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射頻同軸連接器設(shè)計(jì)理論基礎(chǔ)(留存版)

2025-09-19 05:49上一頁面

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【正文】 損,故在某些同軸連接器中采用不銹鋼作導(dǎo)體,不必再電鍍,這樣不僅使導(dǎo)體公差易于控制精確,且使耐磨性增加。 工作頻率極限: 工作頻率上限由TE11模的截止頻率決定?!堋堋堋?,同軸線外導(dǎo)體,階梯電容可用下式近似計(jì)算: (24)公式所引起的最大誤差為177。這條曲線是平行板線的情況,在下表中列出了τ=6 α=, B為任意值的同軸線的臨近系數(shù)。將會(huì)限制頻帶寬,因而必須避免。導(dǎo)體直徑的變化可用一并聯(lián)的不連續(xù)電容Cd等效。綜合上述結(jié)果,得支撐尺寸為 實(shí)驗(yàn)結(jié)果: 對(duì)不同支撐(深度不同)作駐波測試,結(jié)果如下: f MHzδ VSWR4000533266688000這是第一次實(shí)驗(yàn),可以看出,當(dāng)δ=~,VSWR最小,其中δ==,出現(xiàn)了較大的駐波比(),可能是裝配失誤或測量誤差,而非支撐所致,不作定論。6176。4176。因此,設(shè)計(jì)、制造出優(yōu)良的介質(zhì)支撐件是保障連接器高性能的基礎(chǔ)。Ks近年來隨著行業(yè)的發(fā)展和西方國家對(duì)華禁運(yùn)政策的調(diào)整,越來越多的國內(nèi)射頻同軸連接器生產(chǎn)廠家具備了頻率上限到20GHz甚至高達(dá)40GHz的具備時(shí)域測試功能的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,這也使時(shí)域測量分析技術(shù)應(yīng)用于射頻同軸連接器的優(yōu)化設(shè)計(jì)成為可能。由此可見共面補(bǔ)償畢竟是后天性的,在進(jìn)行射頻同軸連接器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)時(shí)首先應(yīng)盡量減少不連續(xù)點(diǎn)(段)的存在,并使不可避免的不連續(xù)盡量的小。3) 對(duì)不可避免的不連續(xù)逐一進(jìn)行共面補(bǔ)償。 時(shí)域測量分析是進(jìn)行微波傳輸系統(tǒng)缺陷分析的有效方法之一。表8為部分連接器最大傳輸平均功率的實(shí)際使用參照表。(米/秒)精確計(jì)算:表2 同軸傳輸線截止頻率與相近連接器對(duì)照表(50Ω)公稱尺寸同軸傳輸線外導(dǎo)體內(nèi)徑(Dmm)截止頻率(GHZ)相近的通用連接器連接器使用上限頻率 (GHZ)εr=1εr=εr=2εr=167/16612UHF411HN610SC118BNC47NAPC718TNC116ATNC1854SMABMA333SSMA3SMK(K)40502(V)651(M)110D/d傳播速率 VP延時(shí) Tns(ns/英吋)駐波參數(shù)反射系數(shù) Reflection Coefficient (Γ)反射損耗 Return Loss (dB) 電壓駐波比 VSWR(ROS) 表3 VSWR、Γ、Loss換算表VSWRΓLoss(dB)VSWRΓLoss(dB)131232333434535636737838939104011411242134314441545164617471848194920502151225223532454255526562757285829593060電流的趨膚深度 δ(μm)電阻率:ρ (Ω7176。11176。在設(shè)計(jì)電纜接頭時(shí),也往往會(huì)遇到同阻抗不同線徑的轉(zhuǎn)接問題。由上式可見,匹配只在唯一的頻率上獲得,而在其余頻率上,匹配被破壞,駐波系數(shù)不等于1,這可以計(jì)算出來, (29)反射系數(shù), (30)駐波系數(shù), (31)式中,ZBX——支撐輸入一側(cè)上的輸入阻抗│Γ│——反射系數(shù)的絕對(duì)值根據(jù)上述方法計(jì)算的507硬線插頭座的駐波系數(shù)為實(shí)測值,列在下表中:表507硬線插頭座的駐波特性F(MHz)6501300180026003780VSWR標(biāo)只對(duì)VSWR測(2)寬帶絕緣支撐的設(shè)計(jì)計(jì)算在寬帶元件中,廣泛采用圖11所示的典型結(jié)構(gòu),關(guān)于這種支撐的設(shè)計(jì)Kraws曾在1960年和1962年分兩部份給出了許多經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)和經(jīng)驗(yàn)曲線,但他沒有給出理論計(jì)算的方法。在這種情況下,為了獲得最佳性能,首先,應(yīng)將未補(bǔ)償?shù)牟贿B續(xù)性減至最小。因此,在支撐邊線兩個(gè)不連續(xù)電容,總是靠得比較近的。圖2 階梯同軸線的等效電路圖3 同軸線內(nèi)導(dǎo)體階梯電容,單位Ff/cm,當(dāng)乘以外導(dǎo)體圓周長時(shí),所得階梯電容是Ff計(jì)算公式: ≤α<≤τ≤,公式引起的最大誤差為177。μ0 μ0=4π107 H/mε1=ε)。圖8 內(nèi)外導(dǎo)體階梯五、內(nèi)外導(dǎo)體的槽和間隙對(duì)電性能的影響同軸線內(nèi)外導(dǎo)體上的縱向槽會(huì)影響同軸線的特性阻抗?!h(huán)形絕緣子的等效相對(duì)介電常數(shù)Dn—第n層環(huán)的外徑Di1—第i層環(huán)的內(nèi)徑Di—第i層環(huán)的外徑注意:D0=d—內(nèi)導(dǎo)體的外徑圖5所示的半剛性絕緣子由扇形及環(huán)形絕緣子組合而成,其等效介電常數(shù)的公式可根據(jù)公式(27)、(28)推導(dǎo)出來: (29) (30)上式中:ε39。圖1  在9/16同軸線中50Ω聚四氟乙烯絕緣子表面上的內(nèi)外導(dǎo)體階梯不連續(xù)性在絕緣子表面上總的不連續(xù)的電容為單獨(dú)的內(nèi)外導(dǎo)體階梯不連續(xù)電容之和。為了達(dá)到這種最佳的寬頻帶性能,在整個(gè)同軸器件的每一橫截面上的特性阻抗應(yīng)盡可能地保持等于標(biāo)準(zhǔn)特性阻抗。從公式(6)和(14),初看起來,由不同心度引起的特性阻抗變化比由直徑公差引起的特性阻抗變化小得多。根據(jù)精確地進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)我們知道光速為299793000177。幾種經(jīng)常遇到的絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)介紹如下:工業(yè)用聚乙烯,常用作電纜線的絕緣介質(zhì),在200C時(shí),εr=;在400C~+400C時(shí),εr=~。二、精密同軸傳輸線的工作頻率極限空氣填充的精密同軸傳輸線的工作頻率上限由TE11模的截止頻率決定。在這種情況下,為了達(dá)到最佳的性能,首先應(yīng)使未補(bǔ)償?shù)牟贿B續(xù)性達(dá)到最小,其次對(duì)于剩下的不連續(xù)性進(jìn)行各自的共平面補(bǔ)償。容性和感性不連續(xù)性就起相互補(bǔ)償?shù)淖饔?。在同軸連接器中究竟采用哪種形式的絕緣子,應(yīng)該進(jìn)行全面考慮。W=,利用這些常數(shù),公式(35a)可簡化為: (36)。圖10 所測得的導(dǎo)體電阻率與頻率關(guān)系曲線 射頻連接器集中設(shè)計(jì)參考資料1972年一、 同軸線的基本公式:一般地說,同軸連接器(亦稱插頭座)是指在同軸系統(tǒng)中,用于系統(tǒng)與系統(tǒng),元(部)件與元(部)件,電纜與電纜……,之間的連接之元件。TE11模的截止頻率可近似地表示為: (10)由于導(dǎo)體有限電導(dǎo)率會(huì)引起一定的趨表深度和一定的串聯(lián)電阻,這決定了精密同軸傳輸線的工作頻率下限?!堞痢堋堞印埽珻d2= Cd0+(1α)2可以看出,二者的差別是不大的,因此,可應(yīng)用圖8于同軸線。設(shè)計(jì)原則3把機(jī)械公差對(duì)電氣性能的影響減至最小 在同軸器件中,導(dǎo)體尺寸的公差是不可免的,但是通常幾種機(jī)械公差都影響導(dǎo)體直徑公差,例如,“N”型插座中,內(nèi)導(dǎo)體插孔直徑公差由三個(gè)公差迭加而成,即插孔的外徑公差、內(nèi)徑公差以及配接插針的外徑公差。同軸線單位長度的電感和電容分別為: H/m F/m由于δ一般很短,可認(rèn)為二電容并聯(lián)相加,即凈電容C’為C’=C+Cd開槽區(qū)域的鏡像阻抗Z0’為:令Z0’= Z0,則得: (32)上式還可以進(jìn)步簡化:∵ ∴ L= Z02C0C0為未刻槽時(shí),介質(zhì)區(qū)域內(nèi)單位長度的電容,將上式代入(32)式, 得: 亦得: (33a)或: (m) (33b)式中,是AA和BB之間區(qū)域的等效介電常數(shù)。之后又重對(duì)δ=,結(jié)果列下表:f MHz序號(hào) δ VSWR266640005332666880007802310后幾對(duì)平均VSWR可以看出,δ=,性能較好。22’65220176。18’147520176。①支撐件的厚度(B)a、B<D1d B≥2D D1是支撐件的外徑b、B引起高次模的關(guān)系式為 λg:工作波長; f:工作頻率②支撐件外徑、內(nèi)孔徑計(jì)算(Dd1)D1=2h+D注:h為支撐件外鑲槽的深度 圖4h0是設(shè)內(nèi)導(dǎo)體不變,則支撐件外鑲槽的深度③支撐件端面補(bǔ)償?shù)挠?jì)算(Δ、dD2)(共面補(bǔ)償)d2=1~ 選取D2=~1D 選取計(jì)算Δ:a、 計(jì)算AA截面等效介電常數(shù)εeb、 計(jì)算等位參考面直徑D′c、 計(jì)算外導(dǎo)體直徑變化引起的不連續(xù)電容Cd1 內(nèi)導(dǎo)體直徑變化引起的不連續(xù)電容Cd2 不連續(xù)電容 k為修正系數(shù),k=d、注:具體計(jì)算應(yīng)注意量綱的統(tǒng)一 Δ的計(jì)算值是一個(gè)參考值、應(yīng)進(jìn)行實(shí)測修正,也可直接用實(shí)驗(yàn)方法確定。KhPREF:表7中選取的參考值Kf:使用頻率相關(guān)修正系數(shù)Kc:環(huán)境溫度相關(guān)修正系數(shù)Ks:反射匹配相關(guān)修正系數(shù)Kh:使用高度(氣壓)相關(guān)修正系數(shù)表8KfKcKsKhMCXKf max=20SMBSMAKf max=20BMAQMAKf max=13TNCKf max=20ATNCKf max=20NKf max=20HNKf max=20SCKf max=207/16Kf max=15MCX、SMB PREF=100W()參考資料1.《同軸式TEM模通用無源器件》 鄭兆翁 1983年 人民郵電出版社2.《同軸連接器設(shè)計(jì)參考(匯集)》 高頻插頭座集中設(shè)計(jì)組 1972年3.《RADIALL》資料 2003年4.《Astrolab》資料 2003年5.《微波工程手冊(cè)》 微波工程手冊(cè)編現(xiàn)代射頻同軸連接器優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)西安富士達(dá)科技股份有限公司 武向文【摘要】本文對(duì)近幾年來國際上流行的射頻同軸連接器優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,即以理論計(jì)算和經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)、利用三維電磁場分析軟件建模仿真,并通過時(shí)域測量分析進(jìn)行優(yōu)化的設(shè)計(jì)方法,進(jìn)行了簡單的介紹。2 射頻同軸連接器的一般設(shè)計(jì)原則射頻同軸連接器的工作原理比較簡單,可以說是一段能夠使RF傳輸系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)電氣連接與分離的同軸傳輸線。  3 仿真優(yōu)化設(shè)計(jì)技術(shù)利用三維電磁場分析軟件建模仿真,對(duì)連接器的設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,可以提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)的一次成功率。保證傳輸線阻抗的均勻性是減小反射的關(guān)鍵。這些無疑給連接器的仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)創(chuàng)造有極為有利的條件。頻率(GHz)(HT)=耐高溫介質(zhì)支撐墊圈(FLH)=法國圣迭戈班公司注冊(cè)商標(biāo):氟塑料(HF)=高頻(EF)=擴(kuò)頻(展寬頻率)影響射頻連接器傳輸功率的因素射頻連接器在實(shí)際使用中傳輸功率的大小,首先與傳輸波(連續(xù)波或脈沖波)有關(guān),同時(shí)和使用頻率、環(huán)境溫度、大氣壓力以及系統(tǒng)的匹配狀況;零件制造中的表面質(zhì)量、組裝中的潔凈、無污染等等因素有關(guān)。==5)可以利用公式: 的式子求出│Tn│2 的頻率曲線其中,n2=│Γ│2max/1│Γ│2max =,又反射系數(shù)切階梯變換器數(shù)表n=2 │Γ│max=│Γ│max=Rρρ1
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