【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中,多數載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度,而少數載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數載流子,空穴為少數載流子。二.
2025-08-05 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術基礎模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達式(設初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2025-08-05 09:23
【摘要】第一章半導體基礎知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33