【正文】 復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低電 力MOSFET開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，工作頻率高，不存在二次擊穿問(wèn)題電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置第2章 整流電路 1. 單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當(dāng)α＝0176。2. 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。電力MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)：要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸入電阻，驅(qū)動(dòng)功率小且電路簡(jiǎn)單。期間釋放，因此在u2一個(gè)周期中60176。流過(guò)晶閘管的電流有效值為：IVT＝Id∕＝（A）晶閘管的額定電流為：IN＝（~2）∕＝26~35（A）具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。它們?cè)谙辔簧舷嗖?80176。 解：考慮LB時(shí)，有：Ud＝－ΔUdΔUd＝3XBId∕2πId＝（Ud－E）∕R 解方程組得：Ud＝（πR ＋3XBE）∕（2πR＋3XB）＝（V）ΔUd＝（V）Id＝（A）又∵－＝2∕U2 即得出= 換流重疊角g ＝ 176。變壓器二次側(cè)電流中含有6k177。時(shí)求Ud、Id和g 的值。所以同步信號(hào)滯后ua 180176。解：整流變壓器接法如下圖所示以a相為例，ua的120176。時(shí)求Ud、Id與g 的值，此時(shí)送回電網(wǎng)的有功功率是多少？解：由題意可列出如下3個(gè)等式：Ud＝(πβ)－ΔUdΔUd＝3XBId∕πId＝（Ud－EM）∕R三式聯(lián)立求解，得Ud＝[ cos(πβ)＋3XBEM]∕(πR＋3XB)＝－（V）Id＝（A） 由下式可計(jì)算換流重疊角：－＝2XBId∕U2＝＝γ＝176。＝176。 60176。解：假設(shè)，當(dāng)負(fù)載為電阻時(shí)，ud的波形如下： 當(dāng)負(fù)載為電感時(shí)，ud的波形如下： 8．三相半波整流電路，可以將整流變壓器的二次繞組分為兩段成為曲折接法，每段的電動(dòng)勢(shì)相同，其分段布置及其矢量如圖260所示，此時(shí)線(xiàn)圈的繞組增加了一些，銅的用料約增加10%，問(wèn)變壓器鐵心是否被直流磁化，為什么？圖260 變壓器二次繞組的曲折接法及其矢量圖答：變壓器鐵心不會(huì)被直流磁化。 3．單相橋式全控整流電路，U2＝100V，負(fù)載中R＝2Ω，L值極大，當(dāng)α＝30176。時(shí)，在u2正半周期60176。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當(dāng)柵極開(kāi)路時(shí)極易受靜電干擾而充上超過(guò)20的擊穿電壓，所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞，應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：① 一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接；② 裝配時(shí)人體、工作臺(tái)、電烙鐵必須接地，測(cè)試時(shí)所有儀器外殼必須接地；③ 電路中，柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過(guò)高④ 漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過(guò)電壓。+＞1，兩個(gè)等效晶體管過(guò)飽和而導(dǎo)通；+＜1，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。時(shí)，在電源電壓u2的正半周期晶閘管導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電感L儲(chǔ)能，在晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)刻，負(fù)載電流為零。② 當(dāng)單相全波整流電路與單相全控橋式整流電路的觸發(fā)角a 相同時(shí)，對(duì)于電阻負(fù)載：（0~α）期間無(wú)晶閘管導(dǎo)通，輸出電壓為0；（α~π）期間，單相全波電路中VT1導(dǎo)通，單相全控橋電路中VTVT4導(dǎo)通，輸出電壓均與電源電壓u2相等；(π~π＋α)期間，均無(wú)晶閘管導(dǎo)通，輸出電壓為0；(π＋α ~ 2π)期間，單相全波電路中VT2導(dǎo)通，單相全控橋電路中VTVT3導(dǎo)通，輸出電壓等于 u2。 6. 晶閘管串聯(lián)的單相半控橋（橋中VTVT2為晶閘管），電路如圖211所示，U2=100V，電阻電感負(fù)載，R=2Ω，L值很大，當(dāng)a=60176。＝117（V）Id＝Ud∕R＝117∕5＝（A）IDVT＝Id∕3＝∕3＝（A）IVT＝Id∕＝∕＝（A） 14．單相全控橋，反電動(dòng)勢(shì)阻感負(fù)載，R=1Ω，L=∞，E=40V，U2=100V，LB=，當(dāng)a=60176。解：①當(dāng)LB＝0時(shí)：Ud＝＝220cos60176。24．整流電路多重化的主要目的是什么？答：整流電路多重化的目的主要包括兩個(gè)方面，一是可以使裝置總體的功率容量大，二是能夠減少整流裝置所產(chǎn)生的諧波和無(wú)功功率對(duì)電網(wǎng)的干擾。）次諧波。當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí)，要求的晶閘管移相范圍是0 ~ 90176。就可以了。=176。1（k=1，2，3解：在第3題中已知電路為單相全控橋，其輸出電流平均值為Id＝（A）于是可得：I23＝2Id∕