【正文】 還需要設置非線性電阻保護，目前常用的方法有 壓敏電阻 和 硒堆 。 5逆變器按直流側提供的電源的性質來分，可分為 電壓 型逆變器和 電流 型逆變器，電壓型逆變器直流側是電壓源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側 用 電容 器進行濾波，電壓型三相橋式逆變電路的換流是在橋路的 本橋 元件之間換流，每只晶閘管導電的角度是 180 度；而電流型逆變器直流側是電流源，通常由可控整流輸出在最靠近逆變橋側是用 電感 濾波，電流型三相橋式逆變電路換流是在 異橋 元件之間換流，每只晶閘管導電的角度是 120 度。 為了減小電力電子器件本身的損耗提高效率，電力電子器件一般都工作在 開關狀態(tài) ，但是其自身的功率損耗 （開通損耗、關斷損耗）通常任遠大于信息電子器件，在其工作是一般都需要安裝 散熱器 。 ☆ 6 種斬波電路：電壓大小變換：降壓斬波電路（ buck變換器 )、升壓斬波電路、 Cuk斬波電路、 Sepic 斬波電路、 Zeta斬波電路 升壓斬波電路輸出電壓的計算公式 U=?1E β =1 ɑ 。 180176。當需要從交流側向直流側反饋無功能量時 ,電流并不反向 ,依然經電路中的可控開關器件流通 ,因此不需要并聯(lián)反饋二極管。 fc 過低時由調制帶來的諧小組不易濾除。 1. 如下圖所示（ L 和 R串聯(lián)后作為負載），說明晶閘管導通的條件是什么？關斷時和 導通 后晶閘管的端電壓、流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定 ? 答 ：晶閘管導通的條件是：陽極承受正向電壓，處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在門極加正向觸發(fā)電壓，才能使其導通。 同步調制： fr變化時 N不變，信號波一周期內輸出脈沖數固定。對于三相 PWM 型逆變電路來說，三相輸出的對稱性也變差。 導通：正向電壓、觸發(fā)電流 半控 ：晶閘管 全控： 門極可關斷晶、電力晶體管、電力場效應管， IGBT 電流控 門極可關斷晶、電力晶體管、 電壓控 電力場效應管， IGBT 半控型器件有 SCR（晶閘管） ， 全控型器件有 GTO、 GTR、 MOSFET、 IGBT 電流驅動器件有 SCR、 GTO、 GTR 電壓型驅動器件 ： MOSFET、 IGBT ☆半控器件： 大電壓大電流，即大功率場合 ☆全控器件： 中小功率 具有變壓器中心抽頭的 單相全波可控整流電路，問該變壓器還有直流磁化問題嗎？ 具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路中，因為變壓器二次測繞組中，正負半周內上下繞組內電流的方向相反，波形對稱，其一個周期內的平均電流為零，故不會有直流磁化的問題 （變壓器變流時雙向流動的就沒有磁化 存在磁化的：單相半波整流、三相半波整流） 電壓型逆變電路中反饋二極管的作用是什么？為什么電流型逆變電路中沒有反饋二極管？ 在電壓型逆變電路中 ,當交流側為阻感負載時需要提供無功功率 ,直流側電容起 緩沖無功能量的作用。 2 晶閘管額定電流為 100A，通過半波交流電時， 電流的波形系數為 Kf=，電流的有效值計算為 /2mI ，則通過 電流最大值 mI 為 314 A。 1 四種換流方式分別為 器件換流 、 電網換流 、 負載換流 、 強迫換流 。 60、直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有 降壓 斬波電路； 升壓 斬波電路； 升降 斬波電路。 4晶閘管在觸發(fā)開通過程中，當陽極電流小于 掣住 電流之前，如去掉 觸發(fā) 脈沖，晶閘管又會關斷。 度。 2在電力晶閘管電路中，常用的過電壓保護有 避雷器 ； 阻容吸收 ； 硒堆 ； 壓敏電阻 和 整流式阻容吸收 等幾種。 Ⅲ +觸發(fā)：第一陽極 T1接 負 電壓，第二陽極 T2 接 正 電壓 ,門極 G接 正 電壓， T2接 負 電壓。 （ 2）根據公式得 VETtEtt tU onof fon ono 802020020 ???????? AR EUI MOo 510 3080 ????? 三、填空 （每空 1分 ,共 30 分） 請在空格內標出下面元件的簡稱： 電力晶體管 GTR ；可關斷晶閘管 GTO ；功率場效應晶體管 MOSFET ；絕緣柵雙極型晶體管 IGBT ； IGBT是 MOSFET 和 GTR 的復合管。嚴禁用兆歐表 檢查晶閘管的絕緣情況。 （ 2）逆變失敗后果是嚴重的，會在逆變橋與逆變電源之間產生強大的環(huán)流，損壞開關器件。、 由下面單結晶體管的觸發(fā)電路圖畫出各點波形。 度；實際移相才能達 0186。 普通晶閘管的圖形符號是 ，三個電極分別是 陽極 A ， 陰極 K 和 門極 G 晶閘管的導通條件是 陽極加正電壓， 陰極接負電壓，門極接正向電壓形成了足夠門極電流時晶閘管導通 ；關斷條件是 當晶閘管陽極電流小于維持電流 IH 時，導通的晶閘管關斷 。 逆變發(fā)電機狀態(tài)：電流方向從上到下，電壓 Ud方向上負下正，發(fā)電機電勢 E 方向上負下正， Ud 小于 E，控制角的移相范圍 90176。 什么是逆變失??？逆變失敗后有什么后果？形成的原因是什么 逆變失敗指的是：逆變過程中 因某種原因使換流失敗，該關斷的器件末關斷，該導通的器件末導通。120186。 4實現有源逆為的條件為 要有一個直流逆變電源，它的極性方向與晶閘管的導通方向一致，其幅極應稍大于逆變橋直流側輸出的平均電壓；逆變橋必須工作在 β 90186。 等到參數有關。 1有一晶閘管的型號為 KK200－ 9，請說明 KK 快速晶閘管 ； 200 表示表示 200A ， 9 表示 900V 。 在電流型逆變器中，輸出電壓波形為 正弦波 波，輸出電流波形為 方波 波。 第 4 章 交流 — 交流電力變換電路 稱為 _變頻電路 _，變頻電路有交交變頻電路和 _交 直 交變頻 _電路兩種形式，前者又稱為 _直接 變頻電路 __，后者也稱為 _間接 變頻電路 _。 變化時，整流輸出的電壓 ud 的諧波幅值隨 ???的增大而 _減小 _。 ：電力二極管（ Power Diode）、晶閘管（ SCR）、門極可關斷晶閘管（ GTO）、電力晶體管（ GTR）、電力場效應管（電力 MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT）中，屬于不可控器件的是 _電力二極管 __，屬于半控型器件的是 __晶閘管 _，屬于全控型器件的 是 _ GTO 、 GTR 、 電力 MOSFET 、 IGBT _；屬于單極型電力電子器件的有 _電力 MOSFET _，屬于雙極型器件的有 _電力二極管 、 晶閘管 、 GTO 、 GTR _，屬于復合型電力電子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是 _晶閘管 _，工作頻率最高的是 _電力 MOSFET，屬于電壓驅動的是 電力 MOSFET 、 IGBT _，屬于電流驅動的是 _晶閘管 、 GTO 、 GTR _。 ，電力電子器件功率損耗主要為 __通態(tài)損耗 __，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為 __開關損耗 __。 的開啟電壓 UGE（ th）隨溫度升高而 _略有下降 __，開關速度 __小于 __電力 MOSFET 。 ～ 90176。 ，降壓斬波電路能使電動機工作于第 __1__象限，升壓斬波電路能使電動機工作于第 __2__象限， _電流可逆斬波 電路能使電動機工作于第 1和第 2象限。 晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是 要有足夠的驅動功率 、 觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高 和 觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步 。 1 直流斬波電路按照輸入電壓與輸出電壓的高低變化來分類有 降壓 斬波電路； 升壓 斬波電路； 升降壓 斬波電路。 2絕緣柵雙極型晶體管是以 電力場效應晶體管柵極； 作為柵極，以 以電力晶體管集電極和發(fā)射極 復合而成。 。 50、三相半波可控整流電路電阻性負載時，電路的移相范圍 0186。 單相橋式半控整流電路，電阻性負載。 （ 2）、說明 E與 Ud的大小關系。 按逆變后能量饋送去向不同來分類，電力電子元件構成的逆變器可分 為 有源 逆變器與 無源 逆變器兩大類。的寬脈沖 觸發(fā)；二是用 脈沖前沿相差 60186。 交流零觸發(fā)開關電路就是利用 過零觸 發(fā) 方式來控制晶閘管導通與關斷的。優(yōu)點是：信號波一周內輸出的脈沖數是固定的，脈沖相位也是固定的，對稱性好。 正確使用晶閘管應該注意哪些事項？ 答：由于晶閘管的過電流、過電壓承受能力比一般電機電器產品要小的多，使用中除了要采取必要的過電流、過電壓等保護措施外，在選擇晶閘管額定電壓、電流時還應留有足夠的安全余量。 （ 2） ? 2UU d ? 當 ?30?? 時， VUU d 7830c 2 ????? ?? ARUI dd 39278 ??? AII d 392 ?? 4. 在圖 1 所示的降壓斬波電路中，已知 VE 200? ， ??10R ， L 值極大， VEM 30? 。（寫出四種即可） 雙向晶閘管的觸發(fā)方式有 Ⅰ + 、 Ⅰ 、 Ⅲ＋ Ⅲ 四種 。其中調制法又可分為 異步調控法 、 同 步 調 控法 兩種。 3在同步 電壓為鋸齒波的觸發(fā)電路中，鋸齒波底寬可達 240186。 4當負載為大電感負載，如不加續(xù)流二極管時，在電路中出現觸發(fā)脈沖丟失時 單相橋式半控整流橋 與 三相橋式半控整流橋 電路會出現失控現象。 換一次相，在電流連續(xù)時每只晶閘管導通 120 度。 ☆單相全控帶電阻性負載觸發(fā)角為 180 度 ☆三相全控帶阻感性負載觸發(fā)角為 90 度 1 單相全波可控整流電路中，晶閘管承受的最大反向電壓為 2√2U1 。 ☆改變調制信號的頻率就可以改變輸出直流信號的頻率 ☆改變調制比可以改變輸出電壓有效值 電力電子器件串聯(lián)必須考慮靜態(tài)和動態(tài) 均壓 （每個器件并聯(lián)一個電阻） 。 3 交交變頻是一種直接變頻，其輸出的電壓是由多段電網電壓拼接而成，決定了其輸出頻率不高，當采用 50Hz工頻電壓，三相六脈波橋式逆變電路，其輸出的上限頻率一般不超過 20Hz 。這樣，當信號波頻率較低時，載波比 N 較大，一周期內的脈沖數較多，正負半周期脈沖不對稱和半周期內前后1/4 周期脈沖不對稱產生的不利影響都較小， PWM 波形接近正弦波。在信號波的半周期內， PWM波的脈沖個數不固定，相位也不固定，正負半周期的脈沖不對稱，半周期內前后 1/4周期的脈沖也不對稱。 晶閘管的關斷時其兩 端電壓大小由電源電壓 UA決定，電流近似為零。使開關器件難以承受。 （ 1）直流側為電壓源或并聯(lián)大電容，直流側電壓基本無脈動； (2)輸出電壓為矩形波（電流為正弦波），輸出電流因負載阻抗不同而不同； (3)阻感負載時需提供無功。 3 在 SCR(Silicon Controlled Rectifier)、 GTO(Gate TurnOff Thyristor)、 GTR(Giant Transistor)、MOSFET(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor)、 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有 SCR ，全控型器件有 GTO、 GTR、 MOSFET、 IGBT ，電流驅動器件有 SCR、 GTO、 GTR 。 1 普通晶閘管 （用正弦半波電流平均值定義） 與雙向晶閘管的額定電流定義不一樣， 雙向 晶閘管 的額定電流是用電流有效值來表示的。選用時，額 定電壓要留有一定的裕量，一般取額定電壓為正常工作時晶閘管所承受峰值電壓的 2~3 倍。 5由波形系數可知，晶閘管在額定情況下的有效值電流為 ITn等于 倍 IT（ AV） ，如果 IT（ AV