【正文】 子填滿(mǎn)晶體價(jià)帶之后，還多出一個(gè)，相當(dāng)于 ，但 As原子對(duì)這個(gè)額外電子的束縛相對(duì)于 Ge原子要弱，因此該電子的能量高于一般價(jià)帶中的電子，而位于導(dǎo)帶底部的禁帶中。39。 ? AgCl中 ： ? CdF2＋ Sm3+中 ： ? ZnS+Al3+中 ： ? Ca4(PO4)2F2中 ： ?? ?? )(39。 ?? hV M][ ?? ? XM VA]2[ 39。 ?)( eVCl缺陷的締合 色心名稱(chēng) 形成 符號(hào) ?中心 陰離子空位 F中心 陰離子空位締合電子 F’中心 F中心 締合電子 M中心 陰離子空位締合陽(yáng)離子空位和電子 R1中心 相鄰的兩個(gè)陰離子空位締合電子 R2中心 相鄰的兩個(gè)陰離子空位締合兩個(gè)電子 V1中心 陽(yáng)離子空位締合空穴 V2中心 相鄰的兩個(gè)陽(yáng)離子空位締合兩個(gè)空穴 FA中心 雜質(zhì)陽(yáng)離子 A締合陰離子空位 ?XV][ 39。KV缺陷的締合 ? 由于熱運(yùn)動(dòng)，締合的缺陷可以以一定的幾率分解為單一缺陷，因此在低溫以及沒(méi)有動(dòng)力學(xué)勢(shì)壘的情況下，容易產(chǎn)生締合缺陷，溫度越高，締合缺陷的濃度就越低。 ? 局域能級(jí)的位臵便決定于把一個(gè)電子從這個(gè)能級(jí)電離到準(zhǔn)自由態(tài)時(shí)所需要的能量，即把缺陷從帶有電子的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)椴粠щ姷臓顟B(tài)所需要的電子電離能。 ? 如果直接在弱氧化性氣氛中加熱 NiO，也可以將部分 Ni2+被氧化為 Ni3+ ONiNiLi ???? 213 ???39。 雜質(zhì)缺陷 ? 對(duì)于取代離子型晶體： ? 正負(fù)離子電負(fù)性差別較大，雜質(zhì)離子應(yīng)進(jìn)入與其電負(fù)性相近的離子的位臵上。溫度越高，熱振動(dòng)幅度加大，原子的平均動(dòng)能隨之增加。 ? 電子缺陷用 e表示，空穴缺陷用 h表示 。 理想的晶體除了可以作為理論模型之外， 在技術(shù)上沒(méi)什么用處 偏離理想的不完善的晶體，一些結(jié)構(gòu)和組成中 存在有某些缺陷的晶體，具有重要的理論意義 和實(shí)際價(jià)值。 三維缺陷 (體缺陷 ) 三維缺陷 空 洞 包藏雜質(zhì) 沉 淀 體缺陷和基質(zhì)晶體已經(jīng)不屬于同一物相，是異相缺陷。 39。雜質(zhì)原子在主晶格中的分布可以比喻成溶質(zhì)在溶劑中的分散，稱(chēng)之為固溶體。)，在電場(chǎng)作用下，可以產(chǎn)生空穴電導(dǎo)。這些電子或空穴的導(dǎo)電過(guò)程是由它們從一個(gè)缺陷原子跳向另一個(gè)缺陷原子而實(shí)現(xiàn)的，這種導(dǎo)電機(jī)制叫跳躍電子模型。KVEVCaVCa KKKK ??? ?? )(39。 eVeVClCl?ClV缺陷的締合 ? 所攜帶的電子很象類(lèi)氫原子中的 1s電 ? 子，可以吸收可見(jiàn)光而激發(fā)到 2p狀態(tài)，所以這個(gè)締合缺陷是一種色中心，叫做 F中心。eV X ??]22[ 39。39。211DE2DED? D? 2AE A’’ 1AEA’ 點(diǎn)缺陷的局域能級(jí) ? 例一： KCl晶體中的取代雜質(zhì) Ag+ ? 電離反應(yīng)： ??????????hAgeVEAgeAgeVEAgKAKKDK,)(39。 ,eAsEAs GeDGe ??? ???GeAs?GeAs受主缺陷 ? 2 受主缺陷 ? B摻入 Ge中，形成 ? B有只 3個(gè)價(jià)電子，相當(dāng)于晶體中價(jià)帶未完全充滿(mǎn)，或者說(shuō)缺陷處的價(jià)帶中存在一個(gè)空穴，相當(dāng)于 ，該空穴被松弛的束縛著，因此缺陷能級(jí)位于價(jià)帶頂部的禁帶中。 雜質(zhì)缺陷 外來(lái)的雜質(zhì)原子，可以以原子的形式存在也可以離子化的形式存在，即以失去電子或束縛著電子的狀態(tài)存在。肖特基缺陷的特點(diǎn)晶體體積膨脹，密度下降。 （ 5）過(guò)量的 Zn原子溶解在 ZnO中 Zni從缺陷的尺寸來(lái)看，可以分為以下幾類(lèi)： 缺陷的分類(lèi) (1)點(diǎn)缺陷，零維缺陷 (2) 線缺陷，一維缺陷 (3) 面缺陷，二維缺陷 (4) 體缺陷，三維缺陷 (5) 電子缺陷 零維缺陷 (點(diǎn)缺陷 ) 零維缺陷 雜質(zhì)點(diǎn)缺陷 本征點(diǎn)缺陷 取代缺陷 間隙缺陷 空位缺陷 錯(cuò)位缺陷 點(diǎn)缺陷問(wèn)題是固體化學(xué)所要研究的主要課題