【正文】 復雜，開關頻率低電 力MOSFET開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置第2章 整流電路 1. 單相半波可控整流電路對電感負載供電，L＝20mH，U2＝100V，求當α＝0176。2. 維持晶閘管導通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導通變?yōu)殛P斷？答：維持晶閘管導通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導通的最小電流，即維持電流。電力MOSFET驅動電路的特點：要求驅動電路具有較小的輸入電阻，驅動功率小且電路簡單。期間釋放，因此在u2一個周期中60176。流過晶閘管的電流有效值為：IVT＝Id∕＝（A）晶閘管的額定電流為：IN＝（~2）∕＝26~35（A）具體數值可按晶閘管產品系列參數選取。它們在相位上相差180176。 解：考慮LB時，有：Ud＝－ΔUdΔUd＝3XBId∕2πId＝（Ud－E）∕R 解方程組得：Ud＝（πR ＋3XBE）∕（2πR＋3XB）＝（V）ΔUd＝（V）Id＝（A）又∵－＝2∕U2 即得出= 換流重疊角g ＝ 176。變壓器二次側電流中含有6k177。時求Ud、Id和g 的值。所以同步信號滯后ua 180176。解：整流變壓器接法如下圖所示以a相為例，ua的120176。時求Ud、Id與g 的值，此時送回電網的有功功率是多少？解：由題意可列出如下3個等式：Ud＝(πβ)－ΔUdΔUd＝3XBId∕πId＝（Ud－EM）∕R三式聯(lián)立求解，得Ud＝[ cos(πβ)＋3XBEM]∕(πR＋3XB)＝－（V）Id＝（A） 由下式可計算換流重疊角：－＝2XBId∕U2＝＝γ＝176。＝176。 60176。解：假設，當負載為電阻時，ud的波形如下： 當負載為電感時，ud的波形如下： 8．三相半波整流電路，可以將整流變壓器的二次繞組分為兩段成為曲折接法，每段的電動勢相同，其分段布置及其矢量如圖260所示，此時線圈的繞組增加了一些，銅的用料約增加10%，問變壓器鐵心是否被直流磁化，為什么？圖260 變壓器二次繞組的曲折接法及其矢量圖答：變壓器鐵心不會被直流磁化。 3．單相橋式全控整流電路，U2＝100V，負載中R＝2Ω，L值極大，當α＝30176。時，在u2正半周期60176。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容，當柵極開路時極易受靜電干擾而充上超過20的擊穿電壓，所以為防止MOSFET因靜電感應而引起的損壞，應注意以下幾點：① 一般在不用時將其三個電極短接；② 裝配時人體、工作臺、電烙鐵必須接地，測試時所有儀器外殼必須接地；③ 電路中，柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過高④ 漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。+＞1，兩個等效晶體管過飽和而導通；+＜1，不能維持飽和導通而關斷。時，在電源電壓u2的正半周期晶閘管導通時，負載電感L儲能，在晶閘管開始導通時刻，負載電流為零。② 當單相全波整流電路與單相全控橋式整流電路的觸發(fā)角a 相同時，對于電阻負載：（0~α）期間無晶閘管導通，輸出電壓為0；（α~π）期間，單相全波電路中VT1導通，單相全控橋電路中VTVT4導通，輸出電壓均與電源電壓u2相等；(π~π＋α)期間，均無晶閘管導通，輸出電壓為0；(π＋α ~ 2π)期間，單相全波電路中VT2導通，單相全控橋電路中VTVT3導通，輸出電壓等于 u2。 6. 晶閘管串聯(lián)的單相半控橋（橋中VTVT2為晶閘管），電路如圖211所示，U2=100V，電阻電感負載，R=2Ω，L值很大，當a=60176。＝117（V）Id＝Ud∕R＝117∕5＝（A）IDVT＝Id∕3＝∕3＝（A）IVT＝Id∕＝∕＝（A） 14．單相全控橋，反電動勢阻感負載，R=1Ω，L=∞，E=40V，U2=100V，LB=，當a=60176。解：①當LB＝0時：Ud＝＝220cos60176。24．整流電路多重化的主要目的是什么？答：整流電路多重化的目的主要包括兩個方面，一是可以使裝置總體的功率容量大，二是能夠減少整流裝置所產生的諧波和無功功率對電網的干擾。）次諧波。當負載為電感負載時，要求的晶閘管移相范圍是0 ~ 90176。就可以了。=176。1（k=1，2，3解：在第3題中已知電路為單相全控橋，其輸出電流平均值為Id＝（A）于是可得：I23＝2Id∕