【摘要】電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)對策2005-7-18摘要:敘述T電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀、主要技術(shù)和應(yīng)用狀況,并討論了今后的發(fā)展方向。關(guān)鍵詞電力電子器件,功率MOSFET,功率ICl引言電力電子技術(shù)包括功率半導(dǎo)體器件與IC技術(shù)、功率變換技術(shù)及控制技術(shù)等幾個方面,,其應(yīng)用已橙蓋了工業(yè)、民用、通信、交通等各個領(lǐng)域。分立功率器件能處理越來越高的電流和電壓;功率lC中已將CMOS、高性能雙極和
2025-06-22 00:16
【摘要】石墨烯在電子器件制作中的應(yīng)用Theapplicationofgrapheneinthefabricationofelectronicdevices本論文主要內(nèi)容:1簡介2石墨烯在電子器件中的應(yīng)用3研究進(jìn)展與應(yīng)用前景石墨烯是碳原子六角結(jié)構(gòu)(蜂窩狀)緊密排列的二維單層石墨層。自2021年被科學(xué)家發(fā)
2025-05-11 01:29
【摘要】微電子器件與工藝課程設(shè)計?設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管,使T=300K時,β=100。VCEO=15V,VCBO=70V.晶體管工作于小注入條件下,最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影響。設(shè)計任務(wù)具體要求:1、制造目標(biāo):發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的摻雜濃度;發(fā)射結(jié)及集電結(jié)的結(jié)深
2024-12-27 20:50