【正文】 ieib+ hrevceic= hfeib+ hoevce1. BJT的 H參數(shù)及小信號模型? H參數(shù)的引出1. BJT的 H參數(shù)及小信號模型? H參數(shù)小信號模型根據(jù)可得小信號模型BJT的 H參數(shù)模型vbe= hieib+ hrevceic= hfeib+ hoevceBJT雙口網(wǎng)絡1. BJT的 H參數(shù)及小信號模型? H參數(shù)小信號模型? H參數(shù)都是小信號參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。 (3) 溫度對反向擊穿電壓 V(BR)CBO、 V(BR)CEO的影響溫度升高時， V(BR)CBO和 V(BR)CEO都會有所提高。（ 2） 外部條件： 發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。 BJT的結構簡介(a) NPN型管結構示意圖(b) PNP型管結構示意圖(c) NPN管的電路符號(d) PNP管的電路符號集成電路中典型 NPN型 BJT的截面圖 BJT的結構簡介 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。iC=f(vCE)? iB=const2. 輸出特性曲線輸出特性曲線的三個區(qū)域 :截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當 iB=0的曲線的下方。 共射極放大電路 圖解分析法1. 靜態(tài)工作點的圖解分析? 列輸入回路方程 ? 列輸出回路方程（直流負載線）VCE=VCC－ iCRc? 首先，畫出直流通路直流通路 ? 在輸出特性曲線上，作出直流負載線 VCE=VCC－ iCRc，與 IBQ曲線的交點即為 Q點，從而得到 VCEQ 和 ICQ。 hrevce是一個受控電壓源。VCE不可能為負值，此時， Q（ 120uA， 6mA， 0V）， 例題例題end 放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題 溫度對靜態(tài)工作點的影響 射極偏置電路1. 基極分壓式射極偏置電路2. 含有雙電源的射極偏置電路3. 含有恒流源的射極偏置電路 溫度對靜態(tài)工作點的影響 ，溫度上升時， BJT的反向電流 ICBO、ICEO及電流放大系數(shù) ?或 ?都會增大，而發(fā)射結正向壓降 VBE會減小。共射極放大電路 放大電路如圖所示。其中：四個參數(shù)量綱各不相同，故稱為混合參數(shù)（ H參數(shù)）。 (2) 溫度對 ? 的影響溫度每升高 1℃ ， ? 值約增大 %~1% 。實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是：（ 1） 內部條件： 發(fā)射區(qū)雜質濃度遠大于基區(qū)雜質濃度，且基區(qū)很薄。外部條件： 發(fā)射結正偏 集電結反偏 放大狀態(tài)下 BJT的工作原理1. 內部載流子的傳輸過程發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子 （以 NPN為例） 由于三極管內有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導電，故稱為雙極型三極管或 BJT (Bipolar Junction Transistor)。此時， vBE小于死區(qū)電壓 。? 在輸入特性曲線上，作出直線 ，兩線的交點