【摘要】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結構特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【摘要】電力電子技術模擬試卷四(考試時間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-03-25 06:07
【摘要】電力電子技術計算題1、π/2;;;2、通過對電壓檢測,實施對兩組反并聯(lián)晶閘管門極予以控制。例如:輸入電壓高于10%時,讓VT1、VT2這組反并聯(lián)的晶閘管的觸發(fā)脈沖移到180°,使它不輸出電壓,而讓VT3、VT4這組反并聯(lián)晶閘管的觸發(fā)脈沖移到0°,使他們分別在正負半周全導通時輸出電壓降低;當輸入電壓低于額定值10%時,讓VT1、VT2這組反并聯(lián)晶閘