【正文】 繞組的標點端電壓升至某一較高值時，另一個繞組標點端電壓也會升至較高值。MOSFET導(dǎo)通關(guān)斷的損耗過程P145 導(dǎo)通過程中，開關(guān)兩端電壓，直到電流轉(zhuǎn)換完成才開始變化。關(guān)斷時，開關(guān)管的關(guān)斷電阻是1Ω。6， CM噪聲，主要來自開關(guān)管（漏極）和散熱支架（接地）之間有耦合電容，高頻開關(guān)電壓和地之間通過電容充放電，形成到地的CM噪聲。所以Cgs沒有電流Vd從Vin變至0，所以有電流流過Cgd流出柵極，同時有同樣電流通過Rdrive流入。H離線式變壓器，需降低高頻銅耗、減小變壓器體積等各種原因，磁心選擇P99，為經(jīng)驗公式，待實踐磁心面積Ae＝匝數(shù)如前面的電壓相關(guān)方程B＝LI/NA，則N＝LI/BA，此時的B應(yīng)該為ΔBLI＝伏秒數(shù)Et，ΔB＝2 BAC＝2r BPK /（r＋2）鐵氧體磁心BPK≤則有一次繞組匝數(shù)（和書上的計算公式不一樣，需要公式變換）np＝LI/（ΔB*Ae）＝Et/{[2r BPK /（r＋2）]*A}＝(1+2/r)*Et/(2 BPK*Ae)＝473*106(1+2/)/(2***104)＝則5V輸出的匝數(shù)是ns＝np/n＝＝≈2匝 取整數(shù)反過來計算np＝ns*n＝2*＝≈46匝12V繞組的匝數(shù)是[（12＋1）/（5＋）]*2=≈5匝，實際的磁通密度變化范圍ΔB＝LI/NA＝Et/ NA＝ TBPK＝ΔB（r＋2）/2r＝磁隙磁芯間距導(dǎo)線規(guī)格和銅皮厚度選擇是個問題，后續(xù)看反激電源設(shè)計實例：34006820的待機部分，變壓器1100387720w待機電源5V/4A，超薄電源用，要求變壓器體積小，待機電流小于30mA，開關(guān)頻率67KHz，電壓輸入范圍85264VAC，650V的芯片內(nèi)置MOSFET1，假設(shè) 效率η＝ Po＝20WPin＝Po/η＝20/＝2，DC電壓輸入范圍：最小輸入電壓VDCMIN＝*85＝，如下圖，電容充電的問題，電壓有10％－15％的變化，所以VDCMIN＝*＝ VDCMAX＝*264＝3，確定最大占空比DMAX在CCM下，避免諧波振蕩?？諝獯艑?dǎo)率μ0=4107H/m法拉第定律（楞次定律）：電感電壓V與線圈匝數(shù)N成正比與磁通量變化率V＝NdΦ/dt＝NAdB/dt線圈的電感量：通過線圈的磁通量相對于通過它的電流的比值L=H*NΦ/I磁通量Φ與匝數(shù)N成正比，所以電感量L與匝數(shù)N的平方成正比。則代入k后，dB＝μ0IdlR/4R3 對其積分可得B＝磁通量：通過一個表面上B的總量 Φ＝，如果B是常數(shù)，則Φ＝BA，A是表面積H＝B/μ→B＝μH，μ是材料的磁導(dǎo)率。s一次電感LμH＝Et/（r* ILR）＝473/（*）＝636181。t2時間，由I＝Cdv/dt ＝/t由上行知道=（Vt＋Io/g－Vsat）/Rdrive Vsat為驅(qū)動電路的晶體管導(dǎo)通電壓，則t2階段時間為＝CgsVinRdrive/（Vt＋Io/g－Vsat）t3階段，有交越損耗導(dǎo)通過程t3Vgs被鉗位于Vt＋Io/g不變，因為Id＝Io不變，Vgs＝Vt＋Iog也不變。線路阻抗不平衡，會使CM噪聲轉(zhuǎn)變成DM噪聲這個實踐性比較強，先寫幾個注意事項：1， DM扼流圈放在AC輸入端，用于DM噪聲消除，一般DM扼流圈比較小，2， 放2個CM扼流圈，一般CM扼流圈比較大，達到mH級，因為Y電容比較小3， 在橋堆前面放一個X電容，用于平衡2線上的CM噪聲，使CM扼流圈有用4， Y電容不能太大，有安全考慮，LC濾波器的設(shè)計5， DM噪聲大部分因為，開關(guān)管的濾波電容，其ESR不能為0，開關(guān)管的電流在ESR上形成噪聲電壓源。據(jù)此計算出其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。即VI有交迭 關(guān)斷過程中，直到開關(guān)兩端電壓轉(zhuǎn)換完成，其電流轉(zhuǎn)換才開始導(dǎo)通損耗，mosfet的導(dǎo)通損耗與占空比有關(guān)，與頻率無關(guān)寄生電容有效輸入電容Ciss，輸出電容Coss，反向傳輸電容Crss，他們與極間電容的關(guān)系如下：Ciss＝Cgs＋CgdCoss＝Cds＋CgdCrss＝Cgd則有下式（Ciss，Coss ，Crss在產(chǎn)品資料中有）Cgd＝CrssCgs＝Ciss－CrssCds＝Coss－Crss門極開啟電壓Vt，mosfet的柵極有開啟電壓，只有柵極電壓超過開啟電壓，才能使mosfet完全導(dǎo)通，即把流過mosfet的電流超過1mA時的狀態(tài)定義為導(dǎo)通狀態(tài)。同樣，所有標點端電壓也可以同一時間變低?！毒ㄩ_關(guān)電源設(shè)計》筆記三種基礎(chǔ)拓撲（buck boost buckboost）的電路基礎(chǔ)： 1， 電感的電壓公式＝，推出ΔI＝VΔT/L2， sw閉合時，電感通電電壓VON，閉合時間tON sw關(guān)斷時，電感電壓VOFF，關(guān)斷時間tOFF3， 功率變換器穩(wěn)定工作的條件：ΔION＝ΔIOFF即，電感在導(dǎo)通和關(guān)斷時，其電流變化相等。因為它們繞組不相連，但在同一個磁心上，磁通量的變化相同。所以傳導(dǎo)方程要改g＝Id/Vgs → g＝Id/（Vgs－Vt）如上圖簡化模型，mosfet導(dǎo)通和關(guān)斷各有4個階段P150導(dǎo)通是Id電流先增加t2，Vd電壓后減小t3。Ciss＝Qgs/（Vt＋Io/g）＝8/（+22/100）＝6299pF在指定的曲線上Ciss＝4200pF則縮放比例為Scaling＝6299/