【正文】 策略存在功率管的開關(guān)頻率高，開關(guān)損耗大，裝置效率低的缺點(diǎn)。到了20世紀(jì)80年代，功率場效管（MOSFET）、絕緣柵極晶體管(IGBT)、MOS控制晶閘管（MCT）以及靜電感應(yīng)功率器件的誕生為逆變器向大容量方向奠定了基礎(chǔ)，因此電力電子器件的發(fā)展為逆變技術(shù)高頻化，大容量創(chuàng)造了條件。一、前言利用晶閘管電路把直流轉(zhuǎn)變成交流電，這種對應(yīng)于整流的逆向過程，定義為逆變[1]。20世紀(jì)70年代，可關(guān)斷晶閘管（GTO）、電力晶體管（BJT）的誕生使逆變技術(shù)得到發(fā)展應(yīng)用。而在一些ACAC轉(zhuǎn)換時(shí)還需要DCAC轉(zhuǎn)換作為中介。個(gè)人認(rèn)為對于逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)元件越多，逆變器的開關(guān)工作狀態(tài)設(shè)置要合理性，以致逆變器散熱性好，開關(guān)不會出現(xiàn)燒毀；三電平SVPWM控制策略，由于它的狀態(tài)相對于二電平SVPWM控制過多，狀態(tài)間的轉(zhuǎn)換有時(shí)還需要借助其他的基本狀態(tài)，因而，選擇有效的中間狀態(tài)是很重要的；三電平逆變器是將DC轉(zhuǎn)換成AC，因此DC部分的電容中點(diǎn)電壓漂移和窄脈沖問題需要解決；逆變器如果使用軟開關(guān)技術(shù)可以減小逆變器的體積、重量，提高逆變器的開關(guān)頻率。（3）逆變器通過控制系統(tǒng)中電子開關(guān)的開通和斷開來完成DCAC。對逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和調(diào)制策略也進(jìn)行深入的研究，本文首先論述中高壓三電平逆變器的發(fā)展現(xiàn)狀，然后重點(diǎn)分析三電平逆變器的控制策略。隨著科技的不斷發(fā)展，各種儀器對逆變器的要求越來越高，各種行業(yè)對電氣設(shè)備的控制要求也越來越高。對三電平逆變器的研究，不僅僅停留在理論上，控制技術(shù)方面，而且在系統(tǒng)設(shè)計(jì)和工程應(yīng)用等方面都會深入研究。其中SPWM控制技術(shù)使得逆變器的性能得到提高，安全性更好，