的隱蔽通道發(fā)現(xiàn)與分析技術(shù)，支持用戶透明的隱蔽文件傳輸，；，解決重要文件數(shù)據(jù)的保護(hù)及隱藏、分析與利用等問題，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)從采集、存儲(chǔ)、分析、處理的全流程監(jiān)管保護(hù)；，可否認(rèn)加密系統(tǒng)支持EXTNTFS、FAT等文件系統(tǒng)；，支持緊急情況下的關(guān)鍵數(shù)據(jù)及相關(guān)代碼的秒級(jí)無痕銷毀，銷毀后的系統(tǒng)能抵御代碼分析，不遺留銷毀痕跡?？己酥笜?biāo)：開發(fā)一批應(yīng)用于4G、5G移動(dòng)通信的高性能聲表面波關(guān)鍵材料，壓電材料的機(jī)電耦合系數(shù)20%，掌握4G、5G移動(dòng)通信的高性能濾波器和諧振器等聲表面波器件的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)。m波長320256銻化物探測器，工作溫度≥77 K，D*≥11010 cm實(shí)施年限：不超過5年 擬支持項(xiàng)目數(shù)：1—2項(xiàng) 大功率光纖激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)研究內(nèi)容：研究大模場高增益雙包層光纖制備技術(shù)、高濃度稀土離子均勻摻雜控制技術(shù)、光纖暗化機(jī)制及抑制技術(shù)、光纖老化與損傷機(jī)理及控制技術(shù)；高亮度半導(dǎo)體激光泵浦源光纖耦合技術(shù)、高損傷閾值的光纖光柵與光纖合束器、高功率包層功率剝離器等制備技術(shù)；高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光器及光子晶體激光器技術(shù)；百瓦級(jí)單頻光纖激光器關(guān)鍵技術(shù)?？己酥笜?biāo)：藍(lán)、綠光LD材料吸收損耗90 K。 印刷OLED顯示技術(shù)集成與研發(fā)公共開放平臺(tái) 研究內(nèi)容：研究印刷OLED顯示的多層薄膜印刷與圖形化工藝，研究印刷OLED墨水（INK）技術(shù)，研究印刷OLED器件陣列結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，開發(fā)彩色OLED器件噴墨印刷制作工藝和封裝工藝?？己酥笜?biāo)：研制出室溫下單光子探測效率10%、暗計(jì)數(shù)率10臨近雪崩點(diǎn)暗電流預(yù)期成果：申請發(fā)明專利25項(xiàng)，發(fā)表論文15篇。5nm）LED功率效率≥25%，紅光（625177。 SiC電力電子材料、器件與模塊及在電力傳動(dòng)和電力系統(tǒng)的應(yīng)用示范 中低壓SiC材料、器件及其在電動(dòng)汽車充電設(shè)備中的應(yīng)用示范研究內(nèi)容：研究6英寸低缺陷低阻碳化硅單晶材料生長及高均勻度外延關(guān)鍵技術(shù)；開展600~1700 V碳化硅MOSFET器件設(shè)計(jì)仿真及制備工藝技術(shù)的研究；突破多芯片均流等關(guān)鍵封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化硅全橋功率模塊；研制基于全碳化硅器件的電動(dòng)汽車無線和有線充電裝備，并開展示范應(yīng)用。本專項(xiàng)總目標(biāo)是：面向國家在節(jié)能環(huán)保、智能制造、新一代信息技術(shù)領(lǐng)域?qū)?zhàn)略性