【摘要】第1章檢測題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴,少數(shù)載流子為自由電子,不能移動的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)
2025-04-17 01:43
【摘要】高電壓技術(shù)實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn)二.介質(zhì)損耗角正切值的測量一.實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簩W(xué)習(xí)使用QS1型西林電橋測量介質(zhì)損耗正切值的方法。二.預(yù)習(xí)要點(diǎn):概念:介質(zhì)損耗、損耗角、交流電橋判斷:介質(zhì)損耗是表征介質(zhì)交流損耗的參數(shù)(直流損耗用電導(dǎo)就可表征),包括電導(dǎo)損耗和電偶損耗;測量tgδ值對檢測大面積分布性絕緣缺陷或貫穿性絕緣缺陷較靈敏和有效,但對局部性非貫穿性絕緣缺陷卻不靈敏和不太有效。推理:中
2025-05-30 22:24
【摘要】《高電壓技術(shù)》第一講1第一篇電介質(zhì)的電氣強(qiáng)度電介質(zhì)(dielectric)在電氣設(shè)備中作為絕緣材料使用。電氣強(qiáng)度表征電介質(zhì)耐受電壓作用的能力。均勻電場中擊穿電壓Ub與間隙距離之比稱為擊穿場強(qiáng)Eb。我們把均勻電場中氣隙的擊穿場強(qiáng)Eb稱為氣體的電氣強(qiáng)度??諝庠跇?biāo)準(zhǔn)狀態(tài)
2025-05-04 18:06