【正文】 線性關(guān)系：P=αE+βE2+γE3+…式中α，β，γ，…均為與物質(zhì)有關(guān)的系數(shù)，且逐次減小。處于激發(fā)態(tài)的原子，在外的光子的影響下，會從高能態(tài)向低能態(tài)躍遷，并在兩個狀態(tài)的能量差以輻射光子的形式發(fā)出去。只有外來光子的能量正好為激發(fā)態(tài)與基態(tài)的能級差時，才能引起受激輻射，且受激輻射發(fā)出的光子與外來光子的頻率、發(fā)射方向、偏振態(tài)和相位完全相同?？紤]電場的平方項E=E0cosωtP(2)=βE2=βE02cos2ωt=βE022(1+cos2ωt)出現(xiàn)直流項和二倍頻項cos2ωt,直流項稱為光學(xué)整流，當(dāng)激光以一定角度入射到倍頻晶體時，在晶體產(chǎn)生倍頻光，產(chǎn)生倍頻光的入射角稱為匹配角?？梢钥闯鲈跍囟纫欢〞r，驅(qū)動電流低于閾值電流（門限電流）時，激光器輸出功率趨近于零，此即為LD熒光區(qū)；只有當(dāng)驅(qū)動電流高于閾值電流時才能產(chǎn)生激光，即為激光區(qū)，在這個區(qū)域內(nèi)，輸出功率隨電流I的增大而迅速呈似線性式增大。推測：降序系統(tǒng)溫度偏高，綠光532nm激光振動模式增益得到削弱所致；電流一定的情況下，隨著溫度升高，半導(dǎo)體激光器LD的閾值電流增大，導(dǎo)致發(fā)光功率降低。為了方便可以全程打開著準(zhǔn)直HeNe激光器，在不需要它的時候只需要在其出射端軌道上加遮擋屏即可。最為關(guān)鍵和主要的步驟是光路的準(zhǔn)直校準(zhǔn)，具體步驟如下： 將小孔光屏置于軌道上，打開準(zhǔn)直HeNe激光光源?？扇菀卓闯鰧嶒炈?08nmLD的門限電流大致在70mA左右。在正常色散情況下，倍頻光的折射率n2ω總是大于基頻光的折射率，所以相位失配，雙折射晶體中的o光和e光折射率不同，且e光的折射率隨著其傳播方向與光軸間夾角的變化而改變，可以利用雙折射晶體中o光、e光間的折射率差來補償介質(zhì)對不同波長光的正常色散，實現(xiàn)相位匹配。激光器主要有：工作物質(zhì)、諧振腔、泵浦源組成。 激發(fā)態(tài)壽命很短，在不受外界影響時，它們會自發(fā)地返回基態(tài)，并放出光子。當(dāng)外加光場的電場強度比物質(zhì)原子的內(nèi)場強小得多時，物質(zhì)感生的電極化強度與外界電場強度成正