【正文】 。 （a）晶閘管 (b) 電力MOSFET (c) GTR (d)IGBT 2．畫出單結(jié)晶體管的電路符號(hào)及伏安特性；說(shuō)明單結(jié)晶體管的導(dǎo)通條件和截止條件。逆變失敗，小于，太小，根據(jù)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間、換流重疊角和安全裕量角來(lái)確定βmin，一般取30o~35o。 2．已知：E=110V，R=0. 5Ω，Em=16V，L足夠大，斬波周期T=5ms，VT導(dǎo)通時(shí)間ton=3ms。 （2分）五、（共8分）1．（6分） io為正弦波 Io=83A，Po=, 。（4分） 2．（4分） 3．（11分）有源逆變，大于90o。 2．（2分）41o~180o。當(dāng)β γ時(shí)也將出現(xiàn)這種情況。導(dǎo)通條件：ue＞Up ，ie＞Ip （2分）截止條件：ue＜Uv ，ie＜Iv （2分） 3．在第1題所給的器件中，哪些屬于自關(guān)斷器件？（b），（c），（d）得分評(píng)卷人二、（共 18 分）具有續(xù)流二極管的單相橋式全控整流電路，對(duì)發(fā)電機(jī)勵(lì)磁繞組供電。（9分） （2分）1．（7分）三相橋式全控整流電路，30o，2，寬，雙窄。（1）計(jì)算負(fù)載平均電壓UO、負(fù)載平均電流IO；（2）畫出穩(wěn)態(tài)時(shí)輸出電壓uO和輸出電流 iO的波形。 2．（2分）41o~180o。