變溫霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告(留存版)
【正文】 表1 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄表注：由于EE沒辦法消除，因此UH=UH實(shí)+EE。l 產(chǎn)生本征激發(fā)的高溫區(qū)（A點(diǎn)左側(cè)）3．霍爾效應(yīng)圖4 霍爾效應(yīng)示意圖霍爾效應(yīng)是一種電流磁效應(yīng)，當(dāng)樣品通以電流I，并加一磁場(chǎng)垂直與電流，則在樣品的兩側(cè)產(chǎn)生一個(gè)霍爾電位差：UH=RHIBd(5)UH與樣品的厚度d成反比，與磁感應(yīng)強(qiáng)度B和電流I成反比。霍爾系數(shù)及電導(dǎo)率的測(cè)量時(shí)分析半導(dǎo)體純度以及雜質(zhì)種類的一種有力手段，也可用于研究半導(dǎo)體材料電運(yùn)輸特征，至今仍是半導(dǎo)體材料研制工作中必不可少的一種常備測(cè)試方法。而摻有Ⅴ族元素的半導(dǎo)體則為N型半導(dǎo)體。圖6 VTHM1型變溫霍爾效應(yīng)儀2．實(shí)驗(yàn)方法本
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