【正文】 等 ?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)速為 7200RPM的硬盤間隙一般都低于 μm，以利于讀取較大的高信噪比信號，提供數(shù)據(jù)傳輸率的可靠性。 磁盤片 ? DATA，數(shù)據(jù)層，主要負責硬盤中數(shù)據(jù)的存放，當數(shù)據(jù)復制到硬盤時，數(shù)據(jù)就存儲在這個區(qū)中。 ? 目前硬盤的高速緩存一般為 512KB～2MB，最近出現(xiàn)的 8MB緩存硬盤。 ? GMR（ Giant Mago Resistive，巨型磁阻磁頭）是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù)，使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu)，從而可以實現(xiàn)更高的存儲密度。其最大的特點及好處就是將硬 盤的最大外部數(shù)據(jù)傳輸率提高到了100MB/s。這兩款產(chǎn)品防水的性能可以說是達到了極限，將其放入水中后取出晾干，數(shù)據(jù)仍可保證不丟失，而且重量僅僅15克，體積有如口香糖一樣大小。 LARGE 模式采用的方法是把柱面數(shù)除以 2，把磁頭數(shù)乘以 2，使得某些硬盤的柱面低于 1024，但其結(jié)果總?cè)萘坎蛔儭ＭǔＪ瞧骄鶎さ罆r間和平均潛伏時間之和。只有提高每張碟片的容量才能從根本上解決這個問題。 磁盤片 ? DBR（ DOS Boot Record， Dos引導記錄），該層位于硬盤的 0柱面、 1磁頭、 1扇區(qū)的位置，它是由格式化命令Format產(chǎn)生的。 硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu) ?細看硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 ? 1973年， IBM公司制造出了第一臺采用溫徹斯特技術(shù)的硬盤，從此硬盤技術(shù)的發(fā)展有了正確的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)，現(xiàn)在使用的硬盤大多是此技術(shù)的延伸。 硬盤的結(jié)構(gòu) ? 硬盤尺寸主要有 種，現(xiàn)在市場上普遍使用的是 硬盤。 硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu) ?細看硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 DBR結(jié)束標志也是55AA。 ? 單碟容量的一個重要意義在于提升硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度。 連續(xù)無故障時間 (MTBF) ? 是指硬盤從開始運行到出現(xiàn)故障的最長時間，單位是小時。在 LARGE模式中， 可支持的最大容量為 1GB。 ? 易盤和優(yōu)盤以目前在 PC機、筆記本電腦上普遍流行的 USB接口為傳輸通道，而且易盤無需驅(qū)動器和驅(qū)動程序，即插即用，無需重新啟動計算機，大大方便了廣大用戶的使用。這個接口已經(jīng)得到了英 特爾公司和其他一些第一流的芯片制造商的支持，目前也已被正 式確立為硬盤的下一代接口類型。 新型磁頭技術(shù) ? MR（ Mago一 Resistive Head，磁阻磁頭）技術(shù)可以更高的實際記錄密度、記錄數(shù)據(jù)，從而增加硬盤容量，提高數(shù)據(jù)吞吐率。 高速緩存 ? 指在硬盤內(nèi)部的高速存儲器，硬盤的數(shù)據(jù)被磁頭讀取后先存到硬盤上的緩存芯片中，再由接口傳送給系統(tǒng)，緩存的容量和速度都對硬盤速都有直接影響。 磁盤片 ? DIR（ Directory，文件目錄），當在DOS模式下輸入 DIR后，屏幕上顯示的內(nèi)容就是該區(qū)的內(nèi)容。 ? 磁頭是硬盤技術(shù)中最重要和關(guān)鍵的一環(huán)，實際上是集成工藝制成的多個磁頭的組合，它采用了 非接觸式頭、盤結(jié)構(gòu) ，加后電在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤表面移動，與盤片之間的間隙只有 ～ μm ，這樣可以獲得很好的數(shù)據(jù)傳輸率。 ? 硬盤主要由：盤片，磁頭，盤片轉(zhuǎn)軸及控制電機，磁頭控制器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，接口，緩存等幾個部分組成。 ? 1968年， IBM公司又提出了溫徹斯特(Winchester)技術(shù)。 控制電路板