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薄膜太陽能電池的研究與發(fā)展現(xiàn)狀畢業(yè)論文(留存版)

2025-08-06 19:46上一頁面

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【正文】 組件市場占有率高達90%,但是,晶體硅電池本身生產(chǎn)成本較高,組件價格居高不下,這為薄膜硅太陽能電池的發(fā)展創(chuàng)造了機遇。當前基于單晶硅或者多晶硅硅片的晶體硅電池組件市場占有率高達90%,但是,晶體硅電池本身生產(chǎn)成本較高,組件價格居高不下,這為薄膜硅太陽能電池的發(fā)展創(chuàng)造了機遇。圖3為使用三種制備TCO技術(shù)獲得的TCO表面形貌圖。Barua等人在aSi電池中使用p型aSiO:H作為窗口層也獲得較好的電池效率。圖47的左圖為aSi/mcSi的結(jié)構(gòu)示意圖,右圖為aSi/aSi薄膜疊層電池與aSi/mcSi薄膜疊層電池的光譜響應(yīng)圖。目前前三項技術(shù)已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)化中使用,而中間層技術(shù)尚處于實驗室研究階段,但是中間層技術(shù)可有效地解決aSi/mcSi疊層電池中所遇到的困難。今年10 月,英特爾投資公司以2 000 萬美元投資正處于擴張期的深圳創(chuàng)益科技,英特爾CEO 歐德寧表示:“我們的投資注重在清潔技術(shù)方面的投資機會,這是考慮到環(huán)保的重要性與日俱增,油價的不斷攀升,還有清潔技術(shù)的發(fā)展等,這是一個非常好的機會?!斑@一次,光伏產(chǎn)業(yè)不會再像過去那樣發(fā)生倒退而被湮沒,”O(jiān)39。晶體硅電池的制造成本主要取決于硅片生產(chǎn)能耗與高純度硅料價格,由于能源價格居高不下,高純度硅料的生產(chǎn)技術(shù)及市場供應(yīng)又被幾家主要廠商壟斷,造成晶體硅電池成本高起,且未來下降空間狹窄,限制了其技術(shù)發(fā)展和市場推廣。為使硅有源層薄至5~20 μm,可以在成本較低的硅襯底上淀積硅有源層,這樣制得的電池被稱為薄膜晶體硅太陽能電池。除成本和可用性等優(yōu)勢以外,這種方法還可以使硅太陽能電池從基于硅片的技術(shù)逐漸過渡到薄膜技術(shù)。 應(yīng)用及產(chǎn)能隨著薄膜光伏技術(shù)的成熟,新安裝的太陽能電池陣列在規(guī)模上將越來越大。在低成本、商用的浮法TCO 玻璃襯值)177。圖54 全球太陽能裝機容量根據(jù)Greentech 和Prometheus 研究所的最新報告,到2008 年,全球薄膜太陽能電池產(chǎn)量將會增長8 倍,而非晶硅太陽能電池是薄膜太陽能電池的主流。若這些薄膜光伏公司計劃進入市場,則幾項關(guān)鍵的研究開發(fā)及技術(shù)問題有待解決。 參考文獻[1]席珍強,陳君,[J].新能源,2000,22(12):100102.[2][J].應(yīng)用光學,2001,22(3):3440.[3]莊大明,[J].真空,2004,41(2):17.[4]孫強,許軍,[J].人工晶體學報,2005,34(5):911914.[5][M].北京:化學工業(yè)出版社,2006.[6][D]. 廣州:華南理工大學,2004.[7] 沐俊應(yīng),徐娟,粱氏秋水,朱宏偉,陳振興. 有機薄膜太陽能電池的研究進展[8] 錢敏“, 光伏走進薄膜時代?”半導體國際,12,2008 光伏專刊. [9] 徐慢,夏冬林,楊晟,趙修建,薄膜太陽能電池。估計2008 年144 家薄膜廠商中只有8 家擁有超過25 MW 的薄膜產(chǎn)能,2010 年這個數(shù)字將達到30 家。圖53 DEK 公司最先進的PV1200 金屬鍍膜線 該機可提供每小時1 200 個電池產(chǎn)量、六西格瑪工藝水平、 μm 精度和先進的處理能力。 () 襯底的AKT PECVD平臺上成功地開發(fā)出太陽能PECVD 工藝。這項技術(shù)還不像其它薄膜技術(shù)那樣成熟,但已經(jīng)表現(xiàn)出使成本降低的巨大潛力。薄膜電池的最大優(yōu)勢就是材料成本低廉。目前在工業(yè)上,硅的成本大約占硅太陽能電池生產(chǎn)成本的一半?!碧柲茈姵禺a(chǎn)品主要分為晶體硅電池、薄膜電池兩類。光伏產(chǎn)業(yè)將在近五年的時間內(nèi),靠獨立經(jīng)濟生存能力,而非政府的激勵政策來達到同電網(wǎng)電價相同的價格。原因是:各國政府在努力減小金融風暴影響的同時,相繼出臺了一些擴大內(nèi)需的政策。2006年,獲得了570mV左右的VOC。USSC公司的小面積()aSi/aSiGe/%,%。cSi電池的量子效率圖比較(3) 窗口層的研究在薄膜硅太陽能電池中,p型和n型的摻雜層被稱為“死區(qū)”,對光生電流沒有貢獻,為了提高電池的效率,應(yīng)盡量降低摻雜層中的光吸收。Meier 等人通過優(yōu)化LPCVD沉積工藝參數(shù)獲得的ZnO:B整體性能優(yōu)于FTO ,%。而Ga、In 等為比較稀有的元素,Cd 等為有毒元素,因此,這類電池的發(fā)展必然將受到資源、環(huán)境的限制。Ltaief A等研究了MEHPPV/C60體相異質(zhì)結(jié)中C60濃度對電池性能的影響,發(fā)現(xiàn)C60濃度對紫外可見吸收光譜影響不大,但對薄膜形態(tài)影響很大。1nm 的LiF 層的引入能阻止暗電流通過,有助于填充因子的提高。在上述兩種電池中,ITO 層與有機半導體層的界面處形成整流接觸,而有機半導體與金屬電極界面均為歐姆接觸。對于絕大多數(shù)無機光電池而言,光生載流子的理論解釋是基于半導體材料的能帶理論。GaAs 太陽能電池效率隨溫度升高降低比較緩慢,可以工作在更高的溫度范圍。濺射法一般通過濺射CuIn和CuGa沉積CuInGa合金薄膜預(yù)制層,然后硒化制得。在該類方法中,金屬誘導法的前景較好,它是利用aSi與特定金屬(如ANi、Pd等)相接觸時,可以大大降低aSi晶化的溫度,從而可以在低于600℃的條件下,在普通的玻璃襯底上制備多晶硅薄膜。但同時非晶硅薄膜太陽能電池仍存在一些需要解決的問題。非晶硅太陽電池由于經(jīng)濟上的優(yōu)勢使之在整個太陽電池領(lǐng)域中的地位正在迅速升高,成為一些發(fā)達國家能源計劃的重點。目前,硅電池的理論效率大概為23%,而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達到27%,而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50%。本文將著重介紹非晶硅(aSi)、多晶硅(PolySi)、銅銦鎵硒(CIGS),(GaAs)砷化鎵這幾種薄膜太陽能電池。但是當前大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的薄膜硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率只有5%7%,是晶體硅太陽能電池組件的一半左右,這在一定程度上限制了它的應(yīng)用范圍,也增加了光伏系統(tǒng)的成本。隨著技術(shù)的改進、光轉(zhuǎn)換效率的提高以及生產(chǎn)成本的下降,太陽能對未來能源的貢獻將會進一步增加。28 薄膜光伏技術(shù)商業(yè)化的關(guān)鍵問題22 中間層技術(shù)的研究7 GaAs薄膜I前 言 華中科技大學文華學院畢業(yè)設(shè)計(論文)薄膜太陽能電池的研究與發(fā)展現(xiàn)狀畢業(yè)論文目 錄摘 要4 PolySi薄膜29 應(yīng)用及產(chǎn)能29六、總結(jié)和展望本文闡述薄膜介紹有機太陽能電池研究的背景及歷史發(fā)展情況,從器件結(jié)構(gòu)、材料選擇、工藝技術(shù)等方面時近兒年來研究的幾種薄膜大陽能電池現(xiàn)狀和進展做了系統(tǒng)綜述,分析了結(jié)構(gòu)、材料等對有機太陽能電池光電轉(zhuǎn)化效率的影響,并討論其發(fā)展趨勢和以后的應(yīng)用方向,讓大家能清楚薄膜太陽能電池在未來的發(fā)展趨勢。為了最終實現(xiàn)光伏發(fā)電的平價上網(wǎng),必須進一步降低薄膜硅太陽能電池的生產(chǎn)成本,因此必須對薄膜硅太陽能電池開展持續(xù)的研究,利用新的技術(shù)與工藝降低薄膜硅太陽能電池的成本,來擴大薄膜太陽能的普及。 二、 薄膜太陽能電池的分類和特點第一代太陽能電池包括多晶硅、單晶硅電池,其中單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為16%到20%,多晶體硅電池效率為14%到16%?! 》蔷Ч杼柲茈姵氐膬?yōu)點在于其對于可見光譜的吸光能力很強,所需的硅薄膜厚度低,生產(chǎn)技術(shù)成熟,可以制作大面積太陽能電池。在薄膜太陽電池中,非晶硅太陽電池是唯一能進行大規(guī)模生產(chǎn)的器件,且價格便宜,市場占有率逐年增加。(1)由Staebler Wronski效應(yīng)的存在,使得非晶硅薄膜太陽能電池在太陽光下長時間照射會產(chǎn)生效率的衰減,從而導致整個電池效率的降低;(2)沉積速率低,影響非晶硅薄膜太陽能電池的大規(guī)模生產(chǎn);(3)后續(xù)加工困難,如Ag電極的處理問題;(4)在薄膜沉積過程中存在大量的雜質(zhì),如0NC等,影響薄膜的質(zhì)量和電池的穩(wěn)定性。后一類方法即直接沉積多晶硅薄膜,可以利用熱絲化學氣相沉積法或是采用諸如鹵硅化合物等新的原材料來沉積多晶硅薄膜。CIGS薄膜太陽能電池性能優(yōu)異,因而一些發(fā)達國家對CIGS薄膜太陽能電池非常重視,投入了大量的資金進行研究,尤其是日本、美國、德國的研究水平已處于世界領(lǐng)先,并已接近和達到實際生產(chǎn)水平,且其性能和品質(zhì)也在不斷地提高。216。 圖31 六噻吩的電子結(jié)構(gòu)與導電機理 圖32 光生伏特效應(yīng)由于共軛有機半導體材料的導電機理與無機半導體有所不同,因此,有機太陽能電池與無機太陽能電池的載流子產(chǎn)生過程有所不同。但是, 等通過紫外可見吸收光譜及光電流的研究,發(fā)現(xiàn)ITO/PrFP/Al 電池中金屬Al 與PrFP 有機層界面為整流接觸,而ITO 與有機層界面為歐姆接觸。但由于LiF 的絕緣性,電池光電轉(zhuǎn)換效率卻下降。隨著C60濃度的增大,C60與MEHPPV的互穿網(wǎng)絡(luò)逐漸形成,電池性能得到較大提高,%(碳納米管含量)時達到最佳水平;隨著C60濃度的進一步提高,由于體相異質(zhì)結(jié)中的C60微島逐漸合并為大島,導致互穿網(wǎng)絡(luò)的衰退,電池性能逐漸下降;%以上時,大島尺寸接近薄膜厚度,成為連續(xù)電子轉(zhuǎn)移通道,因此電池性能有所提高,但遠不及形成互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)時的電池的性能。因此,凝聚態(tài)穩(wěn)定的薄膜太陽能電池備受關(guān)注:潛在的低成本、輕質(zhì)量、柔韌易加工性、可低成本大面積制備等突出優(yōu)點,使得它具有很強的競爭力。但是目前國際上研究的熱點是利用磁控濺射技術(shù)沉積摻Al的ZnO(AZO),由于AZO薄膜的主體Zn、A1在自然界中的儲量豐富,生產(chǎn)成本低,具有價格優(yōu)勢;而且AZO具有FTO薄膜無法相比的優(yōu)越性:無毒、氫等離子中的穩(wěn)定性高、制備技術(shù)簡單、易于實現(xiàn)摻雜等;最重要的是AZO在光、電特性方面可滿足當今商用FTO薄膜的一切指標。除了使摻雜層的厚度盡可能降低外,研究人員常使用寬帶隙材料作為窗口層來減少光的吸收。同時GeH4(鍺烷)的價格昂貴,研究人員開始選擇另外的材料代替aSiGe。2007年,van den Donker等人通過結(jié)合HWCVD處理p/i界面技術(shù)與硅烷調(diào)制技術(shù),在PECVD沉積中獲得了603mV的VOC,%,由于本征層的晶化率只有32%,使本征層非晶成分增多,電流密度降到22mA/cm2。從世界范圍的新政來看,作為頗具前景的一個可持續(xù)發(fā)展的產(chǎn)業(yè),光伏仍是很多國家重點投資的領(lǐng)域之一。2008 年1 月14 日SEMI 在加州HalfMoon Bay 召開的工業(yè)戰(zhàn)略研討會(ISS 2008)上發(fā)表了Stephen O39。前者包括單晶硅電池、多晶硅電池兩種,占據(jù)全球該行業(yè)絕大多數(shù)的市場份額;后者主要包括非晶硅電池、銅銦鎵硒電池和碲化鎘電池等,目前市場份額較小。為減少硅的消耗量,光伏(PV)產(chǎn)業(yè)正期待著一些處于研究開發(fā)中的選擇方案。依據(jù)涂層材料的不同,薄膜電池又可分為非晶硅(aSi,硅基薄膜電池)、銅銦硒(CIS、CIGS)和碲化鎘(CdTe)三種類形。 薄膜光伏技術(shù)商業(yè)化的關(guān)鍵問題對于CIGS 薄膜光伏技術(shù)而言,在開發(fā)低成本高可靠性產(chǎn)品時,下面6 類問題是至關(guān)重要的:(1) 用于生長CIGS 吸收膜設(shè)備的標準化;(2) 更高的模塊效率;(3) 防止水氣進入柔性CIGS 模塊中;(4) 用替換工藝沉積柱狀的CIGS 結(jié)構(gòu),用于高效單元及模塊;(5) 更薄的吸收層(≤1 μm);(6) 大面積CIGS 吸收膜的化學成分控制及均一性。 m2 的襯底上得到器件性能和均勻性都非常好的SJ 和TJ 太陽能電池。PV1200 太陽能金屬鍍膜生產(chǎn)線是得可公司利用40 年開發(fā)批量印刷設(shè)備產(chǎn)品的經(jīng)驗,具有一定的技術(shù)優(yōu)勢,適用于先進的10 000 級無塵室制造環(huán)境的金屬鍍膜制造工藝。 六、 總結(jié)和展望αSi 與CdTe 薄膜光伏技術(shù)正在快速進入商業(yè)市場。武漢理工大學硅酸鹽工程教育部重點實驗室,材料導報2006,20(9)[10] 電子工業(yè)專用設(shè)備出版社,薄膜太陽能電池前景,2009年9月(總第168期). 文章編號: 10044507(2009)01000107[11] Sharma G D, Sangodkar S G, Roy M S. 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