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開關(guān)電源保護(hù)電路(留存版)

2025-01-01 06:47上一頁面

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【正文】 比較器的輸出端是并聯(lián)的,無論是過壓、欠壓、過熱任何一種故障發(fā)生,比較器輸出低電平,封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)使電源停止工作,實(shí)現(xiàn)保護(hù)。 圖 1是采用晶閘管 V和限流電阻 R1組成的防浪涌電流電路。經(jīng)主變壓器輔助繞組產(chǎn)生晶閘管的觸發(fā)信號(hào),使晶閘管導(dǎo)通并短路限流電阻 R1,開關(guān)電源處于正常運(yùn)行狀態(tài)。當(dāng)電源處于缺相運(yùn)行時(shí),整流橋某一臂無電流,而其它臂會(huì)嚴(yán)重過流造成損壞,同時(shí)使逆變器工作出現(xiàn)異常,因此必須對(duì)缺相進(jìn)行保護(hù)。因此,當(dāng)出現(xiàn)短路過流時(shí),必須采取有效的保護(hù)措施。不過流時(shí),VAVref, VB=, VCVref, IC2輸出低電平, PWM控制器正常工作。 3 結(jié)語 開關(guān)電源保護(hù)功能雖屬電源裝置電氣性能要求的附加功能,但在惡劣環(huán)境及意外事故條件下,保護(hù)電路是否完善并按預(yù)定設(shè)置工作,對(duì)電源裝置的安全性和可靠性至關(guān)重要。同時(shí) IC1輸出的高電平經(jīng) R7對(duì)C2進(jìn)行充電,當(dāng) C2上電壓達(dá)到穩(wěn)壓管 VD4的擊穿電壓時(shí), V6導(dǎo)通并由 R9C3形成約 3μs 的軟關(guān)斷柵壓,軟降柵壓至軟關(guān)斷柵壓的延遲時(shí)間由時(shí)間常數(shù) R7C2決定,通常選取在 5~ 15μs 。 EXB841 內(nèi)部電路能很好地完成降柵及軟關(guān)斷,并具有內(nèi)部延遲功能,以消除干擾產(chǎn)生的誤動(dòng)作。 圖 6 三相三線制的缺相保護(hù)電路 短路保護(hù) 開關(guān)電源同其它電子裝置一樣,短路是最嚴(yán)重的故障,短路保護(hù)是否可靠,是影響開關(guān)電源可靠性的重要因素。 ,當(dāng)其正向端輸入低電平時(shí),比較器輸 出低電平封鎖 PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)。上述現(xiàn)象均會(huì)造成開關(guān)電源無法正常工作,為此幾乎所有的開關(guān)電源都設(shè)置了防止流涌電流的 軟啟動(dòng)電路,以保證電源正常而可靠運(yùn)行。 圖 1 采用晶閘管和限流電阻組成的軟啟動(dòng)電路 圖 2是采用繼電器 K1和限流電阻 R1構(gòu)成的防浪涌電流電路。檢測電網(wǎng)缺相通常采用電流互感器或電子缺相檢測電路。 為了實(shí)現(xiàn) IGBT的短路保護(hù),則 必須進(jìn)行過流檢測。當(dāng)出現(xiàn)過流時(shí),電流傳感器檢測的整流電壓升高, VAVref, VB為高電平, C3充電使 VCVref, IC2輸出高電平(大于 ),關(guān)閉 PWM控制電路。驗(yàn)收技術(shù)指標(biāo)時(shí),應(yīng)對(duì)保護(hù)功能進(jìn)行驗(yàn)證。發(fā)生短路故障時(shí), IGBT集電極電壓增大,由于 Vce 增大,比較器 IC1輸出高電平, V5導(dǎo)通, IGBT 實(shí)現(xiàn)軟降柵壓,降柵壓幅度由穩(wěn)壓管 VD2決定,軟降柵壓時(shí)間由 R6C1形成 2μs 。 圖 7是利用 IGBT 過流時(shí) Vce增大的原理進(jìn)行保護(hù)的電路,用于專用驅(qū)動(dòng)器 EXB841。這種缺相保護(hù)電路采用光耦隔離強(qiáng)電,安全可靠, RP RP2用于調(diào)節(jié)缺相保護(hù)動(dòng)作閾值。 , RT為負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻,它與 R7構(gòu)成
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