【摘要】電力電子技術(shù)模擬試卷四(考試時(shí)間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類(lèi),一類(lèi)是高壓集成電路,另一類(lèi)是________________。3.3.?
2025-03-25 06:07
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門(mén)檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門(mén)檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐?。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時(shí),穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-03-26 01:56
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)試題填空題1.在常溫下,硅二極管的門(mén)檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門(mén)檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為。2、二極管的正向電阻?。环聪螂娮璐蟆?、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散
2025-10-20 08:43