【正文】 1W、 2W、甚至數(shù)十瓦，工作電流可以是幾十毫安到幾百毫安不等。? 功率型 LED所用的外延材料采用 MOCVD的外延生長技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，雖然其內(nèi)量子效率還需進一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙仍是芯片的取光效率低。所以一顆以大電流 (如 1A)驅(qū)動 大面積的順流 LED，其亮度會大于具有相同面積的多顆橫流 LED。半導體工藝的特點，決定同種材料同一晶圓芯片之間都可能存在光學參數(shù)（如波長、光強）和電學（如正向電壓）參數(shù)差異?！　『Y選技術(shù)與可靠性保證? 由于 燈具 外觀的限制，照明用 LED的裝配空間密封受到局限，密封且有限的空間不利于 LED散熱，這意味著照明 LED的使用環(huán)境要劣于傳統(tǒng)顯示、指示用 LED產(chǎn)品。?據(jù)可靠性試驗表明，該器件性能極為穩(wěn)定。為提高ＬＥＤ的光通量，滿足固體照明的要求，必須采用新的設計理念，用倒裝焊新結(jié)構(gòu)來提高芯片的取光效率，從而獲得較高的光通量。因此在大功率LED燈具設計中，最主要的設計工作就是散熱設計。 散熱路徑? 熱是從溫度高處向溫度低處散熱。工作狀態(tài)： IF=600mA，VF=,K型熱電偶點溫度計測 TC=計的 TJ=95OC,則按上條件能否滿足設計要求嗎？解決辦法？牛頓冷卻定律： 根據(jù)散熱要 求（一般要求 PCB板的溫度 T，達到某個特定值），利用上述公式，計算出所需的散熱表面積 A隨著對 led照明的需求，加上技術(shù)的發(fā)展，這方面會有比較大的突破，比如解決散熱問題，解決出光問題等。? TJ=RJC*PD+TC=RJC*IF*VF+TC=16(*)+71=103OC? RBA=(TCTA)/PD=(7125)/(*)=? PD=VFIF 德國Ｏｓｒａｍ公司通過在器件表面制作紋理結(jié)構(gòu)，于2023年研制出新一代功率型ＬＥＤ芯片，獲得了大于５０％的外量子效率，其基本性能與ＴＳ結(jié)構(gòu)的ＬＥＤ相當?！　z測技術(shù)與標準? 　　隨著 W級功率芯片制造技術(shù)和白光 LED工藝技術(shù)的發(fā)展， LED產(chǎn)品正逐步進入（特種）照明市場，顯示或指示用的傳統(tǒng) LED產(chǎn)品參數(shù)檢測標準及測試方法已不能滿足照明應用的需要。在操作過程中，由于載體膠的粘度是動態(tài)參數(shù)、熒光粉比重大于載體膠而產(chǎn)生沉淀以及分配器精度等因素的影響，此工藝熒光粉的涂布量均勻性的控制有難度，導致了白光顏色的不均勻。電流平順就可以明顯提升 LED的亮度。美國 Cree公司是全球唯一采用 SiC襯底制造 AlGaInN超 高亮度 LED的廠家，幾年來其生產(chǎn)的 AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進，亮度不斷提高。主要內(nèi)容功率型ＬＥＤ芯片技術(shù)原 理大功率ＬＥＤ技術(shù)結(jié)構(gòu)設計功率型ＬＥＤ散熱技術(shù)結(jié)束語? LED的應用面不斷擴大，首先進入特種 照明 的市場領域，并向普通照明市場邁進。(4)藍寶石襯底過渡法。更有甚者，電流集中之處會產(chǎn)生熱點使晶格缺陷范圍延伸， LED的 亮度 就會隨缺陷擴大而遞減。不同用途的產(chǎn)品，對 白光 LED的色坐標、色溫、顯色性、光功率（或光強）和光的空間分布等要求不同。 在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，靜電的防范是否得當，直接影響到產(chǎn)品的成品率、可靠性和經(jīng)濟效益。四個環(huán)節(jié)相輔相成，共同推動功率型ＬＥＤ的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，構(gòu)成半導體照明的核心力量。 芯片體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，局部熱流密度大，熱量不宜釋放。 RJA=RJC+RBA式中 PD的單位是 W。工作狀態(tài)： IF=500 LED封裝設計應與芯片設計同時進行，并且需要對光、熱、電、結(jié)構(gòu)等性能統(tǒng)一考慮。若管芯傳導到散熱墊底面的熱阻為 RJC（ LED的熱阻） 、散熱墊傳導到 PCB面層敷銅層的熱阻為 RCB、 PCB傳導到環(huán)境空氣的熱阻為 RBA,則從管芯的 結(jié)溫 TJ傳導到 空氣 TA的總熱阻 RJA與各熱阻關(guān)系為：? RJA=RJC+RCB+RBA各熱阻的單位是 ℃/W 。繼國聯(lián)光電研制成ＧＢ大功率ＩｎＧａ ＡＩＰＬＥＤ之后，光鼎電子也成功開發(fā)了白光與各種色光的功率型ＬＥＤ器件，并投入了批量生產(chǎn)。電防護技術(shù)? 由于 GaN是寬禁帶材料，電阻率較高，該類芯片在生產(chǎn)過程中因靜電產(chǎn)生的感生電荷不易消失，累積到相當?shù)某潭?，可以產(chǎn)生很高的靜電電壓。~200℃），膠體不會因溫度驟然變化而導致器件開路，也不會出現(xiàn)變黃現(xiàn)象。關(guān)鍵的封裝技術(shù)工藝有：大功率ＬＥＤ技術(shù)結(jié)構(gòu)設計?3W模組 ,9顆芯片 (芯片尺寸 :18mil),3并 3串 , 電流 300mA,電壓