第十二屆三束學(xué)術(shù)會議(留存版)
【正文】 和中國科學(xué)院電工研究所聯(lián)合承辦。要求：公式正確，圖表簡明清晰。請自留底稿， 無論錄用否，均不退稿。版芯尺寸為155180。（3） 論文一律采用A4紙激光打印?，F(xiàn)將學(xué)術(shù)會議的征文工作通知如下：一、征文范圍： 1. 電子束、離子束光刻及微細(xì)加工工藝 2. 電子束、離子束輻照材料改性 3. 電子束曝光及相關(guān)技術(shù) 4. 半導(dǎo)體離子注入與離子束合成（包括器件和集成電路） 5. 離子注入及相關(guān)技術(shù) 6. 光子束的薄膜淀積、雜質(zhì)及材料加工工藝 7. X射線光刻（包括掩模） 8. 分子束外延（MBE）、CBE、MOCVD及其他新外延技術(shù) 9. 等離子體加工技術(shù)（包括PECVD、濺射等
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