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電力二次設(shè)備帶電清洗必要性分析(留存版)

2025-08-09 15:38上一頁面

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【正文】 屏、繼電保護(hù)屏、開關(guān)柜、端子箱、操作箱的端子排等二次元件的清潔工作, 變電站的二次線及端子箱應(yīng)定期進(jìn)行檢查、清掃。 二次回路綜合檢查7)送風(fēng)系統(tǒng): 環(huán)境控制系統(tǒng)(如空調(diào))是為了改善設(shè)備的工作條件而設(shè)計(jì)的,但事實(shí)證明,送風(fēng)系統(tǒng)往往導(dǎo)致更嚴(yán)重的靜電吸附,使其通路的設(shè)備上(包括電路板上)積聚更多的塵埃、油污、鹽份、酸性氧化物和建筑粉塵等。數(shù)據(jù)表明,當(dāng)溫度升高10℃,設(shè)備的可靠性將下降25%;當(dāng)溫度繼續(xù)上升,可能會(huì)將耐溫性較差的元器件或者接線燒壞。要保證設(shè)備的可靠性除了在設(shè)備的設(shè)計(jì)、選購、驗(yàn)收、安裝環(huán)節(jié)中嚴(yán)格把關(guān)外,在設(shè)備投運(yùn)后的運(yùn)行維護(hù)更是不可忽視的重要一環(huán)。溶有污染物的水分對于電力二次設(shè)備腐蝕效應(yīng)的形成與加速起著重要的作用。④吸潮的沙石和塵埃的積聚可以破壞電氣接點(diǎn),妨礙正常的旋轉(zhuǎn)作用和電極的從動(dòng)機(jī)構(gòu),引起指示儀表出現(xiàn)故障,這些問題必然會(huì)使設(shè)備發(fā)生故障和帶來安全風(fēng)險(xiǎn)。二次回路的任務(wù)是反映一次系統(tǒng)的:工作狀態(tài),控制一次系統(tǒng)并在一次系統(tǒng)發(fā)生事故時(shí)能使事故部分迅速退出工作。 清掃高于人頭的設(shè)備時(shí),必須站在堅(jiān)固的凳子上,防止跌倒觸動(dòng)保護(hù)裝置。帶電清洗又稱在線保潔維護(hù),是指對精密電氣設(shè)備在不停電、不停止運(yùn)行或階段性斷電并即時(shí)恢復(fù)工作的前提下,利用專用清洗產(chǎn)品和技術(shù)手段,由專業(yè)技術(shù)人員遵循規(guī)范的操作規(guī)程作業(yè),迅速徹底清除設(shè)備表面及深層的各種靜電、灰塵、油污、潮氣、鹽份、炭漬、酸堿氣體等污垢,從而提高設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性,延長設(shè)備使用壽命。 由此可以看出由于設(shè)備自身工作特性和所處工作環(huán)境的影響,電力二次設(shè)備的污染已經(jīng)成為巨大的安全隱患。元器件失效機(jī)理元器件類別元器件組成部分失效機(jī)理失效標(biāo)志MOS結(jié)構(gòu)MOSFET(分立)、MOS集成、數(shù)字集成、線性集成、混合電路電壓引起的介質(zhì)擊穿和接著發(fā)生的大電流現(xiàn)象短路漏電流大半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)二極管()雙極晶體管、結(jié)型場效應(yīng)管、可控硅、雙極型集成電路、MOSFET和MOS集成電路電過剩能量和過熱引起的微等離子體二次擊穿和微擴(kuò)散;由Si和Al的擴(kuò)散引起電流束增大(電熱遷移)失效薄膜電阻器混合集成電路(厚膜、薄膜)、電阻單片、集成電路薄膜  電阻器密封薄膜、電阻器介質(zhì)擊穿,與電壓有關(guān)的電流通路與焦?fàn)枱崃坑嘘P(guān)的微電流通路的破壞電阻漂移金屬化條混合IC、單片IC、梳狀覆蓋式晶體管與焦?fàn)枱崮芰坑嘘P(guān)的金屬燒毀開路場效應(yīng)結(jié)構(gòu)和非導(dǎo)電性蓋板存貯器EPROM等由于ESD使正離子與表面積壘,引起表面反型或柵閥值電壓漂移性能退化、失效壓晶體管晶振聲表面波、電壓過高產(chǎn)生的機(jī)械力,使晶體破裂
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