【正文】 ? 共通電極材料，是利用濺鍍法將 ITO透明導(dǎo)電薄膜形成於上，並經(jīng)由微影、蝕刻工程製作成所需圖案 LTPS TFT LCD的後段製程 液晶胞製程 (1) 1. 洗淨(jìng)工程： ? 洗淨(jìng)技術(shù)有使用藥液、機(jī)能水和紫外線臭氣、毛刷、超音波、超高音波 (Mega Sonic)和高壓噴洗等，其中以純水洗淨(jìng)為主 ? 為了去除過剩的水並達(dá)到乾燥，有旋轉(zhuǎn)乾燥法和空氣刀乾燥法 液晶胞製程 (2) 2. 配向模形成工程： ? 配向模是有機(jī)薄膜的材料，施以面磨處理，使其上之液晶分子產(chǎn)生配向排列作用 ? 一般配向膜厚度在 500~1,000197。 陣列電路製程 (4) ? 與 αSi TFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的 ? PolySi TFT的特徵，有 –低溫雷射退火的結(jié)晶化技術(shù) (Laser Annealing Crystallization) –低溫?fù)诫s汲極技術(shù) (Lightly Doping Drain，LDD) –氫化處理技術(shù) (Hydrogen eration) 陣列電路製程 (5) ? 氫化處理的目的在於 –使矽原子的未結(jié)合鍵或未飽和鍵，能與氫原子結(jié)合而使其呈飽和狀態(tài) –可獲得高的載體移動度 –使電子訊號的傳送速度變快 –動態(tài)畫質(zhì)顯示清晰明亮。C或更低的溫度下經(jīng)由雷射退火的製程，形成多結(jié)晶狀態(tài)的矽薄膜。第 8章 LTPS製程與技術(shù)發(fā)展 前言 ? 低溫多晶矽薄膜電晶體液晶平面顯示器(Low Temperature PolySilicon Thin Film Transistor， LTPS TFT LCD)，乃指其 TFT中之半導(dǎo)體薄膜的結(jié)晶形態(tài)是多結(jié)晶(Polycrystalline)，並非是非結(jié)晶(Amorphous)的。 液晶胞製程 (8) 8. 液晶注入和封止工程： ? 將每一單片面板的半成品之間隙空間抽成低壓真空狀態(tài) ? 將其置入盛有液晶材料的液晶皿容器內(nèi) ? 藉由外界常壓的作用，利用毛細(xì)管現(xiàn)象將液晶材料填充於液晶胞的間隙空間內(nèi) ? 然後於注入口處塗佈上紫外線硬化型樹脂類的接著劑，並以熱或紫外線照射進(jìn)行硬化和封合作用 液晶胞製程 (9) 9. 偏光膜貼合附著工程： ? 外側(cè)分別貼合附著上 ? 具有偏光作用的偏光膜 ? 特殊性光學(xué)補(bǔ)償膜 ? 增