【正文】 空間原點（k=0），電子要躍遷到導(dǎo)帶上只需要吸收能量，這樣的半導(dǎo)體：電子躍遷不止要吸收能量，還要改變動量的半導(dǎo)體。 AL2O3=3R*5 MgO=3R*22， 元素的熱容定律：恒壓下元素的原子熱容為25J/(MOL*K)；化合物的熱容定律：1MOL物質(zhì)中的原子數(shù)為2NA，故摩爾熱熔為2*25J/(MOL*K),三原子固體化合物的摩爾熱熔3*25J/(MOL*K)，以此類推。很多陶瓷呈半導(dǎo)體性質(zhì)原因，其有大小適當(dāng)?shù)哪軒чg隙形成晶格空位。磁中性狀態(tài)是指材料處于磁感應(yīng)強度和磁場同時為0的狀態(tài)。3）自發(fā)輻射：沒有光照射時，處于E2能級的電子躍遷到E1，產(chǎn)生能量hv=E2E1的光子的現(xiàn)象。共振吸收的大小與入射光強度成正比。1）對于密實性陶瓷材料和玻璃而言：（1）.提高材料強度，減小彈性模量E,使σ/E提高（2）.提高材料熱導(dǎo)率（3）.減小材料熱膨脹系數(shù)（4）.減小表面散熱系數(shù)（5）.減小產(chǎn)品有效厚度2）對于多孔，粗粒，干壓，和部分燒結(jié)制品 （1）根據(jù)R’’’和R””使材料有較高的E和較低的σ，使材料有較低的彈性應(yīng)變能釋放率（2） 提高材料的斷裂表面能，使合金的導(dǎo)電性隨溫度升高而普遍降低。：抵抗材料發(fā)生瞬時斷裂的抗擊沖擊斷裂性，和抵抗在熱沖擊循環(huán)作用下，才老表面開裂剝落并不斷發(fā)展，最終碎裂或變質(zhì)的抗熱沖擊損傷性.，傳熱越快，熱應(yīng)力緩解越快，對熱穩(wěn)定越有利；材料尺寸越小，傳熱通道越短；材料的表面熱散速率h越大，內(nèi)外溫差越大，熱應(yīng)力越大。，導(dǎo)電性大幅度增加，具有所謂的光致導(dǎo)電效應(yīng)64. 抗磁性：某些材料受到外磁場作用后，感生出和外磁場相反的磁化強度，磁化率小于0的材料。相應(yīng)的電場強度稱為擊穿電場強度。（抗熱震性）：材料稱受溫度的急劇變化而不致破壞的能力。：物體的體積或長度隨溫度升高而增大的現(xiàn)象。：鐵磁體的表面磁場高，向鐵磁體的內(nèi)部磁場逐漸減小的現(xiàn)象：材料的電阻隨外加磁場的變化而變化。陽極極化：陽極通過電流電位向正的方向變化。9， 電阻率：合金＞純金屬；非晶體＞晶體；尺寸越小電阻率越高；本征半導(dǎo)體隨溫度的升高而呈指數(shù)增加。包層折射率《纖芯：單向形狀記憶效應(yīng)，雙向形狀記憶效應(yīng)，全方位形狀記憶效應(yīng)、氏體相變和非熱彈性馬氏體相變、電化學(xué)腐蝕、物理溶解腐蝕。當(dāng)光線垂直入射時， m為反射系數(shù)，此時光在界面上反射的多少取決于兩種介質(zhì)相對折射率n211）如果介質(zhì)1為空氣，認(rèn)為n1=1，n21=n2；2）如果n1和n2相差很大，界面反射損失就嚴(yán)重，；3）如果n1=n2，則m=0，因此在垂直入射情況下，幾乎無反射損失，以透射為主。2）中溫區(qū)：電離基本完畢，m+大約等于摻雜濃度Nd0，但正激發(fā)載流子低于m+忽略不計，半導(dǎo)體中總載流子濃度不變，稱耗竭區(qū)3）高溫區(qū)：本正激發(fā)占主導(dǎo)地位，摻雜半導(dǎo)體行為類似于本征半導(dǎo)體，稱本征區(qū)。磁矩轉(zhuǎn)動包括可逆轉(zhuǎn)動和不可逆轉(zhuǎn)動。，即磁滯損耗、渦流損耗和趨膚效應(yīng)、剩余損耗，反之不一定，在電解質(zhì)中起主要作用的是束縛著的電荷。5， 相鄰兩個片狀疇的磁矩夾角為180度時，它們的邊界稱為180度疇壁。:光通過材料時由于入射光和分子運動相互作用而使頻率發(fā)生變化的散射。：一些半導(dǎo)體材料受到電磁照射時，所產(chǎn)生的非平衡載流子呈現(xiàn)特殊的空間分布，從而形成兩個電極，它們之間建立一個電場，具有電位差的現(xiàn)象：材料的電阻率隨溫度變化，某些材料隨溫度下降電阻率突然減小到零的現(xiàn)象，將具有超導(dǎo)現(xiàn)象的材料稱為超導(dǎo)材料。一 名詞解釋：震動著的質(zhì)點中所包含的頻率甚低的格波，質(zhì)點彼此之間的相位差不大，格波類似于彈性體中的應(yīng)變波，稱聲頻支振