【正文】 1W、 2W、甚至數(shù)十瓦，工作電流可以是幾十毫安到幾百毫安不等。? 功率型 LED所用的外延材料采用 MOCVD的外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)，雖然其內(nèi)量子效率還需進(jìn)一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙仍是芯片的取光效率低。所以一顆以大電流 (如 1A)驅(qū)動(dòng) 大面積的順流 LED，其亮度會(huì)大于具有相同面積的多顆橫流 LED。半導(dǎo)體工藝的特點(diǎn)，決定同種材料同一晶圓芯片之間都可能存在光學(xué)參數(shù)（如波長(zhǎng)、光強(qiáng)）和電學(xué)（如正向電壓）參數(shù)差異?！　『Y選技術(shù)與可靠性保證? 由于 燈具 外觀的限制，照明用 LED的裝配空間密封受到局限，密封且有限的空間不利于 LED散熱，這意味著照明 LED的使用環(huán)境要劣于傳統(tǒng)顯示、指示用 LED產(chǎn)品。?據(jù)可靠性試驗(yàn)表明，該器件性能極為穩(wěn)定。為提高ＬＥＤ的光通量，滿足固體照明的要求，必須采用新的設(shè)計(jì)理念，用倒裝焊新結(jié)構(gòu)來(lái)提高芯片的取光效率，從而獲得較高的光通量。因此在大功率LED燈具設(shè)計(jì)中，最主要的設(shè)計(jì)工作就是散熱設(shè)計(jì)。 散熱路徑? 熱是從溫度高處向溫度低處散熱。工作狀態(tài)： IF=600mA，VF=,K型熱電偶點(diǎn)溫度計(jì)測(cè) TC=計(jì)的 TJ=95OC,則按上條件能否滿足設(shè)計(jì)要求嗎？解決辦法？牛頓冷卻定律： 根據(jù)散熱要 求（一般要求 PCB板的溫度 T，達(dá)到某個(gè)特定值），利用上述公式，計(jì)算出所需的散熱表面積 A隨著對(duì) led照明的需求，加上技術(shù)的發(fā)展，這方面會(huì)有比較大的突破，比如解決散熱問(wèn)題，解決出光問(wèn)題等。? TJ=RJC*PD+TC=RJC*IF*VF+TC=16(*)+71=103OC? RBA=(TCTA)/PD=(7125)/(*)=? PD=VFIF 德國(guó)Ｏｓｒａｍ公司通過(guò)在器件表面制作紋理結(jié)構(gòu)，于2023年研制出新一代功率型ＬＥＤ芯片，獲得了大于５０％的外量子效率，其基本性能與ＴＳ結(jié)構(gòu)的ＬＥＤ相當(dāng)?！　z測(cè)技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)? 　　隨著 W級(jí)功率芯片制造技術(shù)和白光 LED工藝技術(shù)的發(fā)展， LED產(chǎn)品正逐步進(jìn)入（特種）照明市場(chǎng)，顯示或指示用的傳統(tǒng) LED產(chǎn)品參數(shù)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)試方法已不能滿足照明應(yīng)用的需要。在操作過(guò)程中，由于載體膠的粘度是動(dòng)態(tài)參數(shù)、熒光粉比重大于載體膠而產(chǎn)生沉淀以及分配器精度等因素的影響，此工藝熒光粉的涂布量均勻性的控制有難度，導(dǎo)致了白光顏色的不均勻。電流平順就可以明顯提升 LED的亮度。美國(guó) Cree公司是全球唯一采用 SiC襯底制造 AlGaInN超 高亮度 LED的廠家，幾年來(lái)其生產(chǎn)的 AlGaInN/SiCa芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。主要內(nèi)容功率型ＬＥＤ芯片技術(shù)原 理大功率ＬＥＤ技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)功率型ＬＥＤ散熱技術(shù)結(jié)束語(yǔ)? LED的應(yīng)用面不斷擴(kuò)大，首先進(jìn)入特種 照明 的市場(chǎng)領(lǐng)域，并向普通照明市場(chǎng)邁進(jìn)。(4)藍(lán)寶石襯底過(guò)渡法。更有甚者，電流集中之處會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)使晶格缺陷范圍延伸， LED的 亮度 就會(huì)隨缺陷擴(kuò)大而遞減。不同用途的產(chǎn)品，對(duì) 白光 LED的色坐標(biāo)、色溫、顯色性、光功率（或光強(qiáng)）和光的空間分布等要求不同。 在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，靜電的防范是否得當(dāng)，直接影響到產(chǎn)品的成品率、可靠性和經(jīng)濟(jì)效益。四個(gè)環(huán)節(jié)相輔相成，共同推動(dòng)功率型ＬＥＤ的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，構(gòu)成半導(dǎo)體照明的核心力量。 芯片體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，局部熱流密度大，熱量不宜釋放。 RJA=RJC+RBA式中 PD的單位是 W。工作狀態(tài)： IF=500 LED封裝設(shè)計(jì)應(yīng)與芯片設(shè)計(jì)同時(shí)進(jìn)行，并且需要對(duì)光、熱、電、結(jié)構(gòu)等性能統(tǒng)一考慮。若管芯傳導(dǎo)到散熱墊底面的熱阻為 RJC（ LED的熱阻） 、散熱墊傳導(dǎo)到 PCB面層敷銅層的熱阻為 RCB、 PCB傳導(dǎo)到環(huán)境空氣的熱阻為 RBA,則從管芯的 結(jié)溫 TJ傳導(dǎo)到 空氣 TA的總熱阻 RJA與各熱阻關(guān)系為：? RJA=RJC+RCB+RBA各熱阻的單位是 ℃/W 。繼國(guó)聯(lián)光電研制成ＧＢ大功率ＩｎＧａ ＡＩＰＬＥＤ之后，光鼎電子也成功開發(fā)了白光與各種色光的功率型ＬＥＤ器件，并投入了批量生產(chǎn)。電防護(hù)技術(shù)? 由于 GaN是寬禁帶材料，電阻率較高，該類芯片在生產(chǎn)過(guò)程中因靜電產(chǎn)生的感生電荷不易消失，累積到相當(dāng)?shù)某潭?，可以產(chǎn)生很高的靜電電壓。~200℃），膠體不會(huì)因溫度驟然變化而導(dǎo)致器件開路，也不會(huì)出現(xiàn)變黃現(xiàn)象。關(guān)鍵的封裝技術(shù)工藝有：大功率ＬＥＤ技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?3W模組 ,9顆芯片 (芯片尺寸 :18mil),3并 3串 , 電流 300mA,電壓